1、8bit MCU 通用I/O 结构图

端口模块如下图（79系列图）：

2、相关设置寄存器及注意事项：

端口控制寄存器

PxCR寄存器控制I/O输入输出状态设置。

当寄存器设置成输入模式时，Px寄存器读取的是端口电平状态。

当寄存器设置成输出模式时，Px寄存器读取的是数据寄存器的值。

如有未使用到的I/O，需要设置输出固定电平以免I/O浮动电平带来的漏电流。

端口上拉电阻控制寄存器

端口数据寄存器

79系列单片机 Px 寄存器都在位寻址区（例如：80H,88H等），都可以进行位寻址操作。

在初始化设施PxCR（输出状态）前，请优先设置Px寄存器，避免WDT,,OVL等复位带来的端口电平变化。

当PxCR寄存器设置成输入状态时，操作读取对应Px，是读取对应引脚电平状态。

当PxCR寄存器设置成输出状态时，根据指令来分别对应 读取的是寄存器还是引脚电平。

端口寄存器读-改-写指令举例：

ANL P0, #立即数 ; P0->立即数&（与）P0->P0

ORL P0, A ; P0->A|（或）P0->P0

INC P0 ; P0->P0+1->P0

CPL P0.0 ; P0.0->P0.0~(取反)->P0.0

引脚电平读取指令举例：

MOV A,P0 ; P0->A

MOV R0, P0 ; P0->R0

不管端口是否共享为其它功能，对端口写操作都是针对端口数据寄存器。

当第二功能有冲突时，按照端口共享表格中的优先级来决定输出功能。

通常I/O的优先级是低于其他功能的。

以下图为例，当P0.6引脚上BUZ功能和LED功能同时选中时，引脚输出LED波形。

当允许端口复用为其它功能时，用户可以修改PxCR﹑PxPCR，但在复用的其它功能被禁止前，这些操作不会影响端口状态。

当允许端口复用为其它功能时，任何对端口的读写操作只会影响到数据寄存器的值，端口引脚值保持不变，直到复用的其它功能关闭。

3、 I/O开漏模式介绍：

在I/O章节有选择N沟道开漏功能的寄存器时，可以实现I/O的N沟道开漏功能(注意上图红线处，IO管脚的电压不得超过VDD+0.3V电压)

如果I/O章节没有该选项的寄存器，但是又有TWI通讯功能，那么在TWI功能开启时，引脚自动切换成N沟道开沟。关闭TWI功能，自动切换回普通I/O。

芯片的电源输入端建议加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压引入导致的电路损坏。

4、施密特及TTL功能介绍：

施密特功能介绍：

施密特输入特性是输入高电平阈值为0.8VDD，输入低电平阈值为0.2VDD。

VDD=5V举例，输入高电平>=4V，端口读取的电平为高，输入低电平<=1V，端口读取的电平为低。相对应的引脚是否具有施密特功能，请查询电气特性章节（输入高电压2和输入低电压2中注明有施密特功能的引脚，例如INT0-4,T3-T5等）。普通I/O不具有施密特功能。

TTL功能介绍：

TTL电平输入特性是

1） 输入高电平阈值为0.25VDD+0.8，输入低电平阈值为0.15VDD（VDD=2.7V~4.5V）

以VDD=3.3V举例，输入高电平>=1.625V，端口读取的电平为高，输入低电平<=0.495V，端口读取的电平为低。

2）输入高电平阈值为2.0V，输入低电平阈值为0.8V（VDD=4.5V~5.5V）

以VDD=5 V举例，输入高电平>=2V，端口读取的电平为高，输入低电平<=0.8V，端口读取的电平为低。

选择TTL电平功能可与VDD电压为3.3V的WIFI模块直接通过以Uart或者TWI的方式通讯，又或者直接接收外部中断信号（INT0-4），不需要外加电平转换电路。（芯片是否有TTL功能请查询I/O章节及电气特性章节）

端口输入模式选择寄存器如下(TTL和CMOS选择)

