1、前言
单片机内部的FLASH除了存储固件以外，经常将其分成多个区域，用来存储一些参数或存储OTA升级的待更新的固件，这时就会涉及到单片机内部FLASH的编程和擦除操作，STM32不同系列的单片机内部FLASH特性和扇区大小都不太一样，如果不注意这些细节，那就等着爬坑吧
1、FLASH的分区以及扇区大小
FLASH擦除是按照扇区擦的，所以这个很重要，在工程中全局搜索 FLASH_PAGE_SIZE 宏就可以查看该芯片的页（扇区）大小，改宏在 stm32xxx_hal_flash.h中有定义
2、FLASH擦拭后的状态
F1和F4系列的芯片FLASH在擦除后会是0xFFFFFFFF，而L1系列的芯片FLASH在擦除后是0x00000000!!!!!
3、FLASH的编程速度
L1芯片内部FLASH编程速度比F1慢50倍！！！所以在使用L1芯片写入数据时相对于F1慢是正常的
2、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH分区及大小
1、STM32F1系列
对于F1系列的芯片大容量产品的FLASH主存储器每页大小为2K，如【下图】，而中容量和小容量的产品每页大小只有1K
2、STM32F4系列
分为2个Bank，每个Bank分为12个扇区，前4个扇区为16KB大小，第五个扇区是64KB大小，剩下的7个扇区都是128K大小
3、STM32L1系列
3、STM32 F1、F4、L1系列内部FLASH编程时间
信息参考对应芯片的数据手册的 Electrical characteristics 章节
1、STM32F1系列
可以看出F1系列内部FLASH页擦除时间最大为40ms，半字写入的时间为52.2us，比如按字写入1024字节数据，需要26.8ms，还是比较快的
2、STM32F4系列
可以看出F4系列内部不同扇区擦除时间也不一样的，字写入的时间为16us，比如按字写入1024字节数据，只需要4ms，非常快
3、STM32L1系列
可以看出L1系列内部FLASH页擦除和编程的时间都是3.28ms，比如按字写入1024字节数据，需要840ms，非常慢；但是擦除是比较快的
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