电容器

在之前LDO 基础知识:噪声 - 降噪引脚如何提高系统性能一文中,我们讨论了如何使用与基准电压 (CNR/SS) 并联的电容器降低输出噪声和控制压摆率。在本文中,我们将讨论降低输出噪声的另一种方法:使用前馈电容器 (CFF)。

什么是前馈电容器?

前馈电容器是与电阻分压器顶部电阻并联的可选电容器,如图 1 所示。

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图 1:使用前馈电容器的低压降稳压器 (LDO)

类似于降噪电容器 (CNR/SS),添加前馈电容器具有多种影响。这些影响包括改善噪声、稳定性、负载响应和电源抑制比 (PSRR)。应用报告“使用前馈电容器和低压降稳压器的优缺点”详细介绍了这些优点。另外,还值得注意的是,前馈电容器仅在使用可调 LDO 时才可行,因为电阻器网络是外部的。

改善噪声

作为电压调节控制环路的一部分,LDO 的误差放大器使用电阻器网络(R1 和 R2)来提高基准电压的增益,类似于驱动场效应晶体管栅极的同相放大器电路,以使 VOUT = VREF × (1 + R1/R2)。这种增加意味着基准的直流电压将按 1 + R1/R2 系数提高。在误差放大器的带宽内,基准电压的交流元件(例如噪声)也会被放大。

通过在顶部电阻器 (CFF) 上添加电容器,会为特定频率范围引入交流分流器。换句话说,该频率范围中的交流元件会保持在单位增益范围内。请记住,您使用的电容器的阻抗特性将决定这个频率范围。

图 2 演示了 TPS7A91 噪声的减小(通过使用不同的 CFF 值)。

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图 2:TPS7A91 噪声与频率和 CFF 值的关系

通过在顶部电阻器上添加一个 100nF 电容器,您可将噪声从 9μVRMS 降至 4.9μVRMS。

改进稳定性和瞬态响应

添加 CFF 还会在 LDO 反馈环路中引入零点 (ZFF) 和极点 (PFF),使用公式 1 和 2 计算得出:

ZFF = 1 / (2 × π × R1 × CFF) (1)

PFF = 1 / (2 × π × R1 // R2 × CFF) (2)

将零点置于发生单位增益的频率之前可提高相位裕度,如图 3 所示。

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图 3:仅使用前馈补偿的典型 LDO 的增益/相位图

您可以看到,如果没有 ZFF,单位增益会更早出现,大约为 200kHz。通过添加零点,单位增益频率在大约 300kHz 处略微向右推,但相位裕度也有所改善。由于 PFF 位于单位增益频率的右侧,因此其对相位裕度的影响将是最小的。

在提高 LDO 的负载瞬态响应后,额外的相位裕度将很明显。通过增加相位裕度,LDO 输出将出现较少的振铃,稳定速度会更快。

改善PSRR

根据零点和极点的位置,您还可以战略性地减少增益滚降。图 3 显示了零点对从 100kHz 开始的增益滚降的影响。通过增加频带的增益,您还将改善该频带的环路响应,从而使特定频率范围的 PSRR 得到改善。请参阅图 4。

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图 4:TPS7A8300 PSRR 与频率和 CFF 值间的关系

如您所见,增加 CFF 电容会将零点向左推,从而改善环路响应和较低频率范围内的相应 PSRR。

当然,您必须选择 CFF 的值以及 ZFF 和 PFF 的对应位置,以避免导致不稳定性。您可以通过遵循数据表中规定的 CFF 限制来避免不稳定性,但我们通常建议选择介于 10nF 和 100nF 之间的值。较大的 CFF 可能会带来前面提到的优缺点应用报告中概述的其他挑战。

表 1 列出了一些关于 CNR 和 CFF 如何影响噪声的经验法则。

表 1:CNR 和 CFF 的优势与频率间的关系

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结语

添加前馈电容器可以改善噪声、稳定性、负载响应和 PSRR。当然,您必须仔细选择电容器以保持稳定性。与降噪电容器配合使用时,可以大大提高交流性能。这些只是优化电源时需要牢记的一些工具。

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LDO 基础知识:噪声 - 降噪引脚如何提高系统性能

来源:德州仪器
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围观 99

许多通过线路供电的现代智能物联网 (IoT) 器件都需要备用电源,以便在意外断电时安全断电或保持通信不断。例如,电表可通过射频接口提供关于断电的时间、地点和持续时间的详细信息。由于具有以下优势,窄带物联网 (NB-IoT) 最近在上述用途中很受欢迎:

