二极管

二极管(Diode)是一种半导体器件,它具有两个电极(称为阳极和阴极),并且只允许电流在一个方向上通过。二极管是电子电路中的基本元件之一,具有多种应用,包括整流、开关、放大、保护和信号处理等。

利用二极管的单向导电性可以设计出好玩、实用的电路。

分享本文,分析限幅电路和钳位电路,是如何用二极管来实现的。

限幅电路

如下图所示,当在正半周期,并且VIN大于等于0.7V,二极管正向导通。此时,

VOUT会被钳位在0.7V上。

而当VIN小于0.7V时二极管是截止状态,在负半周期时相当于电流反向,二极管也是截至状态,此时VOUT=VIN,VOUT波形跟随VIN变化。

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限辐电路示意图

根据上面限辐电路的原理,可以设计如下双向限辐电路。

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双向限辐电路示意图

然而有时候0.7V电压不能满足要求,那么,怎么产生不同大小的限幅电压?

在电路中加入偏置电压VBIAS,只有当VIN大于等于VBIAS时二极管才能导通。此时VOUT被钳位,其值是0.7V+VBIAS,如下图所示。

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偏压限幅电路示意图

钳位电路

下面是二极管结合电容实现的钳位电路。分析中不考虑二极管的导通压降,假设RC时间常数足够大,从而使输出波形不会失真。

钳位电路原理

当输入Vin在负半周期为负时,电流如下图中红色箭头所示。二极管导通,电容逐渐充电至V,在此过程中Vout=0。

当输入Vin在正半周为正时,电流如蓝色箭头所示。二极管截止,Vout等于电容上电压加上正半周电压V,此时Vout=2V。

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钳位电路原理

偏压钳位电路

跟限幅电路类似的,为了获得所需要的钳位值,要在电路中加入偏置电压,如下图所示。

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偏压钳位电路

当所加的偏压与二极管导通方向一致,钳位值会提高V1,Vout=2V+V1。

双向二极管钳位电路应用举例

在某些电路中会利用两个二极管的钳位作用进行保护,如下图所示,假设0.7V为D1和D2的导通电压。

  • Vin大于等于Vmax,D1导通,Vout会被钳位在Vmax

  • Vin小于等于Vmin时,Vout被钳位在Vmin


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二极管钳位保护电路

来源:电子技术开发者

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围观 14

意法半导体 STPM801是率先市场推出的车规集成热切换的理想二极管控制器,适合汽车功能性安全应用。

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这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时,关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。

这款理想二极管控制电路还提供主电源与备用电池的电源切换 ORing控制器,确保自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)等安全关键设备拥有不间断的电源供给。

内置的热切换控制器驱动第二个外部 N 沟道 MOSFET管,在主电源和备用电池切换期间保护负载。软启动功能以恒定电流对连接栅极的已知容值的电容充电,以此控制第二个 MOSFET管的导通瞬变事件,避免高浪涌电流发生。只要输入电压不在指定阈值内,过压和欠压引脚就会截止输出电压。

STPM801还有保护和监测功能,适合功能安全要求达到ISO 26262 汽车安全完整性等级 (ASIL) D级的系统。这些功能集成在一个 5mm x 5mm VFQFN-32的封装内,节省了 PCB电路板面积,并最大限度地减少外部组件数量。

STPM801的工作电压范围是4V-65V,能够耐受汽车电气危险,25μA静态电流可最大限度地降低车辆关闭时的电池漏电量。目标应用包括区域/车身 ECU、ADAS ECU、高性能计算 ECU、信息娱乐 ECU、冗余供电系统和双电池系统。

STPM801现已投入量产。

详情访问www.st.com/stpm801

关于意法半导体(ST

意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,电源和能源管理更高效,物联网和互联技术应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com

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意法半导体新推出的SMB15F系列1,500 W瞬态电压抑制二极管(采用SMB Flat封装)已经通过认证。与SMC封装相比,SMB Flat封装的体积减少了50%。除了空间方面的改进,价格更有优势,为企业节约了预算。此外,更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事实上,SMB15F系列的泄漏电流比竞争产品大约低五倍。因此,这些1500 W器件已经在5G设备和其他应用中进行了评估。

为什么意法半导体推出两个SMB15F系列 - SMB15FxxA和SMB15FxxAY?

