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提要

本期课堂,我们将继续深入CMOS逻辑IC的使用注意事项,介绍如何应对电路中的危害、亚稳态、锁存以及ESD防护等问题。

Q:危害的问题

如果是由OR(或)、AND(与)和其它门组成的多输入组合逻辑,输入信号变化时序的微小差异会导致短暂的须状脉冲,这即是所谓的危害。

让我们看一下危险是如何因信号延迟的差异而发生的。在下方所示的电路图中,假设A和B同时发生信号上升沿。施加到B的信号通过反相器到达AND(与)门。由于从B进入AND(与)门的信号因反相器而延迟,AND(与)门将在不同的时序接收到输入信号A和C,所以可能会在Y输出处产生高脉冲。

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A:危害的对策

组合逻辑的设计应确保避免从输入的同步变化产生所需的输出值。使用触发器调整输出时序也有助于消除危害。除了信号时序差异外,缓慢变化的输入也可能导致危害。使用带有施密特触发器输入的逻辑门,可以防止因缓慢变化的输入引起的危害。

亚稳态的问题

同步时序电路的输出有可能会维持一种称为亚稳态的不稳定平衡状态,具体将取决于将被锁存的数据信号相对于时钟信号的时序。当不满足数据表中显示的输入建立和保持时间(ts和th)要求时,时序电路将进入亚稳态。

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当有源输入(如时钟信号)和无源输入(如数据信号)彼此异步时,可能发生亚稳态。为防止时序电路进入亚稳态,必须满足数据表中所示的推荐时序条件。

例如,当CK和D输入异步时,它们可以如下所示进行同步。但在这种情况下,应注意CK的周期和传播延迟。如果它们接近,数据信号可能不会传播到第二个触发器。

下图所示的同步器由两个触发器组成。第一个触发器将防止tpd增加并防止危害转移到第二个触发器的输出。即使在这种情况下,当CK1和CK2之间的相位差接近第一个触发器的CK至Q延迟(tpd)时,仍需注意。

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注:如果两个触发器不能根据同样的时钟进行工作,可以创建与CK1同步的反相时钟并将其用作CK2(如CK2=/CK1)以避免亚稳态。

Q:锁存的问题

锁存是由可控硅整流器(SCR)产生的CMOS集成电路的特有现象。

让我们以n基板上形成的CMOS逻辑IC为例进行说明。CMOS逻辑IC具有各种寄生双极晶体管(Q1至Q6),内部将形成双向可控硅电路。锁存的一个常见原因是CMOS IC输入或输出引脚上的噪声、浪涌电压或浪涌电流过大。另一个原因是供电电压发生急剧变化。在这种情况下,内部双向可控硅电路将导通,导致即使在触发信号断开时仍有过大的电流继续在VCC和GND之间流动,最终导致IC损坏。

下面简要介绍导致锁存的过程。

下图显示了包含寄生结构的CMOS电路的等效电路。在n沟道MOSFET侧的p阱中形成NPN晶体管(Q2),而在p沟道MOSFET侧的n基板中形成PNP晶体管(Q1)。寄生电阻(RS和RW)也存在于IC引脚之间。寄生元件(Q1和Q2)形成晶闸管。

例如,如果电流由于外部原因流入n基板,则n基板中的电阻器RS将发生电压降。结果,Q1导通,使得电流从VCC经由p阱中的电阻器RW流向GND。流过RW的电流在RW上产生一个电压差,这使得Q2导通,使电流流过RS。由于这将进一步增加RS上的电压差,所以Q1和Q2保持导通。因此,电流继续增加。如上所述,当p阱中的RW和n基板中的RS都发生电压差时,CMOS IC将出现锁存问题。

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A:锁存的对策

在额定条件下使用。如果对IC施加过大的浪涌,建议如下图所示在IC接口增加一个保护电路。

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ESD防护的问题

CMOS逻辑IC提供符合国际标准的静电放电(ESD)抗扰度。接触较高的静电放电可能会导致CMOS逻辑IC故障或永久性损坏。因为CMOS逻辑IC输入门的氧化膜非常薄(几百至几千埃),所以它可能会被几百到几千伏特的ESD损坏。

