ARM微处理器支持加载/存储指令用于在寄存器和存储器之间传送数据，加载指令用于将存储器中的数据传送到寄存器，存储 指令则完成相反的操作。
常用的加载存储指令如下：
1、LDR指令
LDR指令的格式为：
LDR{条件} 目的寄存器，<存储器地址>
LDR指令用于从存储器中将一个32位的字数据传送到目的寄存器中。该指令通常用于从存储器中读取32位的字数据到通用寄存器，然后对数据进行处理。当程序计数器PC作为 目的寄存器时，指令从存储器中读取的字数据被当作目的地址，从而可以实现程序流程的跳转。该指令在程序设计 中比较常用，且寻址方式灵活多样，请读者认真掌握。
指令示例：
LDR R0，[R1] ；将存储器地址为R1的字数据读入寄存器R0。
LDR R0，[R1，R2] ；将存储器地址为R1+R2的字数据读入寄存器R0。
4月2日，Holtek小封装Flash MCU系列继HT68F001后，新增HT68F0012成员，最大差异在系统频率由32kHz提高到512kHz，可提供需较快工作频率的产品应用，例如：简单的数据通讯，非常适用于需要准确计时或简单控制的产品应用。
本视频为Embedded World 2018展会现场关于“低功耗WFM200 Wi-Fi模块演示”的现场视频。
在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。
①、HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz。
②、HSE是高速外部时钟，可接石英/陶瓷谐振器，或者接外部时钟源，频率范围为4MHz~16MHz。
③、LSI是低速内部时钟，RC振荡器，频率为40kHz。
④、LSE是低速外部时钟，接频率为32.768kHz的石英晶体。
⑤、PLL为锁相环倍频输出，其时钟输入源可选择为HSI/2、HSE或者HSE/2。倍频可选择为2~16倍，
但是其输出频率最大不得超过72MHz。
其中FCLK，HCLK，PCLK都称为系统时钟，但区别如下：
FCLK，提供给CPU内核的时钟信号，CPU的主频就是指这个信号；
HCLK，提供给高速总线AHB的时钟信号；
PCLK，提供给低速总线APB的时钟信号；
一. TIMER分类：
STM32中一共有11个定时器，其中TIM6、TIM7是基本定时器；TIM2、TIM3、TIM4、TIM5是通用定时器；TIM1和TIM8是高级定时器，以及2个看门狗定时器和1个系统嘀嗒定时器。其中系统嘀嗒定时器是前文中所描述的SysTick。
常碰到很多客户讨论钽电容爆炸问题，特别在开关电源、LED电源等行业，钽电容烧毁或爆炸是令研发技术人员最头痛的，让他们百思不得其解。正因为钽电容失效模式的危险性，让很多研发技术人员都不敢再使用钽电容了，其实如果我们能够全面的了解钽电容的特性，找到钽电容失效（表现形式为烧毁或爆炸）的原因，钽电容并没有那么可怕。毕竟钽电容的好处是显而易见的。
对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。下面给出对AVR熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。
(1)在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程(Programmed)和未编程(Unprogrammed)定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”(禁止);“Programmed”表示熔丝状态为“0”(允许)。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。
(2)在使用通过选择打钩“&raDIC;”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“&radIC;”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。
(3)使用CVAVR中的编程下载程序时应特别注意，由于CVAVR编程下载界面初始打开时，大部分熔丝位的初始状态定义为“1”，因此不要使用其编程菜单选项中的“All”选项。此时的“All”选项会以熔丝位的初始状态定义来配置芯片的熔丝位，而实际上其往往并不是用户所需要的配置结果。如果要使用“All”选项，应先使用“Read->Fuse Bits”读取芯片中熔丝位实际状态后，再使用“All” 选项。
排阻的阻值读取
硬件抽象层（Hardware Abstraction Layer，HAL）为更高层（例如：应用程序框架和客户应用程序等等）提供基于API函数的服务，允许更高层独立于实际的硬件细节执行面向硬件的操作。本文档提供了硬件抽象层及其架构、元素和使用模型的详细说明。
电子设备在汽车中的广泛应用被认为是汽车技术发展进程中的一次革命。随着汽车电子技术的发展和汽车控制单元的增加，汽车电子技术正朝着集中化、智能化、网络化和模块化方向发展。车内CAN/LIN总线网络的使用使得车内各个控制单元的数据可以共享，从而使在汽车嵌入式计算平台上采用多变量多目标的综合协调控制成为可能。