以“A”结尾的零件编号面向工业应用,而以“AY”结尾的则是汽车级产品。硅基元件是相同的,但“AY”型号经过更严格的测试和使用情况跟踪,才能通过AEC-Q101汽车级认证。每个系列目前有26种型号 - 基于设备的最大反向工作电压。例如,SMB15F11AY是我们1,500 W型号的汽车级版本,最大反向工作电压为11V。 每个系列的最大反向工作电压最低为5 V,最高可达64 V。

为什么行业需要采用SMB Flat封装的1,500 W TVS?

意法半导体在2019年对SMB15F器件进行了首件检验,此举极具象征意义,在重要市场也得到了印证。例如,在中国举办的2019年工业峰会上,我们确认对更高功率密度的需求越来越旺盛。机器人应用之前使用的是IGBT驱动器,碳化硅技术正在改变电动汽车。快进到2021年,我们的工业峰会上展出了更多需要高功率保护且采用微型封装的元器件。从无人机到智能楼宇解决方案,再到电动自行车,保护敏感元件不受浪涌电流的影响变得越来越重要。随着产品体积越来越小,同时功耗却越来越高,使用更小、更扁平的封装势在必行。

“SMC封装和SMB
SMC封装和SMB Flat封装在体积方面的差异

SMB15F将取代采用SMC封装的1,500 W TVS吗?

当前的1,500 W器件将继续存在。我们了解到一些公司需要时间来切换到新封装。一旦团队对器件进行了认证并将其用到设计中,自然就要对其进行充分的利用。但是,基于市场现实,我们强烈呼吁采用这种高性价比的SMB Flat封装。因此,我们的目标是帮助团队从SMC封装过渡到SMB Flat封装。例如,许多采用SMC封装的元件在SMB15F系列中都有一个对等的版本,只要体积兼容,就可以帮助工程师继续使用自己熟悉的PCB。

为什么我们必须等到2021年才让采用SMB Flat封装的1,500 W TVS通过认证?

“ST的SMB15F通过AEC-Q101汽车级认证"
ST的SMB15F通过AEC-Q101汽车级认证

从SMC向SMB Flat封装过渡的技术复杂性很容易被忽略,这是因为我们已掌握TVS产品组装线技术30多年,从而能够提供这一现代化高性价比解决方案,并引领行业。

“SMC封装(左)
SMC封装(左) vs SMB Flat封装(右)

SMB15F器件代表着TVS二极管历史的新篇章。ST的SMC系列已有20多年的历史,SMB Flat型号有望取得类似的成功,因为它们不仅降低了成本,还提高了可靠性。与上一代产品一样,SMB15F非常稳健,因此我们可以提供相同晶片的工业级和汽车认证版本(AEC-Q101)。ST还提高了生产能力,以确保希望早日赶上潮流的公司能够安心地采用新产品,并确信他们能够满足客户需求。

SMB15F器件与采用SMC封装的替代产品相比如何?

对于管理人员或经验不足的工程师来说,封装进一步扁平化所带来的优势并不显著。因此,意法半导体编写了应用笔记,以不同的基准进行说明。例如,下图比较了采用SMC封装和SMB Flat封装的类似器件。蓝色曲线显示钳位过程中的电压几乎相同,由于耗散,两者之间只有0.3 V。同样,浪涌电流(粉色曲线)也显示类似的特性。因此,该文件证明,SMB15F器件能够在不牺牲其保护能力的情况下降低成本和减少PCB面积。

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SMC封装(图10)和SMB Flat封装(图11)器件之间的波形对比

微型Flat封装中是否还有其他TVS器件?