为防止这种情况,每个输入引脚通常提供ESD保护电路。但这种保护有限。对可能接触过度ESD的输入端插入外部ESD保护二极管(例如,连接到电路板外部接口的输入端)。

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东芝提供多种ESD模型。其中,人体模型(HBM)最为常见,该模型的特点是易受人体可能产生的ESD损害的影响。关于人体电容有许多讨论。对于静电放电抗扰度测试,将使用一个100 pF电容器和一个1500 Ω放电电阻器模拟带电人体。在测试过程中,电容器充满电,然后通过电阻器放电。

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HBM测试电路

至此,关于CMOS逻辑IC使用注意事项的内容就全部结束啦!希望通过这几篇文章,能够助您在电路设计中突破难关、提升工作效率。未来随着技术的不断进步,新的材料、新的IC设计和制造技术将不断涌现,芝子期待与您一起探索电子设计的新边界,共同创造更加智能、高效和可靠的电子系统。

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前面两期的芝识课堂,我们介绍了大量关于CMOS逻辑IC应用的一些细节事项,本期课堂让我们进入实际的应用案例,解决电路设计中的噪声问题。

开关噪声类型

使用CMOS逻辑IC时,应注意开关噪声。主要噪声类型包括:开关噪声(过冲、欠冲、接地反弹)、信号反射串扰噪声。这些噪声是由输出转换速率(di/dt或dv/dt)和输出走线引起的。除此之外,还应注意在多种组合条件下产生的电磁干扰(EMI)噪声和附近电子设备发出的电磁敏感性(EMS)噪声。

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降低开关噪声的问题

CMOS逻辑IC中的MOSFET在对内部和外部负载电容进行充放电的同时进行开关转换。开关过程中的走线阻抗可以看作是一个LCR电路。由于开关电流(i)流过电感(L),所以在CMOS逻辑IC的VCC和GND线上出现峰值电压(=L(di/dt))。这种噪声便称为开关噪声。多个同步开关输出会消耗较大的充电/放电电流,因此会产生较大的开关噪声(称为同步开关噪声)。

降低开关噪声的对策

(1)分别增加和减小VCC和GND线的宽度和长度,以减小它们的电感。

(2)将旁路电容器放置在CMOS逻辑IC的VCC和GND引脚之间并尽可能使其靠近。

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(3)注意时钟和重置信号。未使用的门输入端(如驱动器)应连接到VCC或GND。将一个低通滤波器连接到使用的门输出端,以消除噪声。

(4)选择低噪声IC。

(5)在使用的门输出端添加一个阻尼电阻器。但必须检查输出波形以调整阻尼电阻器的值。

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东芝为CMOS IC提供内部阻尼电阻器,这不仅有助于降低开关噪声,而且有助于减少零件数量。

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信号反射的问题

对于高速CMOS逻辑IC,反射会导致信号延迟、振铃、过冲和欠冲增加。

传输线路反射:典型走线的特性阻抗(*1)为50至150 Ω。但是高速CMOS逻辑IC的I/O阻抗与典型走线的特性阻抗不同。这种阻抗的不匹配将导致一部分发射信号被反射到传输线路的发送端和接收端。

信号反射不影响缓慢上升的输出,因其上升周期与反射信号的上升周期重叠。当反射信号上升后返回到输出时,即当下列等式成立时,信号反射才会导致问题:

tr<2T

tr:输出信号上升时间

T:从传输线路的发送端到接收端的传输延迟时间

假设输出上升时间为3 ns,沿传输线路的传输延迟时间为5 ns/m。当传输线路为30 cm或更长时,信号反射会产生显著影响。

*1特性阻抗

特性阻抗是传输线路(如电路板迹线、同轴电缆)的特性之一。

传输线路特性阻抗的一般表达式是Z_0=√(L/C),其中L是单位长度的电感,C是单位长度的电容。特性阻抗的单位为欧姆(Ω)。当50 Ω的终端电阻器连接到特性阻抗为50Ω的传输线路末端时,连接点处不会发生信号反射。

如果特性阻抗与电阻值不匹配,则在连接点处会发生信号反射。

减少信号反射的对策

(1)提高电路板组装密度,减少电路板走线的长度,以减小其电感和电容。但是在这种情况下,需要注意相邻轨迹之间的串扰。

(2)不要使用输出电流高于必要值的IC。

(3)提供电气终端,以便CMOS逻辑IC的I/O阻抗与传输线路的特性阻抗匹配。

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(4)当一个CMOS逻辑IC的输出驱动多个CMOS逻辑IC时,输出走线应在靠近被驱动IC的位置呈扇形展开。