  • 使用现有的 2G、3G 和 4G 频段。
  • 由美洲、欧洲和亚洲国家的一个或多个运营商提供支持。
  • 与通用分组无线业务 (GPRS) 相比,功率和峰值电流显著降低。

精心设计的备用电源方案有助于提供合适容量的备用电源,在正常和备用供电之间进行无缝切换,并支持多次断电而无需维护。在本文中,我们将介绍一种实施备用电源方案的简单方法,它使用 TI 的 TPS61094 降压/升压转换器和一款超级电容器,满足 NB-IoT 和射频标准。我们还将对基于 TPS61094 的解决方案与现有的 TI 参考设计进行比较。

NB-IoT 备用电源

表 1 显示了不同 NB-IoT 操作模式下随时间推移的电流消耗。在数据传送模式下峰值为 310mA,持续 1.32s,负载在不同的操作模式下也显著变化。整个过程的平均电流消耗为 30mA,持续 80s – 负载在此期间需要容量足够的备用电源并在主电网突然断电时进行无缝电源切换。TPS61094 60nA 静态电流 (IQ) 双向降压/升压转换器可实现可靠且简单的备用电源设计,同时作为单芯片解决方案,无需额外电路即可实现超级电容器充电和放电功能。

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表 1:Saft Batteries 的 NB-IoT 负载曲线示例

为使用一个超级电容器和 TPS61094 实现有效的备用电源电路,图 1 显示了我们如何配置 TPS61094 评估模块 (EVM),为表 1 中的 NB-IoT 负载曲线提供足够的备用电源支持。

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图 1:TPS61094 EVM 备用电源配置

当系统电源接通时,TPS61094 进入 Buck_on 模式:打开旁路场效应晶体管 (FET),为超级电容器提供 500mA 的恒定电流,并在超级电容器两端电压为 2.5V 时停止充电。VSYS 直接为 VOUT 供电。当断电导致 VSYS 下降时,TPS61094 会自动进入 Boost_on 模式:关闭旁路 FET,并通过超级电容器中存储的电荷为 VOUT 供电。

图 2 显示了使用示波器对备用电源完整循环进行测量的结果。VIN 表示电网的系统电压。VOUT 是 TPS61094 的输出电压,VSUP 是超级电容器电压。IOUT 是负载消耗的电流。在我们的示例中,负载消耗 100mA,是负载曲线平均电流消耗的 3.33 倍。我们增加了负载,从而确定在更极端的负载条件下,TPS61094 在电网断电时如何切换输入电源。

当系统功率突然下降时,TPS61094 立即进入 Boost_on 模式,并利用超级电容器的功率调节 VOUT。降压/升压转换器在 254.5s 内提供所需的输出电流,可处理 11.5 次 NB-IoT 事务。TPS61094 对超级电容器放电,直到其电压降至 0.7V;此时,该器件进入关断模式,直到系统 VIN 恢复。在 Buck_on 模式下,TPS61094 以恒定电流为超级电容器无缝充电。正如图 2 所示,超级电容器放电和充电之间的切换非常平稳。

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图 2:TPS61094 下电上电测量结果

其他备用电源实现方案

您还可以使用其他解决方案,每个解决方案都有优缺点。一种是适用于电表的超级电容器备用电源参考设计,它使用分立式电路为超级电容器充电,并使用 TPS61022 升压转换器在电网断电时将超级电容器电压升至更高的系统电压。TPS61022 输出电流能力高于 TPS61094 解决方案,但需要更多外部元件。

另一种是具有电流限制和主动电池均衡功能的超级电容器备用电源参考设计,它使用 TPS63802 降压/升压转换器作为超级电容器充电器和稳压器,并省去了额外的分立式充电电路,但仍需要额外的外部元件来实现电源 ORing、充电电流限制和超级电容器终端电压设置。

表 2 列出了每种备用电源方法的重要特性。

解决方案

TPS61094

1S 升压设计

2S 降压/升压设计

核心器件

TPS61094

TPS61022

TPS63802

器件 IQ (uA)

