随着汽车电子化与智能化进程的加速，嵌入式闪存（eFlash）作为微控制器（MCU）及专用集成电路（ASIC）的核心存储单元，其可靠性、成本效益及供应链稳定性已成为芯片设计企业选型的关键指标。面向强劲的市场需求，成都锐成芯微科技股份有限公司（简称：锐成芯微、Actt）推出基于0.153μm HD BCD工艺的车规级eFlash IP，将为汽车电子应用提供成熟、高效的嵌入式存储解决方案。
基于成熟BCD平台
已完成1-Qual验证并推进全项认证
该eFlash IP专为汽车电子应用设计，基于成熟的0.153μm BCD平台开发。其显著优势在于仅需3层额外光罩即可实现集成，有效降低了工艺复杂度与流片成本：BCD工艺（Bipolar-CMOS-DMOS工艺）与eFlash的结合能有效满足产品对功耗效率、性能等级、工艺兼容特性等的多重需求，并将模拟芯片和控制芯片“合二为一”，有效降低整体系统成本。
锐成芯微作为国内自研嵌入式存储IP的本土厂商，开发的eFlash、OTP及MTP系列产品已在消费电子、工业控制等领域实现大规模量产；其中车规级MTP产品已经通过了AEC-Q100（B组）Grade 0可靠性等级认证，并获得了汽车芯片可靠性等级认证证书，系列产品已被多家头部车企及汽车芯片厂商采用。
满足AEC-Q100 Grade 1标准
内置ECC/EDWS夯实功能安全基础
针对汽车电子严苛的工作环境，该eFlash IP支持-40℃至125℃的工作结温范围。在耐久性方面，其擦写寿命（Endurance）达10万次，且在125℃高温下的数据保持时间（Data Retention）超过10年，完全满足车规级芯片长期、可靠的数据存储要求。
在功能安全层面，IP内置8位ECC（错误检查与纠正）纠错模块及EDWS（错误检测与报警系统）功能，并支持ECC模块的扫描测试。结合内置的边界读取（Margin Read）功能及内部电压测试机制，该方案为系统通过ISO 26262功能安全认证提供了坚实的底层硬件支撑，可助力系统满足相应安全完整性等级（SIL）要求。
实现高速读取与高面积效率
兼顾成本平衡
该eFlash IP采用异步接口（Asynchronous Interface）设计，最大读取访问时间（Tkq）为48ns，支持随机读取、编程以及扇区、页和整片擦除操作，能够满足车身控制单元（ECU）对代码执行及数据记录的实时性需求。
方案可基于应用需求提供不同存储容量，在同类BCD工艺eFlash IP中具有较高的面积效率；支持2P4M金属层结构，工艺兼容性强，有助于降低芯片整体方案成本。
依托本土晶圆厂资源，锐成芯微为客户提供可靠、安全的IP解决方案，截止目前，已在国内头部晶圆厂22nm-180nm特色工艺平台上开发了MTP IP、eFlash IP和OTP IP等各类嵌入式存储IP。同时在全球超30家晶圆厂，基于FinFET先进工艺及各成熟工艺平台，推出模拟IP、射频IP和接口IP等完整的平台化IP解决方案，广泛应用于MCU、电池管理、智能SoC电源、微处理器、智慧家居和汽车电子等领域。
锐成芯微的车规级eFlash IP，凭借在可靠性、成本及供应链方面的综合优势，将为汽车电子企业在车身控制、电源管理等领域的芯片研发提供有力支持，助力国产汽车芯片产业持续发展。
来源：锐成芯微
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