mos管的GS波形振荡怎么消除？
对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。
我们测死MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，但一旦到了MOS管的G极就出问题了，有振荡，这个振荡小的时候还能勉强过关，但是有时候振荡特别大，看着都教人担心会不会重启。
这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除？
我们一起来看看
【视频】可穿戴心率监测器演示板
本视频将介绍Microchip的单芯片可穿戴心率监测器演示板。Microchip的反射式心率监测器演示板为大家展示了如何仅使用单个8位MCU芯片来测量心率。此演示板采用Microchip专有的相分多路复用技术，可同时测量多个信号，且不会产生任何串扰。
HOLTEK推出BS84C12C新一代更高抗干扰能力的A/D Touch MCU
Holtek新推出新一代触摸Flash MCU系列型号BS84C12C，内建12-bit ADC并全面提升抗干扰的能力，适用于同时需求「最多12个触摸键」、「显示功能」及「模拟讯号(如温度)量测」的产品应用，例如：电陶炉、电磁炉、触摸温控器、
一文看懂时钟是怎么恢复的？
对于高速的串行总线来说，一般情况下都是通过数据编码把时钟信息嵌入到传输的数据流里，然后在接收端通过时钟恢复把时钟信息提取出来，并用这个恢复出来的时钟对数据进行采样，因此时钟恢复电路对于高速串行信号的传输和接收至关重要。
CDR电路原理
MOSFET最基础的东西，看完秒懂
什么是MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
新器件进一步提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
证明你的MCU够强，有时不需要昂贵开发工具！
当前的生活节奏越来越快，对计算处理器的要求也越来越高。即使是有摩尔定律的限制，人们仍然希望在单个芯片中塞入尽可能多的晶体管。
关于I2C和SPI总线协议
IICvs SPI
零欧姆电阻的十二种作用
我们经常在电路中见到0欧的电阻，对于新手来说，往往会很迷惑：既然是0欧的电阻，那就是导线，为何要装上它呢？还有这样的电阻市场上有卖吗？其实0欧的电阻还是蛮有用的。
零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零（那是超导体干的事情），正因为有阻值，也就和常规贴片电阻一样有误差精度这个指标。
以下总结了零欧姆电阻的一系列用法
LED驱动设计不可不知的五大关键点
1、芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf。