单片GaN转换器集成功率开关管、栅极驱动器和反激式转换控制器
意法半导体（STMicroelectronics）推出两款 100 W高压VIPerGaN转换器，将宽带隙节能技术普及到家电、楼宇家居自动化、智能照明，以及电视、充电器等消费类产品领域。
新推出的两款功率转换器是漏极限流 3.5A的 VIPerGaN100W和4.2A的VIPerGaN100WB，后者可短暂耐受125W 的峰值功率，这一灵活的裕量避免了设计人员在开发带电磁阀、电机等感性负载的设备（如咖啡机、小型家电、空调）时过度冗余设计电源电路。两款转换器均兼容85V~265V全球通用交流输入电压，在185V 输入电压以上时稳定输出100W。
两款转换器均内置700V 氮化镓（GaN）功率晶体管，保证转换器的稳健性和高可靠性；功率管的0.27mΩ导通电阻 RDS(on)有助于转换器实现优异的热性能。在5mm × 6mm QFN 封装内，还集成反激式转换器和GaN栅极驱动器，省去设计人员微调栅极电阻和电感的繁琐的开关性能优调试工作。
另一方面，GaN功率晶体管的高开关频率的特性让电路设计人员使用小尺寸的无源器件，就可以取得优异的能效与功率密度。为了证明这个优势，意法半导体推出了基于 VIPerGaN100W设计的100W USB Type-C PD 3.0 充电器参考设计方案 EVLVIPGAN100WP。该解决方案支持 5V/3.0A 至 20V/5.0A 五档功率输出配置，采用次级侧调节和光耦反馈架构，峰值效率超 92%，功率密度达24W/in³。
VIPerGaN100W和VIPerGaN100WB 均内置准谐振零电压开关反激转换器，采用轻载频率折返、中载谷底跳周期等灵活的电源管理机制，通过限制开关频率在全负载范围内保持高能效。在谷底跳周期模式下，意法半导体自研谷底锁定技术可稳定跳过的谷底数量，避免产生音频频段波动，确保全负载工况静音运行。空载突发模式可将待机功耗降至30mW 以下。
此外，线路电压前馈可以精准控制每个开关周期传输的电能，在输入电压波动时保持输出功率稳定。同时，动态消隐时间限制开关频率的变化，最大限度降低开关损耗。两款转换器均集成完善的电气安全保护功能，涵盖输入输出过压保护、过热关断、欠压上电保护、欠压掉电保护。
VIPerGaN100W和VIPerGaN100WB是意法半导体VIPerGaN产品家族新成员，现在可以通过意法半导体官网商城和代理商购买。