*：CPU在任何情况下，读取端口数据寄存器（P0，P1……），其输入高电平阈值为0.7VDD，输入低电平阈值为0.3VDD（CMOS逻辑，无施密特）；该控制位控制的是其他功能输入的逻辑电平状态，例如：INT0 - 4，RXD，SDA等数字电平输入。

注意：TTL电平特性，详情请见规格书电气特性章节。

中颖很多8位MCU产品支持外部32.768kHz晶振，用作系统低频时钟和RTC时钟。有几个常用的控制寄存和代码选项与32.768kHz晶振电路相关，下文以SH86F7088举例逐一说明。

1、32K_SPDUP

32K_SPDUP是32.768kHz晶振加速模式控制位，位于时钟控制寄存器（CLKCON）的最高位，上电默认是使能状态。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。

此寄存器位在系统发生任何形式的复位，如上电复位、看门狗复位等时，自动由硬件置1（使能），用以加速32.768kHz振荡器起振，缩短起振时间。

如果有需要，本位也可以由软件置1（使能）或者清0（关闭）。比如进入掉电模式前，可以将此位置1，掉电模式唤醒后再由软件清0。

使能此位后，会增加一点系统功耗。在低功耗应用中，可以关闭32.768kHz加速模式（此位清0）以节省系统耗电。

2、OP_32KDRIVE

OP_32KDRIVE是用户代码选项，用于使能晶振电路的强驱模式。在此模式下，晶振电路的抗湿度能力会显著增强，但功耗也会相应增加。此代码选项的初始默认设置是普通模式。

为了方便程序控制强驱模式，IC还设计了一个寄存器控制位（32K_DRIVE），功能同此代码选项相同。

备注：

(1) 使能强驱模式时，晶振匹配电容不能小于15pF；

(2)一旦使能强驱模式，即使没有使用外部32K晶振，增加的功耗也会持续存在。

3、32K_DRIVE

32K_DRIVE是32.768kHz晶振强驱模式的寄存器控制位，位于时钟控制寄存器（CLKCON）的bit 1，复位初始值由代码选项OP_32KDRIVE给出。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。

寄存器控制位32K_DRIVE和代码选项OP_32KDRIVE的功能相同，都是强驱模式控制位，但是它们的有效范围有一些区别：

(1) IC复位后，OP_32KDRIVE有效，强驱模式受代码选项控制，此时32K_DRIVE的初始值同OP_32KDRIVE的值。

(2) 用户用程序修改32K_DRIVE的值后，32K_DRIVE生效，强驱模式受寄存器位控制。此时OP_32KDRIVE无效，直到发生系统复位后才再次生效。

4、OP_32KLCAP

OP_32KLCAP是用户代码选项，用于配置芯片内建的32.768kHz晶振匹配电容，初始默认设置是选择12pF内建电容。

内建匹配电容用于替代片外匹配电容，可以精简BOM。如果要使用片外匹配电容，需要用此代码选项关闭内建匹配电容。内建匹配电容有7档可选，容值范围8~25pF，容值最大偏差±15%。

为了方便程序选择内建电容值，IC还设计了寄存器控制位（LCAP[2:0]），功能同此代码选项相同。

5、 LCAP[2:0]

LCAP[2:0]是寄存器控制位，也是用来配置芯片内建的32.768kHz晶振匹配电容。位于内建电容选择寄存器（OSCLCAPS）的bit[2:0]，复位初始值由代码选项OP_32KLCAP给出。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。

寄存器控制位LCAP[2:0]和代码选项OP_32KLCAP的功能相同，都是配置内建匹配电容，但是它们的有效范围有一些区别：

(1) IC复位后，OP_32KLCAP有效，内建匹配电容受代码选项控制，此时LCAP[2:0]的初始值同OP_32KLCAP的值。

(2) 用户用程序修改LCAP[2:0]的值后，LCAP[2:0]生效，内建匹配电容受寄存器位控制。此时OP_32KLCAP无效，直到发生系统复位后才再次生效。