STM32

STM32是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一系列基于ARM Cortex-M内核的32位微控制器(MCU)产品。这些微控制器提供了广泛的产品系列,覆盖了多种不同的性能和功能需求,适用于各种应用领域,包括工业控制、汽车电子、消费类电子、医疗设备等。

STM32系列微控制器以其高性能、低功耗、丰富的外设接口和灵活的开发工具而闻名。它们通常具有丰富的存储器、多种通信接口(如UART、SPI、I2C、CAN等)、模拟数字转换器(ADC)、定时器、PWM输出等功能,以满足不同应用场景下的需求。

STM32微控制器通常使用标准的ARM Cortex-M内核,包括Cortex-M0、M0+、M3、M4和M7等,这些内核具有不同的性能和功耗特性,可根据具体应用的需求进行选择。此外,STM32系列还提供了多种封装和引脚配置,以满足不同尺寸和集成度的要求。

STMicroelectronics为STM32系列提供了丰富的开发工具和支持资源,包括基于ARM开发环境的集成开发环境(IDE)、调试器、评估板和参考设计等。这些工具和资源有助于开发人员快速开发和部署他们的应用,并提供了全面的技术支持和文档资料,帮助用户充分发挥STM32微控制器的性能和功能优势。

最开始用STM32的flash保存数据的方法都是用原子的例程,STM32F1的话,原子的方法大概是创建一个1K或者2K的缓存,修改数据的时候,先把该扇区的所有数据写到该缓存,然后查看是否需要擦除整个扇区,一般在一个地方写的话,必须要擦除,要想不擦除,就需要一个变量记录下一次要写的地址,和数据一块保存。STM32F4的话,因为其最小扇区为16K,最大128K,写个稍大点的程序,就得用大扇区,原子的做法干脆不缓存了,直接擦了扇区,重写!(吐个槽,原子的一些程序可以再优化一下,感觉有些源码就是应付事儿,可以向更实用的更有效的方向发展发展嘛!!)

回归正题,有一天,有一个项目用的屏幕不是静态显示的,需要不停的扫,每次保存数据的时候屏都会闪一次,原来是保存数据的时候,要擦除扇区,1K的扇区大概要15ms的时间才能擦除完成,而且这段时间单片机什么都不能干。为了解决这个问题,发现了网上有STM32 flash模拟EEPROM的程序,学习后发现,比原子的例程更实用,更有效,既提高了存取速度,又能平均磨损flash,延长flash改写寿命。大家可百度STM32 flash模拟EEPROM,还有人优化了官方给的demo。优化过后,加入了CurWrAddress,意在提高读写速度,但是正是这个CurWrAddress,引起了一些bug。

1 /* Global variable used to store variable value in read sequence */
2 uint16_t DataVar = 0;
3 uint32_t CurWrAddress;
4 /* Virtual address defined by the user: 0xFFFF value is prohibited */
5 extern uint16_t VirtAddVarTab[NumbOfVar];

第3行 把CurWrAddress初始化为0,就是一个bug。修改后的代码, 把InitCurrWrAddress()函数放在了__EE_Init()之后,也就是说只要__EE_Init()函数用到了CurWrAddress,那么CurWrAddress = 0,有某种情况下,这是个灾难。

1   uint16_t __EE_Init(void)
  2    {
      ... 13   
 14    /* Check for invalid header states and repair if necessary */
 15     switch (PageStatus0)
 16     {
 17       case ERASED:
             ...
 33       case RECEIVE_DATA:
 34         if (PageStatus1 == VALID_PAGE) /* Page0 receive, Page1 valid */
 35         {
          ... 43             if (VarIdx != x)
 44             {
 45               /* Read the last variables' updates */
 46               ReadStatus = EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[VarIdx], &DataVar);
                    .... 57               } 59           }
             ...    
 85       case VALID_PAGE:
 95         {103            if (VarIdx != x)
104            {
105              /* Read the last variables' updates */
106              ReadStatus = EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[VarIdx], &DataVar);
          ...118            }
119          }
120         ....140    }
141  
142    return FLASH_COMPLETE;
143  }