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串扰的问题

串扰噪声是由并行延伸的两条相邻传输线路(分别称为干扰线路和受干扰线路)之间的电容或电感耦合引起的。关于串扰,应注意快速上升或下降的信号。当此类信号通过传输线路时,串扰噪声将在相邻的线路(受干扰线路)中产生并且在与干扰信号相同的方向和与干扰信号相反的方向上同时传播。由于串扰传播的速度与干扰信号的速度相等,因此在与干扰信号相同方向上传播的串扰噪声(称为远端串扰)将显示为脉冲状噪声。

另一方面,当干扰信号沿线路传播时,沿相反方向传播的串扰噪声(称为近端串扰)保持恒定水平。串扰噪声也沿着干扰线路传播,然后返回到受干扰线路。

串扰应对措施

(1)在并行走线之间添加接地走线。(或者使用多层电路板,其中低阻抗层(如VCC或GND层)位于信号层之间。)

(2)减少并行运行的走线长度。

(3)如果是多层电路板,在相互正交的交替层上走线。

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(4)增加走线之间的间距。

下图展示了沿30 cm走线传播的典型串扰噪声水平。这个例子显示的是近端串扰。如果受干扰走线的近端是接收端,则很容易受到串扰影响。

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本篇文章,我们针对CMOS逻辑IC应用中的噪声问题做了讲解,并分享了不同噪声的应对之策。在下期文章中,我们还将继续介绍电路设计中可能出现的其他困扰及相关对策,大家不要错过哦!


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【CMOS逻辑IC的使用注意事项】—深入电子设计,需要这份指南(一)

在上期的芝识课堂中,我们介绍了一部分CMOS逻辑IC设计的常见问题以及处理办法。本期课堂将继续探讨如何优化CMOS逻辑IC的性能,特别是负载电容连接技巧和功耗计算,这些因素对于电路的设计极其重要。

负载电容和CMOS输出引脚的连接问题

在将负载电容连接到CMOS集成电路(IC)的输出引脚时,须谨慎选择电容的大小。具体来说,大电容会增加CMOS输出的传输延迟,并且电容的充/放电过程会增加进出的电流,这可能导致电路中的噪声问题,甚至可能因电流过大而损坏连接引线。此外,由于电流在掉电时会流向输出寄生二极管,因此大负载电容不可直接连接到CMOS IC上。

若需将电容器直接连接到CMOS IC的输出端以增加其延迟时间或过滤噪声,则应选择500pF或更小的电容。当需要较大的电容时,应在IC输出端和电容器之间连接限流电阻(R)。具有输出容限功能的CMOS IC不需要限流电阻(R)来断电。但可能需要一个限流电阻(R)来限制进入电容的充电电流。

不仅如此,大负载电容也不应直接连接到CMOS IC的输入引脚。

当电容由于掉电而放电时,电流流向内部保护二极管,并通过输入引脚返回到VCC。因此,大负载电容不能直接连接到输入引脚。如果需要直接连接电容,推荐最高选择500 pF的器件。如果需要更大的电容器,则应在IC输入端和电容器之间连接限流电阻(Rs)。

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连接大负载电容

计算工作电流和功耗

如何计算通用逻辑IC的功耗?可通过获取静态电流和动态电流,然后将该电流乘以施加到IC的电压来计算通用逻辑IC的功耗。

静态功耗:PS

当CMOS逻辑处于静态(即当其输入电压几乎保持不变)时,除了流过内部反向偏置pn结的微小漏电流(即静态供电电流,ICC)以外,几乎没有电流流动。

静态功耗是将ICC乘以供电电压:PS=VCC×ICC

VCC:施加在逻辑IC上的电压。

ICC:如数据表所示的静态供电电流。

静态功耗:PL+PPD

动态供电电流是指当输入在高电平和低电平之间转换时流过CMOS逻辑IC的电流。该电流在电容充放电过程中流动。必须同时考虑寄生电容(内部等效电容)和负载电容。

动态功耗是将动态供电电流乘以施加在p沟道或n沟道MOSFET上的电压。为方便起见,以下计算将假定此电压等于VCC,此时动态供电电流最大。

负载电容(CL)引起的动态功耗:PL

PL指外部负载充电和放电时的功耗,如右图所示。

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CL引起的动态功耗

存储在负载电容上的电荷量(QL)计算为QL=CL×VCC,CL为负载电容。

设输出信号频率为fOUT(=1/TOUT),则平均电流(IL)表示为:IL=QL/T=CL×VCC×fOUT;因此,动态功耗(PL)为:PL=VCC×IL=CL×VCC²×fOUT