0.06

27

11

完整性

充电电路

集成

分立式

部分集成式

超级电容器配置

1S

1S

2S

3.3V VOUT 的平均最大输出电流 (mA)*

300

650

1,000

ORing 电路

集成

分立式

分立式

可编程的超级电容器终端电压

集成

分立式

分立式

可编程充电电流

集成

分立式

分立式

可编程的输出电压

集成

集成

集成

VIN 范围 (V)

0.7-5.5

10-12

2.5-5

VOUT 范围 (V)

2.7-5.4

2.2-5.5

1.8 至 5.2

备用电源的关键元件

TPS61094

分立式充电器、TPS61022

TPS63802、LM6100、INA181A、运算放大器

* TPS61094 和 TPS61022 的 VIN 最小值为 0.7V。TPS63802 的 VIN 为 1.8V。


表 2:备用电源解决方案概述

结语

低功耗无线标准的应用越来越广泛。凭借高集成度、简单设计和卓越的轻负载效率,TPS61094 适用于使用 LTE-M、Lora、蓝牙和其他新兴无线接口的备用电源应用。如需更高的输出电流,电表或电流限制参考设计是非常有效的解决方案。尽管该设计需要更多的分立式元件,但支持更高功率的射频传输,如 GPRS。

其他资源

围观 55

超级电容器的结构

超级电容器结构上的具体细节依赖于对超级电容器的应用和使用。由于制造商或特定的应用需求,这些材料可能略有不同。所有超级电容器的共性是,他们都包含一个正极,一个负极,及这两个电极之间的隔膜,电解液填补由这两个电极和隔膜分离出来的两个的孔隙。

超级电容器的结构如图所示.是由高比表面积的多孔电极材料、集流体、多孔性电池隔膜及电解液组成。电极材料与集流体之间要紧密相连,以减小接触电阻;隔膜应满足具有尽可能高的离子电导和尽可能低的电子电导的条件,一般为纤维结构的电子绝缘材料,如聚丙烯膜。电解液的类型根据电极材料的性质进行选择。


上图中各部分为:(1):聚四氟乙烯载体;(2)(4):活性物质压在泡沫镍集电极上;(3):聚丙烯电池隔膜。

超级电容器的部件从产品到产品可以有所不同。这是由超级电容器包装的几何结构决定的。对于棱形或正方形封装产品部件的摆放,内部结构是基于对内部部件的设置,即内部集电极是从每个电极的堆叠中挤出。这些集电极焊盘将被焊接到终端,从而扩展电容器外的电流路径。

对于圆形或圆柱形封装的产品,电极切割成卷轴方式配置。最后将电极箔焊接到终端,使外部的电容电流路径扩展。

超级电容的特性

超级电容器使用过程中是没有任何的化学反应,也没有高速旋转等机械运动;对于环境没有污染,也没有任何的噪声;它的结构简单、体积小,是非常理想的储能设备。

超级电容产品具有如下技术特性:

  (1)充电速度快。充满其额定容量的95%以上仅需10秒~10分钟;

  (2)循环寿命长。深度充放电循环可达1~50万次,例如,北京合众汇能公司生产的HCC250F/2.7V的超级电容器和北京集星科技公司生产的系列电容的循环寿命均在50万次以上;

  (3)能量转换效率高。大电流能量循环效率》90%;

  (4)功率密度高。可达300W/kg—50000W/kg,为蓄电池的5~10倍;

  (5)原材料生产、使用、存储及拆解过程均无污染,是理想的绿色环保电源;安全系数高,长期使用免维护;

  (6)高充放电效率。由于内阻很小,所以充放电损耗也很小,具有很高的充放电效率,可达90%以上。

  (7)温度范围宽。达-40~+70℃。超级电容器电极材料的反应速率受温度影响不大;

  (8)检测控制方便。剩余电量可通过公式E=CV2/2直接算出,只需要检测端电压就可以确定所储存的能量,荷电状态(SOC)的计算简单准确,因此易于能量管理与控制。

超级电容器工作原理

超级电容器基本原理和其它种类的双电层电容器一样,都是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的容量。突出优点是功率密度高、充放电时间短、循环寿命长、工作温度范围宽,是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种。

根据储能机理的不同可以分为以下两类:

1、双电层电容:

