东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出“TCB702FNG”，该产品为其4声道高效率线性功放产品阵容中的最新产品，可有效满足当前市场的高效率要求。样品发货即日启动，批量生产计划于2019年第一季度开始。

电容模型

MOS管损耗的8个组成部分

在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。

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近年来，在IoT和可穿戴等领域，市场对所用的电子设备小型化、长时间运转的要求越来越高，相应的，构成电子设备的电子元器件也被要求更加小型化和省电。尤其是谐振器，在众多的电子元器件中，低功耗谐振器的需求更急切，以期持续恒定工作，使设备能正常发挥功能。

一个单片机硬件系统的硬件电路设计包含两部分内容：
一是系统扩展，即单片机内部的功能单元，如ROM、RAM、I/O、定时器/计数器、中断系统等不能满足应用系统的要求时，必须在片外进行扩展，选择适当的芯片，设计相应的电路。
二是系统的配置，即按照系统功能要求配置外围设备，如键盘、显示器、打印机、A/D、D/A转换器等，要设计合适的接口电路。

带高速 PLL 的振荡器模块包括以下特性：
• 主和从内核子系统
• 主和从内核之间共享的内部和外部振荡器源
• 主和从内核独立片上锁相环 （Phase-Locked Loop， PLL），可基于所选的内部和外部振荡器源提升内部工作频率

已知良好的解决方案可保护灵敏的PHY芯片免因ESD和雷击导致的浪涌现象损坏

片上大容量FIFO存储器和速率更快的串行接口让传感器高效工作，延长系统睡眠时间

TI 新品可支持高达10kW的应用，借2000万小时的器件可靠性测试，带集成驱动和保护功能的高压GaN FET在工业和电信应用中将功率密度提高了一倍