如果一个IC有多个输出,其动态功耗可计算如下:PL=VCC2×Σ(CLn×fOUTn

内部等效电容(CPD)引起的动态功耗:PPD

CMOS逻辑IC具有各种寄生电容,如右图所示。这些电容可等效地表示为CPD(实际上,CPD的基于零负载条件下相对较高频率(1 MHz)时的功耗计算得出的)。

PPD是IC的等效电容消耗的功率,可按与PL相同的方式考虑。但请注意,PPD的计算是基于输入频率(fIN):PPD=VCC×IL=CPD×VCC²×fIN

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CPD引起的动态功耗

总功耗(PTTL)可以表示为静态功耗(PS)和动态功耗(PL+PPD)之和:PTTL=PS+PL+PPD

输入容限功能可用于电平转换

输入容限功能允许在电源激活时或电压为0 V时,向输入端施加高达最大工作电压的电压,允许电平从较高电压转换为较低电压。例如,东芝的74VHC和74LCX系列可用于将5 V转换至3 V,74VCX系列可用于将3V转换至1.2 V。

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无输入容限和掉电保护功能的CMOS逻辑IC的等效输入/输出电路

在输入侧插入二极管以进行ESD防护。如果施加的电压高于VCC或在IC关断时施加电压,则输入端和电源之间的二极管可能会导通。在本例中,IC可能会被产生的大电流破坏。因此,通过使用具有输入容限功能的IC,即输入端和电源之间无二极管的IC,可以防止器件损坏。

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掉电保护功能应用示例(局部掉电)

如果使用具有掉电保护功能的IC,则可以实现局部掉电。为降低功耗,具有两个电压范围(VCC1和VCC2)的系统可以提供局部掉电模式。在该模式下,其中由VCC1运行的子系统将被关闭。例如,假设在电压范围VCC1使用74VHC系列。74VHC系列在输出端和电源之间有一个非预期的寄生二极管。因此,当VCC2>VCC1时,该寄生二极管导通。在这种情况下,IC可能会被产生的大电流破坏。使用既没有输入也没有输出寄生二极管的IC(如74VHCT、74LCX和74VCX系列)可以防止器件损坏。这些系列提供掉电保护。

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东芝每个系列都具有输入容限和输出掉电保护功能:

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其中,TC4049BF/BP,TC4050BF/BP,TC74HC4049BP/BF/BFT,74HC4049D,TTC74HC4050BP/BF/BFT和74HC4050D具有允许从较高电压到较低电压电平转换的输入容限功能。

除这些使用事项和功能外,在使用CMOS逻辑IC时也应注意噪声的危害。下期内容我们将进入实际的应用案例,学习电路设计中的噪声以及应对策略,欢迎关注!

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围观 15

当今的电子设计领域,CMOS逻辑IC因其低功耗、高集成度和良好的噪声抑制能力而得到广泛应用。然而,要充分发挥CMOS逻辑IC的性能优势,确保系统的稳定可靠运行,必须严格遵守一系列使用注意事项。从本期芝识课堂起,芝子将向大家奉上一份详细的设计指南,帮助大家更好地避免潜在的设计陷阱和故障。

对于未使用输入引脚的处理

在设计和使用CMOS逻辑IC时,正确处理未使用的输入引脚是确保系统稳定性和可靠性的关键步骤。通常而言,所有未使用的输入端都应连接到VCC或GND。

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连接到VCC或GND的CMOS逻辑IC的未使用输入端

对于可配置为输出端的双向总线缓冲器来说,任何引脚(如总线引脚)应通过上拉电阻器连接到VCC或通过下拉电阻器连接到GND。同时,建议将缓冲器两端上拉或下拉至相同电位,以避免不必要的电流流动。但是,请保持总线引脚的输入引脚保持为打开状态。

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双向总线缓冲器的未使用的双向引脚上拉至VCC或下拉至GND

即使采用典型的CMOS逻辑IC,仍会在电源接通瞬间,因寄生电容而产生短暂的浪涌电流。虽然这种电流通常较小(几毫安量级),但在某些敏感应用中仍需注意。通过将未使用的输入引脚连接到VCC或GND,可以有效降低这种浪涌电流的影响,提高系统可靠性。