是在电极/溶液界面通过电子或离子的定向排列造成电荷的对峙而产生的。对一个电极/溶液体系,会在电子导电的电极和离子导电的电解质溶液界面上形成双电层。当在两个电极上施加电场后,溶液中的阴、阳离子分别向正、负电极迁移,在电极表面形成双电层;撤消电场后,电极上的正负电荷与溶液中的相反电荷离子相吸引而使双电层稳定,在正负极间产生相对稳定的电位差。这时对某一电极而言,会在一定距离内(分散层)产生与电极上的电荷等量的异性离子电荷,使其保持电中性;当将两极与外电路连通时,电极上的电荷迁移而在外电路中产生电流,溶液中的离子迁移到溶液中呈电中性,这便是双电层电容的充放电原理。


2、法拉第准电容:

其理论模型是由Conway首先提出,是在电极表面和近表面或体相中的二维或准二维空间上,电活性物质进行欠电位沉积,发生高度可逆的化学吸脱附和氧化还原反应,产生与电极充电电位有关的电容。对于法拉第准电容,其储存电荷的过程不仅包括双电层上的存储,而且包括电解液离子与电极活性物质发生的氧化还原反应。当电解液中的离子(如H+、OH-、K+或Li+)在外加电场的作用下由溶液中扩散到电极/溶液界面时,会通过界面上的氧化还原反应而进入到电极表面活性氧化物的体相中,从而使得大量的电荷被存储在电极中。放电时,这些进入氧化物中的离子又会通过以上氧化还原反应的逆反应重新返回到电解液中,同时所存储的电荷通过外电路而释放出来,这就是法拉第准电容的充放电机理。

来源:硬件十万个为什么

围观 214

小型器件纹波电流提高至3.27 A,+105 °C条件下使用寿命达5,000小时

2020年8月10日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新系列小型卡扣式铝电解电容器---193 PUR-SI系列,提高设计功率密度。Vishay BCcomponents 193 PUR-SI系列电容器纹波电流比上一代标准解决方案提高30 %,外形尺寸更小,同时具有更长使用寿命。

日前发布的器件纹波电流高达3.27 A,因此设计人员可以使用更少的元件,从而节省电路板空间并降低成本。器件在+105 °C条件下,使用寿命长达5,000小时,可用于+60 °C环境温度下,要求电容器使用寿命长达25年以上的各种严苛应用。

193 PUR-SI系列电容器采用蓝色套管绝缘的圆柱形铝外壳,额定电压为500V,从22 mm x 25 mm 到 35 mm x 60 mm有25种小型封装外形尺寸。电容器符合RoHS标准,提供3 pin极性卡扣接头。

作为非固态电解质极性铝电解电容器,该器件适合用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、工业冷气机、焊接设备的平滑、缓冲和DC-Link滤波。

器件规格表:

外形尺寸 (直径x长度,单位mm)

22 x 25 ~ 35 x 60

容量范围

47 µF ~ 820 µF

公差

± 20 %

额定电压

400 V ~ 450 V

500 V

温度范围

-40 °C ~ +105 °C

-25 °C ~ +105 °C

+105 °C使用寿命

5,000 h

100 Hz最大ESR

120 mΩ ~ 2800 mW

10 kHz最大阻抗

80 mΩ ~ 2060 mW

行业标准

IEC 60384-4 / EN130300

气候类别IEC 60038

40 / 105 / 56

25 / 105 / 56

193 PUR-SI系列电容器现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 11

滤波电容器、共模电感、磁珠在EMC设计电路中是常见的身影,也是消灭电磁干扰的三大利器。

对于这三者在电路中的作用,相信还有很多工程师搞不清楚,文章从设计中详细分析了消灭EMC三大利器的原理。

01 滤波电容

尽管从滤除高频噪声的角度看,电容的谐振是不希望的,但是电容的谐振并不是总是有害的。

当要滤除的噪声频率确定时,可以通过调整电容的容量,使谐振点刚好落在骚扰频率上。

在实际工程中,要滤除的电磁噪声频率往往高达数百MHz,甚至超过1GHz。对这样高频的电磁噪声必须使用穿心电容才能有效地滤除。

普通电容之所以不能有效地滤除高频噪声,是因为两个原因:

(1)一个原因是电容引线电感造成电容谐振,对高频信号呈现较大的阻抗,削弱了对高频信号的旁路作用;
(2)另一个原因是导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合,降低了滤波效果。
穿心电容之所以能有效地滤除高频噪声,是因为穿心电容不仅没有引线电感造成电容谐振频率过低的问题。