意法半导体还提供采用SMA Flat封装和SMB Flat封装的400 W和600 W瞬态电压抑制器。该器件的引脚与上代器件的引脚兼容,而600 W型号可采用SMA Flat和SMB Flat封装,这有助于一些公司从传统的SMB器件过渡到SMA Flat封装。实际上,SMB Flat封装提供了一个中间步骤。在很多情况下,尽管制造商已拥有与更薄器件兼容的取放机器,但工程师往往会忽略这些组件,而将精力集中在设计的其他方面。对于封装进一步扁平化的1,500 W TVS二极管,通过提升其可及性,设计人员可以过渡到更具成本效益的解决方案,同时关注到PCB的其他部分。

来源:意法半导体中国
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作者:Stanley Dai

高效化和小型化,一直都是功率电源发展的两个方向。同步BUCK在这两个方面的卓越表现,也是在越来越多的场合得到了运用,像锂电池充电、二次砖块电源等等。如图1所示,同步BUCK相较传统BUCK最主要的区别是用MOSFET器件代替了传统的续流二极管,而MOSFET更低的导通损耗也为整个电源系统带来了更高的效率。但是在电池充电和其他大容性负载的场合,拥有更高效率的同步BUCK在电路软起动阶段,会遇到比较大的挑战。甚至在某些恶劣情况下,过大的反向电感电流会导致电感饱和或者下管MOSFET被击穿的风险。

“图1
图1 异步BUCK和同步BUCK示意图

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图2 同步BUCK软起动阶段反向电感电流示意图

原因是同步BUCK在软起阶段,如果输出端是带电池或者其他大容性负载情况,重启时输出端极易残余一定的电压。而同步BUCK在软起动阶段,其上管驱动信号占空比会从小到大逐周期释放。这就造成每个周期电感电流上升值无法弥补由于残余电压造成的反向电感电流跌路值。再加上同步BUCK天然支持FCCM模式,电感电流会反向不断增大,以至于无法遏制。如图2所示,在这种情况下,过大的反向电感电流会导致电感饱和或者下管过流损坏,对电路造成不可逆的伤害。

为了解决这个问题,最直接有效的方法是在同步BUCK软启动阶段引入二极管仿真模式,让下管MOSFET驱动强制拉低,只让其寄生的反并联二极管参与工作。TI在工业界应用极其广泛的同步BUCK控制器LM5116,就自带这个功能。下图3表明了LM5116内部实现该功能的逻辑图,在LM5116软起动阶段,其通过比较SW和DEMB点电压判断电感电流是否为负值。若电感电流为负值,内置的比较器会主动拉低下管MOSFET驱动信号,以强制同步BUCK进入二极管仿真模式,以保护电路不被过大的负电感电流损坏。这个特性,也让LM5116在市场上广受欢迎。

“图3
图3 LM5116内部框图和二级管仿真模式实现图

当然,除了上述LM5116自带的集成功能之外,本文也在下面介绍了怎么用分立的方案更灵活地在其他同步BUCK设计中搭建二极管仿真模式以保护下管MOSFET。以半桥驱动LM5102为例,见图4。

“图4
图4 基于LM5102/TLV6742/LM2903搭建的分立二极管仿真模式实现方案

TI的半桥驱动器LM5102,以其死区时间可控,双入双出的架构优点,倍受电源设计市场的喜爱。在图4中,利用TLV6742运放搭建下管低边电流信号同向放大电路。当电感电流为一定负值时,超过设定的阈值,会触发比较器LM2903输出电平跳变为高,从而输出关断信号。该关断信号连接到LM5102下管PWM信号输入端的制动MOSFET驱动极,从而拉低LM5102下管输入端信号,以强制让同步BUCK进入二极管仿真模式。

来源:TI
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”,非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2(无人搬运车)和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。

“ROHM开发出高输出功率半导体激光二极管"

近年来,在扫地机器人、AGV和自动驾驶汽车等需要自动化工作的广泛应用中,可以准确测量距离和识别空间的LiDAR日益普及。在这种背景下,为了“更远”、“更准确”以及“更低功耗”地检测到信息,对提高作为光源的激光二极管的性能提出了更高要求。