另外,由于CMOS逻辑IC具有非常高的输入阻抗,任何开放的输入端都可能由于周围电场的影响而导致错误的输出值。此外,直通电流可能会在VCC和GND的中点流动,从而导致电流增加,这可能会导致器件损坏。除非数据手册中另有说明,否则务必将这些注意事项应用至所有不具有总线保持能力的输入端。

输入上升和下降时间规范

在数据表中,针对通用CMOS逻辑集成电路(IC)明确界定了其输入信号的上升与下降时间标准,这些标准旨在确保IC在预定的工作环境下能够稳定且高效地执行其功能。遵循这些时间规范对于防止因输出信号振荡等不利现象导致的系统故障至关重要。

当向CMOS逻辑IC的输入端施加缓慢的上升或下降信时,切换过程中可能会产生显著的电流峰值。这些峰值电流不仅可能引发电源电压(VCC)和地电位(GND)的瞬态波动(俗称“弹跳”),还可能进一步导致输出信号的振荡或功能异常。

为应对这一挑战,可使用带有施密特触发器输入的IC来缓慢更改输入。但是如果输入变化过慢,即使带有施密特触发器输入的IC仍可能无法抑制电源或信号线上的噪声,从而导致输出振荡或不稳定。

下表显示了每个系列中典型IC的上升和下降时间。

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通用CMOS逻辑IC的多个输出发生冲突(短路)

与二极管不同,典型CMOS逻辑IC的输出不能进行线或运算,除非具有三态输出。即使是具有三态输出的CMOS逻辑IC,如果同时启用,也可能会有非预期电流流动,导致IC劣化。所以在创建电路设计时,请确保在任何既定时间都不会启用多个输出。此外,如果所有的CMOS逻辑IC都被禁用(即处于高组态),而没有被上拉到VCC或下拉到GND,那么不具有总线保持功能的CMOS逻辑IC的输出就会变得不稳定。

仅同一封装中的门才可以进行线与运算,以增加驱动能力(即输出电流)。但是,建议使用高驱动IC(IO为±24 mA)。

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正确使用CMOS逻辑IC不仅需要理解其电气特性,还需要关注实际应用中的细节。通过本文提供的指南,设计师可以预防常见的设计错误,提高电路的整体性能和可靠性。在后续文章中,们将继续探讨如何优化CMOS逻辑IC的性能和电容连接技巧,敬请期待。

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围观 19

1、晶体管基本放大电路有共射、共集、共基三种接法,请简述这三种基本放大电路的特点。

共射:共射放大电路具有放大电流和电压的作用,输入电阻大小居中,输出电阻较大,频带较窄,适用于一般放大。

共集:共集放大电路只有电流放大作用,输入电阻高,输出电阻低,具有电压跟随的特点,常做多级放大电路的输入级和输出级。

共基:共基电路只有电压放大作用,输入电阻小,输出电阻和电压放大倍数与共射电路相当,高频特性好,适用于宽频带放大电路。

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2、多级放大电路的级间耦合方式有哪几种?哪种耦合方式的电路零点偏移最严重?哪种耦合方式可以实现阻抗变换?

有三种耦合方式:直接耦合、阻容耦合、变压器耦合。直接耦合的电路零点漂移最严重,变压器耦合的电路可以实现阻抗变换。

3、名词解释:耦合、去耦、旁路、滤波。

耦合:两个本来分开的电路之间或一个电路的两个本来相互分开的部分之间的交链。可使能量从一个电路传送到另一个电路,或由电路的一个部分传送到另一部分。

去耦:阻止从一电路交换或反馈能量到另一电路,防止发生不可预测的反馈,影响下一级放大器或其它电路正常工作。

旁路:将混有高频信号和低频信号的信号中的高频成分通过电子元器件(通常是电容)过滤掉,只允许低频信号输入到下一级,而不需要高频信号进入。

滤波:滤波是将信号中特定波段频率滤除的操作,是抑制和防止干扰的一项重要措施。

4、什么是竞争与冒险?

逻辑电路中,由于门的输入信号经过不同的延时,到达门的时间不一致,这种情况叫竞争。由于竞争而导致输出产生毛刺(瞬间错误),这一现象叫冒险。

5、无源滤波器和有源滤波器有什么区别?

