在50年代初期，我国不但请回了半导体专家黄昆还请回了吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。

当时三大著名教授北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三培养了很多人才，如1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（中国半导体行业协会理事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。这个北京电子管厂大家可能都觉得陌生了，不过它改制后的公司大家都知道，就是大名鼎鼎的京东方。

半导体器件的发展和半导体材料密的发展不可分，纵观过去数十年半导体技术的突破均依赖于材料的突破，世界第一块半导体材料锗单晶，在1948年被美国的物理学家研制出来，而中国半导体材料科学发展史的第一页，则是由中国半导体材料之母林兰英来开启。

1918年2月7日，她诞生在明代嘉靖年间的南京御史、清官林润故居里。当时人们最关注的是添“丁”，生个男孩，而林兰英偏偏是个女孩，同样是女人的祖母说：“没用的东西”。这个“没用的东西”顶着世俗沉重的压力，冲破重重阻力，顽强地生长了。

1936年，林兰英又以优异的成绩考入了福建协和大学，当时整个莆田县，女大学生屈指可数，这次，林宅大院充满了喜庆气氛，当年“没用的东西”成了林家的宠儿，母亲格外高兴，过去一切的委屈、忍辱负重化为乌有，为自己生了个女大学生而感到自豪。

为了攀登科学高峰，1948年8月9日，她远涉重洋到美国留学。1955年6月，她成为美国宾西法尼大学建校215年以来的第一个中国博士。之后，她被聘为从事半导体科研工作的索菲尼亚公司高级工程师。正是靠林兰英杰出的科学分析指导，公司成功地造出了第一根硅单晶。

几经周折抗争，1957年1月29日，林兰英乘坐的客轮安抵香港，在国务院办公厅精心周密安排下，她走上了深圳罗湖桥头，回到了祖国怀抱。1957年，林兰英和同事们拉制成功了中国第一根锗单晶；1958年初，中国的半导体收音机诞生了；那年国庆前夕，又研制成功了中国第一根硅单晶。

1987年，林兰英和同事们又异想天开，利用卫星拉制成功了两块太空砷化镓单晶，这一“国际领先”的科研成果，受到全世界科学家的关注，林兰英赢得了“太空材料之母”的桂冠。

我国半导体器件从60年代的硅平面管发展到硅光电池，以及近期先进的硅集成电路、砷化镓激光器、各种微波器件等；半导体材料从无到有从低级到高级从落后到先进，这些都是同林兰英分不开的。她的著作《硅的欧姆接触的制备》和《锗和硅的载流子抽出的电极的制备》在美国被列为专刊。

2003年林兰英辞世，享年85岁。生前她被选为中国科学院院士，并任中国科协副主席等职。鉴于她对中国半导体材料研制所作出的贡献，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。