功率MOS管的五种损坏模式详解


第一种:雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍
第一种:雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
单片机晶振旁边两个对地电容叫晶振的负载电容,分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度,一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。
运算放大器组成的电路五花八门,令人眼花瞭乱。工程师在分析它的工作原理时常抓不住核心,令人头大。为此小编特地搜罗天下运放电路之应用,来个“庖丁解牛”,希望各位看完后有所收获。
开关电源中高频磁芯很常见,当你面对形状各异的高频磁芯,你能解释出来它们究竟有何不同吗?
1、三极管和MOS管的基本特性
三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下:
电子设备的电子信号和处理器的频率不断提升,电子系统已是一个包含多种元器件和许多分系统的复杂设备。高密和高速会令系统的辐射加重,而低压和高灵敏度 会使系统的抗扰度降低。
因此,电磁干扰(EMI)实在是威胁着电子设备的安全性、可靠性和稳定性。我们在设计电子产品时,PCB板的设计对解决EMI问题至关重要。
嵌入式开发项目中,首先需要做需求分析,然后根据需求分析进行综合考虑,这里给出几个嵌入式硬件设计时特别要注意的问题。
1、MCU的选择
一摸电源模块的表面,热乎乎的,模块坏了?且慢,有一点发热,仅仅只是因为它正努力地工作着。但高温对电源模块的可靠性影响极其大!基于电源模块热设计的知识,这一次,我们扒一扒引起电源模块发热的原因。
David Song Microchip Technology Inc. 资深应用工程师
做了这么些年的开关电源设计,一个很让我心里忐忑的事就是新做的样机进行初次上电,担心炸机。相信很多工程师跟我一样深有体会,把自己的新样机在上电之前检查再检查,生怕哪个地方有焊错焊反搭焊或者说有地方短路,甚至把工作台上都扫得干干净净以防万一。