无源滤波器由无源器件R、L、C组成,将其设计为某频率下极低阻抗,对相应频率谐波电流进行分流,其行为模式为提供被动式谐波电流旁路通道。

无源滤波器可分为两大类:调谐滤波器和高通滤波器。无源滤波器结构简单、成本低廉、运行可靠性高,是应用广泛的被动式谐波治理方案。有源滤波器由有源器件(如集成运放)和R、C组成,不用电感L、体积小、重量轻。

有源滤波器实际上是一种具有特定频率响应的放大器。集成运放的开环电压增益和输入阻抗很高,输出电阻很小,构成有源滤波电路后有一定的电压放大和缓冲作用。集成运放带宽有限,所以有源滤波器的工作频率做不高。

6、请问锁相环由哪几部分组成?

由鉴相器、环路滤波器和压控振荡器三部分组成,有的锁相环还多一个1/N分频器。

7、请问RS-232C标准的逻辑0和逻辑1电压范围是多少?CAN和RS485收发器工作电平是几伏?

RS-232C电气标准是负逻辑,逻辑0的电压范围是+5V~+15V,逻辑1的电压范围是-5V~-15V。

CAN收发器工作电平是5V,RS485收发器工作电平是3.3V。

8、名词解释:UART、USRT、USART。

UART:UniversalAsychronous Receiver/Transmitter,通用异步接收器/发送器,能够完成异步通信。

USRT:UniversalSychronous Receiver/Transmitter,通用同步接收器/发送器,能够完成同步通信。

USART:UniversalSychronous Asychronous Receiver/Transmitter,通用同步异步接收器/发送器,能完成异步和同步通信。

9、请问串口异步通信的字符帧格式由哪几部分组成?

由起始位、数据位、奇偶校验位和停止位四部分组成。

10、请简述USB HOST、USB Slave和USB OTG的区别。

USB HOST是主机,实现控制功能,也可以存取数据,如电脑PC。USB HOST主机只可以和USBSlave设备连接。

USB Slave是从设备,属于被控制设备,可输入输出数据,如U盘、移动硬盘、MP3、MP4、鼠标、键盘、游戏手柄、网卡、打印机、读卡器等USB设备。

USB OTG全称是USBOn-The-Go,属于直接控制和传输设备,既可以做USB HOST也可以做USB Slave,通过ID信号来控制主、从切换。

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11、请列举您知道的逻辑电平。

低速:RS232、RS422、RS485、TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL

高速:LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL

12、请列举您知道的差分平衡电平接口。

RS422、RS485、RJ45、CAN、USB、LVDS。

13、电磁干扰的三要素是什么?

电磁干扰源、干扰传播路径和干扰敏感设备。

14、请解释一下什么是串扰和振铃。

串扰:串扰是指一个信号被其它信号干扰,作用原理是电磁场耦合。信号线之间的互感和互容会引起线上的噪声。容性耦合引发耦合电流,而感性耦合引发耦合电压。

振铃:是因为信号线本身阻抗不匹配导致信号发生反射和叠加,从而使信号出现了振荡波形。

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15、您所遇到的需要控制单端阻抗为50欧姆、75欧姆的信号有哪些?您所遇到的需要控制差分阻抗为90欧姆、100欧姆、120欧姆的信号有哪些?

一般的高频信号线均为50欧姆~60欧姆。75欧姆主要是视频信号线。USB信号线差分阻抗为90欧姆,以太网差分信号线差分阻抗为100欧姆。RS422、RS485、CAN差分信号的差分阻抗为120欧姆。

16、差分线走线有两个原则:等长和等距。但在实际布线中可能无法两者都完全满足,那么请问是等长优先还是等距优先?

应该等长优先,差分信号是以信号的上升沿和下降沿的交点作为信号变化点的,走线不等长的话会使这个交点偏移,对信号的时序影响较大,另外还给差分信号中引入了共模的成分,降低信号的质量,增加了EMI。

小范围的不等距对差分信号影响并不是很大,间距不一致虽然会导致差分阻抗发生变化,但因为差分对之间的耦合本身就不显著,所以阻抗变化范围也是很小的,通常在10%以内,只相当于一个过孔造成的反射,这对信号传输不会造成明显的影响。

17、为什么高频信号线的参考地平面要连续(即高频信号线不能跨岛)?