我保留的出灾难的两种情况,第一PAGE0=VALID_PAGE,PAGE0 = RECEIVE_DATA,另一种反过来,其实就是在换页的时候,没有完成就掉电了,上电后初始化时,就会有bug了。为什么会有bug?因为这两种情况都用到了EE_ReadVariable函数,而优化后的EE_ReadVariable函数在读取保存变量的时候,是从CurWrAddress-2开始往后读,直到这一页的开始,问题来了,一开始CurWrAddress=0啊,uint32_t类型的0,减去2后等于多少?关键是还要用这个数,作为地址去读flash。。。所以一旦出现这种情况,GG。解决办法就是在碰到这两种情况的时候在读取变量之前,先调用InitCurrWrAddress(),并声明CurWrAddress的时候初始化为第二页的结尾(最起码不会GG了),调用InitCurrWrAddress()之后,会把CurrWrAddress更改为有效页或者RECEIVE页(如果状态为RECEIVE_DATA),然后再去读取数据,进行换页。这种办法并不能解决全部已知bug。

到这里还没完,还有一个bug,就是PAGE1要满了,换到PAGE0的时候。

 1 static uint16_t EE_PageTransfer(uint16_t VirtAddress, uint16_t Data)
 2 {
        ...
 8   /* Get active Page for read operation */
 9   ValidPage = EE_FindValidPage(READ_FROM_VALID_PAGE);
10 
11      ...19   if (ValidPage == PAGE1)  /* Page0 valid */
20   {
21     /* New page address where variable will be moved to */
22     NewPageAddress = PAGE0_BASE_ADDRESS;
23 
24     /* Old page address where variable will be taken from */
25     OldPageAddress = PAGE1_BASE_ADDRESS;
26   }
    ...
32   /* Set the new Page status to RECEIVE_DATA status */
33   FlashStatus = FLASH_ProgramHalfWord(NewPageAddress, RECEIVE_DATA);
    ...
40   InitCurrWrAddress();//aft 重新初始化写地址
41   /* Write the variable passed as parameter in the new active page */
42   EepromStatus = EE_VerifyPageFullWriteVariable(VirtAddress, Data);
    ....
49   /* Transfer process: transfer variables from old to the new active page */
50   for (VarIdx = 0; VarIdx < NumbOfVar; VarIdx++)
51   {
52     if (VirtAddVarTab[VarIdx] != VirtAddress)  /* Check each variable except the one passed as parameter */
53     {
54       /* Read the other last variable updates */
55       ReadStatus = EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[VarIdx], &DataVar);
      ...67     }
68   }
69 
70   /* Erase the old Page: Set old Page status to ERASED status */
71   FlashStatus = FLASH_ErasePage(OldPageAddress);
72   /* If erase operation was failed, a Flash error code is returned */
73   if (FlashStatus != FLASH_COMPLETE)
74   {
75     return FlashStatus;
76   }
77 
78   /* Set new Page status to VALID_PAGE status */
79   FlashStatus = FLASH_ProgramHalfWord(NewPageAddress, VALID_PAGE);
80   /* If program operation was failed, a Flash error code is returned */
81   if (FlashStatus != FLASH_COMPLETE)
82   {
83     return FlashStatus;
84   }
85 
86   /* Return last operation flash status */
87   return FlashStatus;
88 }

33行执行完后,要更改CurrAddress了,这时如果是PAGE0要接收,那么CurrAddress = PAGE0_StarAdress+4了,那么在后边的读取数据,用于转换的时候,有个判断

Address=CurWrAddress-2;

while (Address > (PageStartAddress + 2)) 这个地方PageStartAddress = Page1_StarAddress ,而PAGE0_StarAdress+2肯定小于Page1_StarAddress啊,直接跳过了,导致不能转存其他数据