而且穿心电容可以直接安装在金属面板上,利用金属面板起到高频隔离的作用。但是在使用穿心电容时,要注意的问题是安装问题。

穿心电容最大的弱点是怕高温和温度冲击,这在将穿心电容往金属面板上焊接时造成很大困难。

许多电容在焊接过程中发生损坏。特别是当需要将大量的穿心电容安装在面板上时,只要有一个损坏,就很难修复,因为在将损坏的电容拆下时,会造成邻近其它电容的损坏。

02 共模电感

由于EMC所面临解决问题大多是共模干扰,因此共模电感也是我们常用的有力元件之一。

共模电感是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件,它由两个尺寸相同,匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上,形成一个四端器件,要对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用,而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。

原理是流过共模电流时磁环中的磁通相互叠加,从而具有相当大的电感量,对共模电流起到抑制作用,而当两线圈流过差模电流时,磁环中的磁通相互抵消,几乎没有电感量,所以差模电流可以无衰减地通过。

因此共模电感在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号,而对线路正常传输的差模信号无影响。

共模电感在制作时应满足以下要求:

(1)绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘,以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路;
(2)当线圈流过瞬时大电流时,磁芯不要出现饱和;
(3)线圈中的磁芯应与线圈绝缘,以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿;
(4)线圈应尽可能绕制单层,这样做可减小线圈的寄生电容,增强线圈对瞬时过电压的而授能力。
通常情况下,同时注意选择所需滤波的频段,共模阻抗越大越好,因此我们在选择共模电感时需要看器件资料,主要根据阻抗频率曲线选择。
另外选择时注意考虑差模阻抗对信号的影响,主要关注差模阻抗,特别注意高速端口。

03 磁珠

在产品数字电路EMC设计过程中,我们常常会使用到磁珠,铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。

铁氧体材料通常在高频情况下应用,因为在低频时他们主要程电感特性,使得线上的损耗很小。在高频情况下,他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中,铁氧体材料是作为射频电路的高频衰减器使用的。

实际上,铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联,低频下电阻被电感短路,高频下电感阻抗变得相当高,以至于电流全部通过电阻。

铁氧体是一个消耗装置,高频能量在上面转化为热能,这是由他的电阻特性决定的。铁氧体磁珠与普通的电感相比具有更好的高频滤波特性。

铁氧体在高频时呈现电阻性,相当于品质因数很低的电感器,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高高频滤波效能。

在低频段,阻抗由电感的感抗构成,低频时R很小,磁芯的磁导率较高,因此电感量较大,L起主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制;并且这时磁芯的损耗较小,整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感,这种电感容易造成谐振因此在低频段,有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。

在高频段,阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁芯的磁导率降低,导致电感的电感量减小,感抗成分减小。

但是,这时磁芯的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加,当高频信号通过铁氧体时,电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。

铁氧体抑制元件广泛应用于印制电路板、电源线和数据线上。如在印制板的电源线入口端加上铁氧体抑制元件,就可以滤除高频干扰。

铁氧体磁环或磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰,它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。使用片式磁珠还是片式电感主要还在于实际应用场合。
在谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的EMI噪声时,使用片式磁珠是最佳的选择。

片式磁珠和片式电感的应用场合

片式电感:射频(RF)和无线通讯,信息技术设备,雷达检波器,汽车电子,蜂窝电话,寻呼机,音频设备,个人数字助理(PDAs),无线遥控系统以及低压供电模块等。

片式磁珠: 时钟发生电路,模拟电路和数字电路之间的滤波,I/O输入/输出内部连接器(比如串口,并口,键盘,鼠标,长途电信,本地局域网),射频电路和易受干扰的逻辑设备之间,供电电路中滤除高频传导干扰,计算机,打印机,录像机(VCRS),电视系统和手提电话中的EMI噪声抑止。

磁珠的单位是欧姆,因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。

磁珠的DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于1000欧姆。

针对我们所要滤波的频段需要选取磁珠阻抗越大越好,通常情况下选取600欧姆阻抗以上的。

另外选择磁珠时需要注意磁珠的通流量,一般需要降额80%处理,用在电源电路时要考虑直流阻抗对压降影响。

来源:网络转载

围观 58

新款双层储能电容器外形尺寸从10 mm x 20 mm到12.5 mm x 40 mm,容值为5 F至22 F

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAPÔ双层储能电容器,外形尺寸从10 mm x 20 mm到12.5 mm x 40 mm,容值为5 F至22 F。

