介绍
瑞萨Virtual EEPROM模块简称VEE模块，该VEE模块模拟基本的EEPROM功能，支持读和写操作两种常见的数据操作。在应用程序的整个生命周期内，保留存储扇区的擦除计数，擦除计数可以随时访问。驱动函数会自动做磨损均衡处理，延长Flash的使用寿命。
主要内容
以开发板EK-RA2E2为例，使用VEE模块存取数据：
1、创建新工程
2、工程创建完成后，通过FSP配置Virtual EEPROM
2.1 添加Virtual EEPROM Stack
选择配置标签页 Stack → New Stack → Storage → Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)
2.2 配置Virtual EEPROM Stack
在生成的Stack框图中，点击 Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)，可以看到e2 studio左下角出现属性栏，按照如图所示配置。
2.3 配置g_flash0 flash(r_flash_lp)
点击框图中g_flash0 flash(r_flash_lp)，并按下图所示，设置Flash Ready Interrupt Priority。此处工程设置为Priority 1，可根据实际需要调整。
按照上面步骤配置配置完成后，点击
FSP就会生成工程Virtual EEPROM以及相关的初始化代码。
3、编写示例代码，验证Virtual EEPROM功能。
在工程中打开scr/hal_entry.c文件，void hal_entry(void) 函数由main函数调用，我们自己的代码由hal_entry调用，这样做符合瑞萨软件的架构，方便以后使用RTOS。
在hal_entry.c文件中添加下面的代码
然后在hal_entry函数调用上面的rm_vee_example函数
接下来就可以编译调试程序，当程序正常运行起来之后，就可以看到绿色LED灯亮起，说明存到Flash中的数据再读取出来，经过对比确认数据正确。也可以在调试状态下，将全局变量添加到观察窗口，单步调试，观察数据的变化。
程序运行前
程序运行起来之后
可以看到右侧相关变量的数值已经有改变
在后面附加了如何在调试过程中观察全局变量数值变化。
*附：观察全局变量的方式
选中要观察的数据名称，右击，选择添加监看表达式
可以在调试界面看到相关表达式的值，随着程序运行，可以在这里观察数值的变化。
结论
使用VEE模块，可以方便地使用Flash存取数据。不再需要自己去考虑数据存储的位置以及磨损均衡等问题，可以把精力专注于实现功能上。
来源：瑞萨MCU小百科
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