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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和 “MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
![“东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备"](http://mcu.eetrend.com/files/2022-01/wen_zhang_/100557375-241291-1.png)
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
应用
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
特性
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
Eon=25mJ(典型值) Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25°C
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS900V,ID=400A,Tch=150°C - 内置NTC热敏电阻
主要规格
(除非另有说明,@Tc=25℃)
器件型号 |
||||
封装 |
2-153A1A |
|||
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS(V) |
1200 |
1700 |
|
栅极-源极电压VGSS(V) |
+25/-10 |
+25/-10 |
||
漏极电流(直流)ID(A) |
600 |
400 |
||
漏极电流(脉冲)IDP(A) |
1200 |
800 |
||
结温(°C) |
150 |
150 |
||
隔离电压Visol(Vrms) |
4000 |
4000 |
||
电气特性 |
漏极-源极导通电压(感应) VDS(on)sense典型值(V) |
@VGS =+20V, Tch=25°C |
0.9 @ID=600A |
0.8 @ID=400A |
源极-漏极导通电压(感应) VSD(on)sense典型值(V) |
@VGS =+20V, Tch=25°C |
0.8 @IS=600A |
0.8 @IS=400A |
|
源极-漏极关断电压(感应) VSD(off)sense典型值(V) |
@VGS =-6V, Tch=25°C |
1.6 @IS=600A |
1.6 @IS=400A |
|
开通损耗 Eon典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
25 @ VDS=600V, ID=600A |
28 @VDS=900V, ID=400A |
|
关断损耗 Eoff典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
28 @ VDS=600V, ID=600A |
27 @VDS=900V, ID=400A |
|
热敏电阻特性 |
额定NTC电阻 R典型值(kΩ) |
5.0 |
5.0 |
|
NTC B值 B典型值(K) |
@TNTC=25 - 150°C |
3375 |
3375 |
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来源:东芝半导体
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