利用Microchip的业内功耗最低的片上LoRa®系统加速远程物联网节点的开发
SAM R34/35器件具有行业领先的低功耗性能，在延长系统电池寿命的同时实现远距离无线连接
USB接口电磁兼容（EMC）解决方案
USB接口具有传输速度快，支持热插拔以及连接多个设备的特点，目前已经在各类计算机、消费类产品中广泛应用。
一、 usb接口面临电磁兼容问题
意法半导体全新STM32L0超值系列MCU，让市场领先的超低功耗MCU产品家族更具亲和力
意法半导体全新STM32L0x0超值系列微控制器(MCU)为STM32L0*系列再添一价格亲民的入门级产品，为饱受成本、尺寸或功率限制的设计人员带来超低功耗技术和高效的32位性能以及Arm®Cortex®-M0 +内核。
意法半导体推出变模MEMS工业级加速度计，兼备高测量分辨率与超低功耗
意法半导体推出IIS2DLPC 3轴MEMS加速度计，可以在超低功耗和高分辨率之间动态改变工作模式，在有限的功耗预算内实现高精度测量。该传感器可连续执行上下文感知功能，在受命令时唤醒主机系统，并进行高精度测量，然后返回到超低功耗模式。
Vishay宣布将支持在任何类型的消费电子设备中增加心率监测功能
2018年慕尼黑电子展将展示具备这种功能的原型健身手表
【下载】如何在Cortex® M7 MCU中使用差分ADC
差分ADC用于测量两个输入之间的电压。在差分ADC系统中，两条线携带所需信号，这两个信号的相位彼此相差180度且并行运行。因此，两条线上会产生等量的噪声。当信号施加到差分ADC的 A(+) 和 A(-) 输入时，所需信号之间的电压差会增大，因为所需信号的相位彼此相差180度。差分ADC会抑制共模噪声等同相信号。这有助于提高信噪比。
关于静电放电保护，这篇文章不可错过！
先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。
电路板电镀中，有4种特殊的电镀方法
本文主要介绍的是电路板焊接中的4中特殊电镀方法。
第一种，指排式电镀
常常需要将稀有金属镀在板边连接器、板边突出接点或金手指上以提供较低的接触电阻和较高的耐磨性，该技术称为指排式电镀或突出部分电镀。常将金镀在内层镀层为镍的板边连接器突出触头上，金手指或板边突出部分采用手工或自动电镀技术，目前接触插头或金手指上的镀金已被镀姥、镀铅、镀钮所代替。其工艺如下所述:
1)剥除涂层去除突出触点上的锡或锡-铅涂层
2) 清洗水漂洗
3) 擦洗用研磨剂擦洗
4) 活化漫没在10% 的硫酸中
5) 在突出触头上镀镍厚度为4 -5μm
6) 清洗去除矿物质水
7) 金渗透溶液处理
8) 镀金
9) 清洗
10) 烘干
第二种，通孔电镀
Maxim发布最新数字输入IC，尺寸减小50%、功耗降低60%、速率提高6倍
扩展数字IO应对工业4.0挑战
必知的电源技巧：小小的疏忽就能毁掉EMI性能
从开关节点到输入引线的少量寄生电容(100毫微微法拉)会让您无法满足电磁干扰(EMI)需求。那100fF电容器是什么样子的呢？在Digi-Key中，这种电容器不多。即使有，它们也会因寄生问题而提供宽泛的容差。
不过，在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。
图1是这些非计划中电容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入连接从左侧进入，到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点，在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。
注意，漏极连接与输入引线之间有一些由输入电容器提供的屏蔽。该电容器的外壳连接至主接地，可为共模电流提供返回主接地的路径。如图2所示，这个微小的电容会导致电源EMI签名超出规范要求。