参考地平面给高频信号线提供信号返回路径,返回路劲最好紧贴信号线,最小化电流环路的面积,这样有利于降低辐射、提高信号完整性。

如果参考地平面不连续,则信号会自己寻找最小路径,这个返回路径可能和其他信号回路叠加,导致互相干扰。而且高频信号跨岛会使信号的特征阻抗产生特变,导致信号的反射和叠加,产生振铃现象。

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18、请问什么是半固化片?

半固化片是PCB中的介质材料和粘合材料,由玻璃纤维和环氧树脂组成,介电常数大概是4.0~4.5。在常温下半固化片是固态,高温加热时半固化片胶状化将上下两侧铜箔粘合起来,半固化片成为中间的介质。

19、请问什么是通孔、盲孔和埋孔?孔径多大可以做机械孔,孔径多小必须做激光孔?请问激光微型孔可以直接打在元件焊盘上吗,为什么?

通孔是贯穿整个PCB的过孔,盲孔是从PCB表层连接到内层的过孔,埋孔是埋在PCB内层的过孔。

大多数PCB厂家的加工能力是这样的:大于等于8mil的过孔可以做机械孔,小于等于6mil的过孔需要做激光孔。对小于等于6mil的微型孔,在钻孔空间不够时,允许一部分过孔打在PCB焊盘上。

20、请问过孔有哪两个寄生参数?这两个寄生参数对电路有什么影响?

过孔有两寄生参数:寄生电容和寄生电感。

寄生电容会延长信号的上升时间,降低电路的速度。寄生电感会削弱旁路电容的贡献,减弱整个电源系统的滤波效果。

本文转载自:张飞电子实战营
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围观 17

ESD、EMI、EMC 设计是电子工程师在设计中遇到常见难题,电磁兼容性(EMC)是指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力。因此,EMC包括两个方面的要求:一方面是指设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值;另一方面是指器具对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度,即电磁敏感性。 所谓电磁干扰是指任何能使设备或系统性能降级的电磁现象。而所谓电磁干扰是指因电磁干扰而引起的设备或系统的性能下降。

EMC包括EMI(电磁干扰)及EMS(电磁耐受性)两部份,所谓EMI电磁干扰,乃为机器本身在执行应有功能的过程中所产生不利于其它系统的电磁噪声;而EMS乃指机器在执行应有功能的过程中不受周围电磁环境影响的能力。

在电子产品的设计中,为获得良好的EMC性能和成本比,对产品进行EMC设计是重要的;电子产品的EMC性能是设计赋予的。测试仅仅是将电子产品固有的EMC性能用某种定量的方法表征出来。

对于EMC设计来讲:

首先,应在研发前期考虑EMC设计。

如果产品设计前期不考虑EMC问题,仅寄希望于测试阶段解决(表现为通过整改来解决设计成型产品的EMC问题,这样大量的人力和物力都投入在后期的测试/验证、整改阶段)。那么,即使产品整改成功,大多情况下还是会由于整改涉及电路原理、PCB设计、结构模具的变更,导致研发费用大大增加,周期大大延长。只有在前期产品设计过程中考虑与预测EMC问题,把EMC变成一种可控的设计技术,并行和同步于产品功能设计的过程,才能一次性地把产品设计好。

其次,应该系统化的进行EMC设计。

通过设计提高电子产品的EMC性能,绝对不是企业内EMC专家一个人所赋予的,因为EMC绝对不可能脱离产品硬件、结构等实物而存在。因此,要使设计的电子产品一次取得良好的EMC性能,就需要提高产品设计工程师的EMC经验与意识问题。如硬件工程师,除了原先必须掌握的电路设计知识外,还应该掌握EMI和EMS抗干扰设计的基本知识;PCB设计工程师需要掌握相应的器件布局、层叠设计、高速布线方面的EMC设计知识;结构工程师也需要了解产品结构的屏蔽等方面的设计知识。因为这些共同参与产品设计的工程师,要去实现FMC专家在产品设计过程中所提出的意见,就要理解、领会EMC专家所提出的建议的奥秘,并与各自领域的设计特点相结合,将所有EMC问题的萌芽消灭在产品设计阶段。只有所有参与产品设计的开发人员共同提高EMC素质,才能设计出具有高性能EMC的电子产品。

