东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

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cathy 发布于:周三, 01/26/2022 - 11:12 ,关键词:

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和 “MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

“东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备"

这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

应用

  • 用于轨道车辆的逆变器和转换器
  • 可再生能源发电系统
  • 电机控制设备
  • 高频DC-DC转换器

特性

  • 安装方式兼容Si IGBT模块
  • 损耗低于Si IGBT模块
    MG600Q2YMS3
        VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
        Eon=25mJ(典型值) Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C
    MG400V2YMS3
        VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25°C
        Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS900V,ID=400A,Tch=150°C
  • 内置NTC热敏电阻

主要规格

(除非另有说明,@Tc=25℃)

器件型号

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

封装

2-153A1A

绝对最大额定值

漏极-源极电压VDSS(V)

1200

1700

栅极-源极电压VGSS(V)

+25/-10

+25/-10

漏极电流(直流)ID(A)

600

400

漏极电流(脉冲)IDP(A)

1200

800

结温(°C)

150

150

隔离电压Visol(Vrms)

4000

4000

电气特性

漏极-源极导通电压(感应)

VDS(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

Tch=25°C

0.9

@ID=600A

0.8

@ID=400A

源极-漏极导通电压(感应)

VSD(on)sense典型值(V)

@VGS =+20V,

Tch=25°C

0.8

@IS=600A

0.8

@IS=400A

源极-漏极关断电压(感应)

VSD(off)sense典型值(V)

@VGS =-6V,

Tch=25°C

1.6

@IS=600A

1.6

@IS=400A

开通损耗

Eon典型值(mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

 ID=600A

28

@VDS=900V,

 ID=400A

关断损耗

Eoff典型值(mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

 ID=400A

热敏电阻特性

额定NTC电阻 R典型值(kΩ)

5.0

5.0

NTC B值 B典型值(K)

@TNTC=25 - 150°C

3375

3375

如需了解相关新产品的更多信息,请访问:

MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息,请访问:

SiC功率器件

来源:东芝半导体
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