ROHM已经拥有实现了更窄的激光线宽的自有专利技术,有助于LiDAR支持更远的距离并实现更高的精度。25W高输出功率激光二极管“RLD90QZW5”从2019年开始量产,在以消费电子设备领域为主的应用中越来越多地被采用。此次,为了将应用扩展到市场日益增长的工业设备领域,ROHM开发出75W高输出功率的激光二极管“RLD90QZW3”。

“RLD90QZW3”是一款红外75W高输出功率激光二极管,针对利用3D ToF系统*3进行测距和空间识别的LiDAR而开发。利用ROHM自有的元器件开发技术,在业界同等输出功率激光二极管中实现了225µm的超窄线宽。与线宽290µm的普通产品相比,线宽缩窄22%,实现了高光束性能。同时,通过使发光强度更均匀,并利用激光波长较低的温度依存性,可稳定发挥高性能,因此有助于LiDAR在各种环境下实现长距离应用和更高精度。此外,与窄线宽存在此消彼长关系的光电转换效率,也达到了与普通产品同等的21%(正向电流24A、75W输出时),因此在采用本产品时无需担心功耗会增加。

除此之外,为支持新产品快速引入市场,在ROHM官网上还免费提供评估和导入新产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路仿真和光学仿真用的模型等。

新产品于2021年6月开始出售样品(样品价格6,000日元/个:不含税),计划于2021年10月开始暂以月产20万个的规模投入量产。新产品在电商平台Ameya360和Sekorm上也已开售。

目前,ROHM正在开发具有120W高输出功率和车载级(符合AEC-Q102标准)激光二极管产品。未来,ROHM将继续为包括汽车领域在内的安全、便捷的LiDAR应用产品的开发贡献力量。

“ROHM开发出高输出功率半导体激光二极管"
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新产品特点

1、实现225µm业界超窄线宽,有助于支持长距离应用并实现更高精度

新产品“RLD90QZW3”利用ROHM激光二极管元器件开发相关的专利技术,作为LiDAR用的75W高输出功率激光二极管,实现了225μm的业界超窄线宽。通过高密度发光实现了高光束性能。此外,除了在整个线宽范围成功地使发光强度更均匀外,激光波长的温度依存性低至0.15nm/℃,不易受温度变化的影响,因此可稳定地发挥其性能。

与同等输出功率、线宽290µm、温度依存性0.25nm/℃的普通产品相比,线宽缩窄22%,激光波长的温度依存性也可降低40%,因此可支持LiDAR的长距离应用;而在测量距离相等的情况下,有助于实现更高精度。

“ROHM开发出高输出功率半导体激光二极管"
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2、具有出色的光电转换效率(PCE),采用本产品时无需担心功耗增加

新产品采用专利技术,在同等输出功率的产品中,不仅实现了业界超窄的线宽,而且,在与线宽存在此消彼长关系的光电转换效率方面,也实现了与普通产品同等的21%的效率(正向电流24A、75W输出时)。因此,在采用时无需担心功耗增加。

3、提供丰富的文档和设计数据,大力支持市场引入

为了加快本系列产品的市场引入,在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南、电路板开发用的数据和仿真用的模型(SPICE模型、Ray数据)等。

如欲了解更多信息,请访问RLD90QZW3产品页面

LiDAR用高输出功率激光二极管产品阵容

“ROHM开发出高输出功率半导体激光二极管"
(点击图片查看详情)

ROHM在传感器光源领域的行动

一直以来,ROHM致力于开发并供应包括LED在内的FP激光二极管和VCSEL*4产品,最近此类产品在扫地机器人和监控摄像头等领域的ToF传感器光源等应用中日益普及。

同时,利用在推出各种产品过程中积累的光学元器件的开发经验和技术,持续推进旨在更大程度地发挥出元器件的性能并进一步提高输出功率的研发。

ROHM还通过元器件的开发及其在模块中的应用,开发出众多各具优势的传感器光源产品,为提高距离测量和空间识别系统的精度做出了贡献。

“ROHM开发出高输出功率半导体激光二极管"
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来源:罗姆半导体集团
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围观 11