一般电子产品设计时不考虑EMC问题,就会导致EMC测试失败,以致不能通过相关法规的认证。下图概述了EMC、EMI、ESD评审的要点。

电子设计中绕不开的EMC、EMI、ESD
EMC、EMI、ESD评审的要点

电子设计中绕不开的EMC、EMI、ESD
EMC、EMI、ESD评审的要点

随着电气电子技术的发展,家用电器产品日益普及和电子化,广播电视、邮电通讯和计算机及其网络的日益发达,电磁环境日益复杂和恶化,使我们逐渐关注设备的工作环境,日益关注电磁环境对电子设备的影响,电气电子产品的电磁干扰(EMI)和电磁兼容性(EMC)的问题越来越受到工程师和生产企业的重视。

在ESD防护中,大体可以分为两大类。

传导性ESD防护

对静电电流在电路中防护主要使用一些保护器件,在敏感器件前端构成保护电路,引导或耗散电流。此类保护器件有:陶瓷电容,压敏电阻,TVS管等。

辐射性ESD防护

对于静电产生的场对敏感电路产生影响,防护方法主要是尽量减少场的产生和能量,通过结构的改善增加防护能力,对敏感线路实施保护。对场的保护通常比较困难,在改良实践中探索出了一种叫做等位体的方法。通过有效地架接,是壳体形成电位相同体,抑制放电。事实证明此种方式有效易于实施。

防护静电的一般方法有许多,包括减少静电的积累;使产品绝缘,防止静电发生;对敏感线路提供支路分流静电电流;对放电区域的电路进行屏蔽;减少环路面积以保护电路免受静电放电产生的磁场的影响。有针对直接放电的,也有针对关联场的耦合。

来源:21ic电子网

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随着技术的发展,各种新型的电子产品设计不断在市场上现身,包括可穿戴设备、虚拟现实(VR)眼镜和无人机等。其中,无人机的应用行业越来越广泛,不仅在玩具市场占到主导地位,在军事应用和民用上也有极大的拓展。为了应对市场的火热,强的续航能力成为提升无人机竞争力的重要因素之一。但由于电池的瓶颈,因此对无人机控制MCU有低功耗、高性能、小型化、安全性高等要求。

作为物联网的领先芯片厂商芯科科技(Silicon Labs)的中国地区代理商,世强科技特别著重在无人机应用及设计领域的布局,并通过Silicon Labs新一代基于节能Gecko技术的EFM32TM Jade Gecko MCU系列产品中具备的最先进的硬件加密引擎、灵活的低功耗模式、丰富的资源外设和可扩展的存储器容量选项等特性,进一步协助无人机开发商优化产品设计。


图说:基于Silicon Labs节能的MCU设计架构,EFM32 Jade Gecko拥有极佳的能源效率。

灵活的功耗模式为无人机提供超长续航能力

EFM32JG MCU有EM0(正常)、EM1(睡眠)、EM2(深度睡眠)、EM3(停止)、EM4(冬眠)、EM5(停机)六种不同的灵活的功耗模式。Jade Gecko功耗模式旨在实现高度的自主运行。MCU智能结合了外围设备、低漏电RAM、数据保持、DMA和互联能力、低功耗振荡器以及极短的唤醒时间,因此长时间在低能耗模式下的运行效果极具吸引力,从而降低了无人机的能耗。

EFM32JG MCU有增强的外设反射系统(PRS),该系统能够让低功耗外设自主运行,同时保持MCU内核处于休眠状态,允许可连接设备更长时间的处于休眠状态,从而延长无人机电池使用寿命。节能的低活动模式(Active-Mode)电流(63μA/MHz)可以更快执行计算密集型任务。而低睡眠模式(Sleep-Mode)电流(1.4μA,最低至30nA)和超快速唤醒/休眠转换特性进一步减少了无人机整体能耗。

JadeGecko MCU还集成了高效率的DC-DC降压型转换器。该片上转换器能够提供总计200mA的电流,除了为MCU供电之外,还可以为无人机的其他系统组件供电。这一电源管理创新技术消除了通常所需的片外DC-DC转换器,减少了物料清单(BOM)成本和电路板面积,非常适合在尺寸和重量非常有限的无人机应用中。

欲了解更多Silicon Labs EFM32 Gecko MCU产品及参考设计信息,请访问:http://cn.silabs.com/products/mcu/32-bit/efm32-jade-gecko/Pages/efm32-ja...

原文链接:http://www.sekorm.com/news/4247.html

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