最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR,具有更高功率密度,节省各种工业、再生能源和汽车应用空间,包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等。

Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境,+85 °C条件下使用寿命长达2,000小时,免维护,具有极高的设计灵活性。器件坚固耐用,经过1500小时85 °C / 相对湿度85 %带电测试,耐潮能力达到最高等级,高压电容器额定电压达3.0 V。器件经过AEC-Q200认证,符合RoHS标准,可进行快速充放电,提供通孔封装版本。

外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

围观 11
围观 21

薄膜电容器的主要特性

额定电压

所谓额定电压就是,可恒常施加使用的最大电压。额定电压分为DC(直流)额定电压和AC(交流)额定电压。一般情况下,薄膜电容器的DC额定电压、AC额定电压都为数10~数100V左右,电力用高压型薄膜电容器的额定电压可达到AC数kV以上。AC额定电压是以仅用于交流电路为前提的电容器的电压。在AC电路上使用时,如果施加某个超过一定量的电压,就会产生电晕放电现象,而持续的电晕放电将导致绝缘破坏。另外,额定电压具有随温度上升而下降的倾向,因此选择时要留有充分余量。

自身发热

由于高频电流和脉动电流的影响,薄膜电容器会产生自身发热现象。一般认为自身发热是在5~10℃之内,因此需要使周围温度+自身发热温度不超过使用温度范围。

静电电容的温度特性和频率特性

薄膜电容器的静电电容容易受温度影响。其变化率因作为电介质的塑料薄膜的种类而异。PPS几乎没有变化,而PET以正的温度系数变化,PP则以负的温度系数变化。也有对相反的温度系数进行组合以稳定静电电容的复合电容器。另外,静电电容还会因使用频率而如下图所示发生变化。PPS的特点是同时具有优良的温度特性与频率特性。


tanδ (介质损耗角正切)的温度特性和频率特性

虽然薄膜电容器具有tanδ(介质损耗角正切)值越小热损失也越小的优良性能,但tanδ值会随着频率的增高而上升。上升最少的是PP,适合用于大电流的情况下。而且,PP的tanδ值也基本不受温度影响。


蒸镀电极的自我修复功能/安全功能

蒸镀电极型薄膜电容器有个很大的特点就是,蒸镀电极具有自我修复功能。指的是,当在薄膜上绝缘弱的地方被施加过电压导致绝缘击穿时,周围的蒸镀膜瞬时氧化,恢复绝缘状态的功能。

另外,为了更加提高可靠性,在蒸镀膜上附加安全功能的类型成为主流。其不是在薄膜的整个面上形成蒸镀膜,而是以分割成瓷砖状的多个领域并用狭窄的熔断部相连接的模式进行蒸镀的类型。当发生超过自我修复功能极限的绝缘击穿时,熔断部会熔断从而避免绝缘击穿。有多种蒸镀模式。


TDK的薄膜电容器(EPCOS品牌)类型和主要应用


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薄膜电容器的种类

薄膜电容器是利用塑料薄膜为电介质的电容器。其技术起源是19世纪后半期所发明的纸介质电容器。这是将浸渍了油、石蜡的纸插在铝箔中卷成卷状的电容器。代替金属箔在纸上直接蒸镀金属并卷成卷的类型被称为MP电容器(MP:敷金属纸的简称)。薄膜电容器是以这些技术为基础在20世纪30年代开发出来的。虽然与积层陶瓷贴片电容器相比,很难小型化,但由于绝缘电阻高,可靠性优异,被用于家电设备、车载电子设备、工业设备、电力电子设备等。

薄膜电容器根据内部电极的形成方法不同而大致分为箔电极型与蒸镀电极型(金属化薄膜型),根据结构的不同分为卷绕型、积层型、有感型与无感型等。


薄膜电容器中所使用的主要电介质及其特点

作为薄膜电容器的电介质,其使用了如下的塑料薄膜。以PET为电介质的电容器被称为Mylar电容器,该命名是源于杜邦公司的一款名为Mylar的PET薄膜。通称为苯乙烯电容器的是以聚苯乙烯(苯乙烯树脂)为电介质的薄膜电容器,但现在已被PP所取代,几乎不再生产。


