【下载】使用中密度STM32F103xx单片机实现驱动双极型步进电机


本文介绍如何使用中密度STM32F103xx单片机实现驱动双极型步进电机的相关技术
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美国德克萨斯州奥斯汀市,2019年12月 - Silicon Labs(亦称“芯科科技”)日前在全球半导体联盟(Global Semiconductor Alliance, GSA)的颁奖晚宴中,连续第5年被授予最受尊敬上市半导体公司奖(年营业额在5亿到10亿美金之间)。
MOSFET的击穿有哪几种?Source、Drain、Gate,场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G,(这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)。
集成电路检修是是一件浩大的工程,因为集成电路引脚多而且很密,拆卸起来十分的困难,甚至有时还会损害集成电路及电路板。下面几种行之有效的集成电路拆卸方法,可供大家参考。
R+L 输出PCB中所有网络的布线长度;Ctrl+左键点击对正在布的线完成自动布线连接;M+G 可更改铜的形状;按P+T在布线状态下,按Shift+A可直接进行蛇线走线
本文档是关于ARM® Cortex®-M4内核的单片机STM32F301x6,STM32F301x8的数据手册, 介绍了它的主要外设资源和电特性参数,外设资源包括: up to 64 KB Flash,16 KB SRAM, ADC, DAC, COMP, Op-Amp, 2.0 – 3.6 V等
美国国际消费电子展(CES) – 威尼斯人3302 – 内华达州拉斯维加斯 - 2019年12月17日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出新的VE-Trac™系列电源模块的首两款器件,用于高压汽车牵引逆变器。
单片机的最小系统?内部的主要结构?答:最小系统:电源、晶振(为系统提供基本的时钟信号)、复位电路;内部结构:ROM/RAM、计时器、中断、I/O串并行口、总线扩展控制。
单片机的功耗是非常难算的,而且在高温下,单片机的功耗还是一个特别重要的参数。
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出电源解决方案及其全资子公司IDT的时钟解决方案,可支持适用于Xilinx Versal 自适应计算加速平台(ACAP)的Xilinx VCK190评估套件和瑞萨VERSALDEMO1Z电源参考板。