单片机C语言编程中，定时器的初值对于初学者真的是比较不好计算，因此我总结了以下几种方法。

第1种方法：

#define FOSC 11059200L //晶振的频率
#define TIMS (65536-FOSC/12/1000) //12T mode 对于8051系列单片机通用
//#define TIMS (65536-FOSC/1000) //1T mode STC单片机可以用这个
unsigned int timer0_tick;
int timer0_count;
void Timer0(void) interrupt 1 using 1 //定时器0中断外理
{
TL0=TIMS;
TH0=TIMS>>8;
if(timer0_tick--==0) //加到1000次即1秒
{
timer0_tick=1000;
LED_Timer=~LED_Timer;
}
}

初值的赋值采用的是移位运算：
TL0=TIMS;
TH0=TIMS>>8;

区别：

1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。

2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。

3.MOS管的温度特性要比三极管好。

MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，需要几级推动电路，将控制电流逐步加大，也就是多级放大，常见的方式是达林顿电路，这样在设计电路时就很繁琐了，调试也费劲。

三极管（BJT）是电流控制器件，MOS是电压控制器件，三极管需要较大的控制电流，很多时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响它的开关速度，同样用途的管子，一般BJT要比MOS的速度更快。

另外MOS管的输入阻抗接近无穷，所以最大程度的分压，用作开关静态时，漏电小，功耗小，可靠。