什么是MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
新器件进一步提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
当前的生活节奏越来越快，对计算处理器的要求也越来越高。即使是有摩尔定律的限制，人们仍然希望在单个芯片中塞入尽可能多的晶体管。
IICvs SPI
我们经常在电路中见到0欧的电阻，对于新手来说，往往会很迷惑：既然是0欧的电阻，那就是导线，为何要装上它呢？还有这样的电阻市场上有卖吗？其实0欧的电阻还是蛮有用的。
零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零（那是超导体干的事情），正因为有阻值，也就和常规贴片电阻一样有误差精度这个指标。
以下总结了零欧姆电阻的一系列用法
1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf。
嵌入式系统现在变得更加智能，互连程度更高，当然也比以前要复杂。要让嵌入式系统保持稳健并尽可能接近无错误，开发团队需要有效的方法来进行测试，验证系统能否按预期的方式工作。测试工作中最关键，通常也是难度最高的方面，就是在微控制器上运行软件。
本文将向开发人员介绍如何使用这些新技术，以及新技术实施所需的设备和工具。
嵌入式测试的要求变化
现代嵌入式系统测试工具要求开发人员采用以下四种主要组件，才能完全测试他们的系统：
• 支持跟踪功能的调试器
• 通信适配器／嗅探器
• 逻辑分析仪
• 模数转换器 (ADC)
使用这四个组件，开发人员能够在系统级别和微控制器级别上测试嵌入式软件，还可向下深入到由微处理器执行的指令。
在当今的开发环境中，这一点非常关键，旨在确保构建的系统不仅能够满足需求，还能够可靠地运行。
数据定义伪汇编：DCB用于分配以前连续的字节存储单元并用指定的数据初始化。DCB也可以用“＝”来代替。举个例子，如果要在某一片连续的空间里，我给它赋上01，02，03，设上这些初值，这就相当于之前我们定义的一些变量开辟空间的感觉。我们有时候定义一些结构结构体的时候，也要用到这样的空间开辟。
数据定义伪汇编：DCB：用于分配一片连续的字节存储单元并用指定的数据初始化。使用格式：name DCB value。
操作 比方说同样在这个地方做一个分配：dcContro DCB，下面给它分配一片连续的空间，分别给它赋上值，后面跟上的数据类型也是那三种数据类型（字符串，逻辑值，数据值。），下面跟一个数值，比如说，dcContro DCB 0x01,0x02,0x03这样三个值，用逗号隔开。意思就是随机在一个地方分配一段连续的内存空间分别给它填上这三个值，每个空间的间隔是按照字节为单位，正好我们填的是字节为单位这样的一个值。现在编译一下，这里又遇到问题了，这里又不认操作码了，
KSZ9567R 是一款高度集成的符合IEEE 802.3 标准的联网器件，采用一个第2 层管理型千兆位以太网开关、五个10BASE-Te/100BASE-TX/1000BASE-T物理层收发器（PHY）和相关MAC单元以及两个带可单独配置RGMII/MII/RMII接口的MAC端口，可直接连接主机处理器/控制器、其他以太网开关或以太网PHY收发器。
在CAN节点的设计中，我们通常为了总线的通讯更为可靠，为CAN接口增加各种器件，但实际并非所有应用都需要，过多防护不仅增加成本，而且器件的寄生参数必然影响信号质量。本文将简单介绍共模电感用于总线的作用。
我们在实际应用中看到许多CAN产品会使用共模电感，但在常规测试中却看不到它对哪一项指标有明显改善，反而影响波形质量。