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,电路中常把它用在整流、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本 保持不变。而整流二极管反向击穿后就损坏了.这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动, 或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

整流二极管和稳压二极管都是PN半导体器件.所不同的是整流二极管用的是单向导电性.稳压二极管是利用了其反向特性.在电路中反向联接。


开关二极管:

开关二极管开关速度高,即应用频率高。开关二极管高频性能良好,主要用于开关电路作为电子开关使用。

开关二极管高频性能良好,主要用于开关电路作为电子开关使用,而整流管一般高频性能不是很好(开关电源中的整流管高频性能也很好),主要用于对工频电流整流。它通常工作于高电压大电流状态。

开关二极管是半导体二极管的一种,是为在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。

稳压二极管:

此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器件或电压基准元件使用。

稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。

稳压二极管要工作有两个条件:

1、反向加在稳压二极管上的电压要大于稳压管的稳压值。

2、通过稳压管的电流要达到其工作条件(也就是反向电流要足够大,一般至少是几个mA)。你按我说的搭电路,假定是6.2V稳压管,电源正极(9V)——电阻(R)——稳压管负极——稳压管正极——电源负极。这个电阻要根据稳压管的参数计算过,假定稳压的时候,电流是5mA,则电阻的大小=(9-6.2)/5mA=1.4K左右,你用一个1K的电阻就可以了。然后你再用万用表去测稳压管负极与地的电压,基本上就在6.2V附近,也就是稳压了。

整流二极管:

1、整流二极管用在工频大电流领域。整流管一般高频性能不是很好(开关电源中的整流管高频性能也很好),主要用于对工频电流整流。它通常工作于高电压大电流状态。整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件

2、整流二极管的工作频率低,有电压和电流的要求指标。二极管的基本特性是单向导电性。整流二极管的工作频率低,有电压和电流的要求指标。而普通二极管有许多种类,有的可用作为整流,有的可用作为检波、限幅、开关等,但不一定都能用作为整流。不过,只要在电压和电流上满足整流的要求,一般的二极管都可以作为整流管;但是整流管却不一定能够胜任检波、开关等工作。

3、单向导通电流,当二极管二端加正向电压时,二极管导通;当二极管二端加反向电压时二极管截止。可用于整流等电路中。

来源:畅学电子,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。

围观 192

兼容AOI;出色的RF性能

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装,带有可湿锡焊接侧焊盘,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准,同时提供行业领先的ESD和RF性能,节省了PCB空间。

Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少80%。尽管如此,由于包含散热器和导热垫片的内部引线框架更大,该封装中组装的产品具有改进的热特性。

PESD2CANFDx二极管还具有稳健的ESD保护,可提供出色的系统级保护性能。这是因为部件钳位电压极低,IPP = 1 A时仅为33 V,动态电阻低至0.7 Ω。Nexperia ESD保护器件还提供非常优秀的RF开关参数,300 MHz时的混合模式插入损耗仅为+20 dB,实现了出色的信号完整性。

Nexperia产品经理Lukas Droemer评论道:“CAN-FD是汽车车载网络中的重要总线,但器件需要保护以免遭ESD损害。汽车应用的另一个基本要求是能够使用AOI。我们的无引脚封装新器件同时满足上面两个要求,可作为有引脚SMD封装的高性能替代方案。PESD2CANFDx系列满足所有CAN (FD)规格要求,甚至高出AEC-Q101要求两倍。”

目前,适用于汽车和工业应用(包括CAN/CAN-FD、FlexRay、SENT和LVDS)的DFN1412D-3和DFN1110D-3封装提供20款器件。更多详细信息,请见https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/getting-esd-prote....