按电介质分类的薄膜电容器的性能比较(概况)

因电介质的种类不同,薄膜电容器的性能存在差异。需要选择合适使用条件的类型。


薄膜电容器的结构

箔电极型薄膜电容器

在作为内部电极的金属箔(Al、Sn、Cu等)上重叠塑料薄膜并卷成卷状的卷绕型薄膜电容器有有感型与无感型。有感型是在内部电极上附着导线进行缠绕的类型,无感型是在端面安装导线或端子电极的类型。无感型与有感型相比,电感成分小,高频特性优异。


蒸镀电极型(金属化薄膜型)

这是替代箔电极型在塑料薄膜上蒸镀金属(Al、Zn等)形成内部电极的薄膜电容器。蒸镀膜极薄,因此与箔电极型相比,能够实现小型化。
蒸镀金属型是在端面安装电极的无感型,从加工方法上看有卷绕型与积层型。


薄膜电容器的制作方法


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积层陶瓷电容器的主要特性

要正确使用电容器,就需要了解电容器的特性。在这里我们就来简要介绍一下积层陶瓷电容器的主要特性。

额定电压

可施加给电容器的电压存在上限。能够稳定地施加给电容器的、可使用的最大电压称为额定电压。额定电压一般以直流电压表示,也有使用交流电压的产品。

漏电流/绝缘电阻/绝缘击穿

虽说电容器截断了直流电,但也会出现微小的漏电流。用流过电容器的电流除以施加在电容器上的电压所得的值称为绝缘电阻值。积层陶瓷电容器的绝缘电阻值高,在一般用途中,漏电流不会成为问题。但如果超过额定电压,再进一步提高所施加的电压,最终电容器就会发生绝缘击穿。

tanδ・Q

理想状况下,电路上不存在电容器内部的能量消耗,但实际上,电容器的介电损耗、电极、导线、电极的电阻成分(ESR:等效串联电阻)都会引发能量损耗。这以流过电容器的电流的相移进行表示。施加于电容器的电压与电流的相位差在理想状况下为90℃,但是因上述损耗会滞后于90℃。以三角函数tan(正数)表示该滞后的角度(损耗角)δ,称为tanδ或介质损耗角正切。tanδ的倒数叫做Q(质量系数),用作表示高频领域电容器性能的指标。



静电容量的温度特性

多用于电子设备的积层陶瓷电容器根据电介质的种类大致分为低电容率类(种类1)与高电容率类(种类2),并根据温度特性进一步细分。温度特性由JIS(日本工业标准)与EIA(美国电子工业协会)标准规定。



直流偏压特性(直流电压特性)

陶瓷电容器的静电容量还会因所施加的电压而发生变化,在直流电压下被称为直流偏压特性。静电容量的变化在低电容率类(种类1)中几乎看不到,但在高电容率类(种类2)的B特性、特别是F特性的陶瓷电容器中表现明显。这是因为高电容率类使用自发极化的强电介质(BaTiO3等)。

陶瓷是由众多晶粒(grain)构成的多晶体。在强电介质中,晶畴(domain)的自发极化是朝着向不同的方向,相互抵消,整体不表现出自发极化。但是,如果所施加的直流电场的强度增高,则最初自发极化的朝向会定向为电场的朝向,电容率增大。如果进一步提高电场,则会终止定向,达到饱和状态,电容率降低。因此,在施加直流偏压的情况下,需要考虑到电介质的特性、使用电压与耐圧从而进行选择。此外,存在这样的趋势,即越是小型尺寸的电容器,因直流偏压所引发的静电容量的减少越大。


阻抗-频率特性

电容器具有频率交流越高越易通过的性质。理想的电容器随着频率增高,阻抗会无限接近于零,但是在现实的电容器中,阻抗会以某个频率为临界升高。因此,阻抗-频率特性呈V字型(或U字型)曲线。这是因为电容器所具有的ESL (等效串联电感)与电容器之间形成了LC 谐振电路。与V字曲线的底部相对应的频率叫做自谐振频率(SRF),在该频率以下都作为电容器发挥作用,在此以上的频率范围内则作为电感器发挥作用。另外,Q 值在自谐振频率上为零。因此,为了使电容器在自谐振频率以下发挥作用,则必需要进行选择。


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