碳化硅

英飞凌在200mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。

安森美半导体发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

新的N沟道碳化硅MOSFET支持加速开关（上升时间仅10ns）。导通电阻数值下降到了20mΩ，门极电荷值更低。功耗更小。该系列产品更加稳健，能够应对超高电流浪涌脉冲。

安森美半导体推出一款适用于太阳能逆变器应用的全SiC功率模块，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。