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

围观 5

作者:Frederik Dostal - ADI公司

在负载点(POL)降压转换器领域,同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比,此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高,因为与采用无源二极管的情况相比,低端开关承载电流时的压降更低。

但是,与异步开关稳压器相比,同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通,即使时间很短,也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此,出于安全考虑,需要在一定时间内保持两个开关都断开。这个时间称为开关稳压器的死区时间。但是,从开关节点到输出电压连接了一个载流电感(L1)。通过电感的电流永远不会发生瞬间变化。电流会连续增加和减少,但它永远不会跳变。因此,在死区时间内会产生问题。所有电流路径在开关节点侧中断。采用图1所示的理想开关,在死区时间内会在开关节点处产生负无穷大的电压。在实际开关中,电压负值将变得越来越大,直到两个开关中的一个被击穿并允许电流通过。

图1.用于降压转换、采用理想开关的同步开关稳压器。

大多数开关稳压器使用N沟道MOSFET作为有源开关。这些开关针对上述情况具有非常有优势的特性。除了具有本身的开关功能外,MOSFET还具有所谓的体二极管。半导体的源极和漏极之间存在一个P-N结。在图2中,插入了具有相应P-N结的MOSFET。由此,即使在死区时间内,开关节点的电压也不会下降到负无穷大,而是通过低端MOSFET中的P-N结(如红色所示)承载电流,直到死区时间结束并且低端MOSFET导通为止。

图2.用于降压转换的同步开关稳压器,采用N沟道MOSFET和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

图2.用于降压转换的同步开关稳压器,采用N沟道MOSFET和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

相应MOSFET中的体二极管有一个主要缺点。由于反向恢复现象,其开关速度非常低。在反向恢复时间内,电感(L1)导致开关节点处的电压下降到比地电压低几伏。开关节点处的这些陡峭的负电压峰值会导致干扰,此干扰会被容性耦合到其他电路段。通过插入额外的肖特基二极管可以最大限度地减少这种干扰,如图2所示。与低端MOSFET中的体二极管不同,它不会产生反向恢复时间,并且在死区时间开始时能非常快速地吸收电流。这可减缓开关节点处的电压陡降。可减少由于耦合效应而产生并分布到电路上的干扰。

肖特基二极管可以设计得非常紧凑,因为它仅在死区时间内短时间承载电流。因此,其温升不会过高,可以放置在小尺寸、低成本的产品外壳中。

作者简介

Frederik Dostal曾就读于德国埃尔兰根-纽伦堡大学微电子学专业。他于2001年开始工作,涉足电源管理业务,曾担任多种应用工程师职位,并在亚利桑那州凤凰城工作了四年,负责开关模式电源。Frederik于2009年加入ADI公司,担任欧洲分公司的电源管理技术专家。联系方式:frederik.dostal@analog.com

围观 24

新产品通过汽车电子委员会(AEC)-Q101认证,旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性

汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。

Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说,可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。

Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“作为汽车行业的长期供应商,Microchip持续拓展车用电源解决方案,引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案,帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC),同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。”

Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅(SiC)技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂,可通过灵活的制造方案提供高质量器件,帮助最大限度地降低供应链风险。

经过Microchip内部以及第三方测试,关键可靠性指标已经证明,与其他厂商生产的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持稳定,有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明,Microchip 的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)在非箝位电感开关(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高温下电流泄漏水平最低,从而可以延长系统寿命,实现更可靠的运行。

Microchip 的 SiC 汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合,为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛产品组合。此外,Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。

开发工具

Microchip 通过 AEC-Q101 认证的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB® Mindi™ 模拟仿真器。同时还提供Microchip SBD(1200V, 50A)作为功率级的一部分的PLECS参考设计模型,即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。

供货与定价

Microchip车用的700和1200V SiC SBD器件(也可作为功率模块的裸片)已经通过AEC-Q101认证,现已开始接受批量订单。如需了解更多信息,请联系Microchip销售代表、全球授权经销商或访问Microchip网站。

资源

可通过Flickr或联系编辑获取高分辨率图片(可免费发布):
应用图:
https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/50465919293
产品图:https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/50466787887

Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com

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