PWM 和PFM
• PWM 和PFM 是两大类DC-DC 转换器架构
• 每种类型的性能特征是不一样的
• 重负载和轻负载时的效率
• 负载调节
• 设计复杂性
• EMI / 噪声考虑
做电源设计的应该都知道PWM 和PFM 这两个概念
单片机的硬件抗干扰技术解析
单片机系统硬件抗干扰常用方法实践影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰，并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这些都构成单片机系统的干扰因素，常会导致单片机系统运行失常，轻则影响产品质量和产量，重则会导致事故，造成重大经济损失。
形成干扰的基本要素有三个：
【下载】如何使用PIC32MX/PIC32MZ/PIC32MM 器件上的DMA CRC生成器
循环冗余校验(Cyclic Redundancy,Check,CRC)是一种稳健的错误校验算法，用于在处理数据之前确保数据的完整性。CRC值(校验和)与报文或特定数据块相关联。无论是用于通信的数据包还是存储器中存储的数据块，都可以在处理之前利用CRC帮助进行验证。
RTC时钟偶发性延时或超时该怎么办？
在非常温的工作环境下，RTC时钟出现偶发性的延时或者超时现象。成熟的RTC电路设计看似简单，但如何保证RTC时钟的精确度？在出现偶发性异常现象时，如何快速定位和解决问题？本文将分享一个案例。
案例情况
单片机开发中应掌握的基本技巧
在单片机应用开发中，代码的使用效率问题、单片机抗干扰性和可靠性等问题仍困扰着工程师。为帮助工程师解决单片机设计上的难题，现根据论坛中的讨论归纳出单片机开发中应掌握的几个基本技巧。
一、如何提高C语言编程代码的效率
邓宏杰指出，用C语言进行单片机程序设计是单片机开发与应用的必然趋势。“如果使用C编程时，要达到最高的效率，最好熟悉所使用的C编译器。先试验一下每条C语言编译以后对应的汇编语言的语句行数，这样就可以很明确的知道效率。在今后编程的时候，使用编译效率最高的语句。”21ic基础知识
他指出，各家的C编译器都会有一定的差异，故编译效率也会有所不同，优秀的嵌入式系统C编译器代码长度和执行时间仅比以汇编语言编写的同样功能程度长5-20%。“对于复杂而开发时间紧的项目时，可以采用C语言，但前提是要求你对该MCU系统的C语言和C编译器非常熟悉，特别要注意该C编译系统所能支持的数据类型和算法。
虽然C语言是最普遍的一种高级语言，但由于不同的MCU厂家其C语言编译系统是有所差别的，特别是在一些特殊功能模块的操作上。所以如果对这些特性不了解，那么调试起来问题就会很多，反而导致执行效率低于汇编语言。”
二、如何减少程序中的bug？
功率MOS管的五种损坏模式详解
第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
瑞萨电子推出32位RX66T 系列MCU，优化工业、家电和机器人设备的电机控制
首批采用第三代RXv3 CPU内核的MCU能够显著提升性能，为带有嵌入式AI的电机控制应用带来更强的系统集成和卓越的电机故障预测功能
Vishay 推出新款汽车级EMI抑制薄膜电容器
汽车级器件在温度85 °C，相对湿度85 %，额定电压条件下经过500小时耐久性THB测试证明恶劣条件下具有极长使用寿命
单片机晶振的负载电容常见问题分析
单片机晶振旁边两个对地电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。
PCB中常见错误大全！
原理图常见错误
1）ERC报告管脚没有接入信号：
a. 创建封装时给管脚定义了I/O属性；
b. 创建元件或放置元件时修改了不一致的grid属性，管脚与线没有连上；
c. 创建元件时pin方向反向，必须非pin name端连线；
d. 而最常见的原因，是没有建立工程文件，这是初学者最容易犯的错误。
2）元件跑到图纸界外：没有在元件库图表纸中心创建元件。
3）创建的工程文件网络表只能部分调入pcb：生成netlist时没有选择为global。
4）当使用自己创建的多部分组成的元件时，千万不要使用annotate.
PCB中常见错误
1）网络载入时报告NODE没有找到：
a. 原理图中的元件使用了pcb库中没有的封装；
b. 原理图中的元件使用了pcb库中名称不一致的封装；
c. 原理图中的元件使用了pcb库中pin number不一致的封装。如三极管：sch中pin number 为e,b,c, 而pcb中为1，2，3。