 1  EE_ReadVariable函数
    /* Get active Page for read operation */
    ValidPage = EE_FindValidPage(READ_FROM_VALID_PAGE);//而READ的规则是谁有效 就是谁 不关系是否RECIVE 和写有效区分
  PageStartAddress = (uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (uint32_t)(ValidPage * PAGE_SIZE));
 2 
 3   /* Get the valid Page end Address */
 4   //Address = (uint32_t)((EEPROM_START_ADDRESS - 2) + (uint32_t)((1 + ValidPage) * PAGE_SIZE));
 5   Address=CurWrAddress-2;
 6 
 7   /* Check each active page address starting from end */
 8   while (Address > (PageStartAddress + 2))
 9   {
10     /* Get the current location content to be compared with virtual address */
11     AddressValue = (*(__IO uint16_t*)Address);
12 
13     /* Compare the read address with the virtual address */
14     if (AddressValue == VirtAddress)
15     {
16       /* Get content of Address-2 which is variable value */
17       *Data = (*(__IO uint16_t*)(Address - 2));
18 
19       /* In case variable value is read, reset ReadStatus flag */
20       ReadStatus = 0;
21 
22       break;
23     }
24     else
25     {
26       /* Next address location */
27       Address = Address - 4;
28     }
29   }

我的做法是,修改 EE_ReadVariable函数,在读取数据的时候,如果PAGE0或者PAGE1有一个状态为正在接受,那么Address就用官方Demo给的语句赋值。这时解决全部这篇所说bug的方法。

//之前加上读取PageStatus0和1的语句
1     /* Get the valid Page end Address */
2     if((PageStatus0 == RECEIVE_DATA)||(PageStatus1 == RECEIVE_DATA))//当在页传输时,地址放在有效页的末尾来搜索所有的存储信息
3     {
4         Address = (uint32_t)((EEPROM_START_ADDRESS - 2) + (uint32_t)((1 + ValidPage) * PAGE_SIZE));
5     }
6     else
7     {
8         Address=CurWrAddress-2;
9     }

目前遇到的bug就这些。

综上所述,都是CurWrAddress闹得,

第一种:因为初始化CurWrAddress为0,在刚上电时候,恰巧碰到有一页状态为RECEIVE_DATA(概率不大),则在执行EE_ReadVariable函数的时候,Address=CurWrAddress-2;导致得到一个非法地址。

第二种:PAGE1满 要转给PAGE0,还是出在EE_ReadVariable函数里,Address=CurWrAddress-2;因为EE_PageTransfer中在转移数据之前,重新调整了CurWrAddress写地址到PAGE0了,而在读取未转移的地址需要从PAGE1底部开始查询,这就导致转移不全。

解决办法就是修改EE_ReadVariable函数,加入读取PAGE0和PAGE1的状态语句,并判断,如果有一个状态为RECEIVE_DATA,则按官方的调整Address。

加上stm32的掉电检测保存数据,上电后,检测扇区剩余空间,不够下一次保存的话,提前换页,因为stm32f4擦除一个扇区要1s多,掉电那些时间根本不够,另外掉电后,阈值2.7v的话,测试发现,保守估计可保存1000个字,和外围器件,电容有关。

最后上张stm32flash保存数据的图,0x8040000是扇区6的首地址,用于保存这一页的状态00 00为有效页标志,0x8040004和05保存的是数据,06和07的01 A1保存的是变量虚拟地址,实际上是0XA101,因为STM32是小端模式,低位字节位排放在低地址端,高位字节排放在高位地址端。

“”

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围观 163

半主机机制的作用

半主机是用于ARM目标的一种机制,可将来自STM32单片机应用程序的输入输出请求传送至运行仿真器的PC主机。使用此机制可以启用C库中的函数,如printf()和scanf(),来使用PC主机的屏幕和键盘。这样就可以看到单片机的输入输出,方便进行调试。注意:种机制的运行需要仿真器,否则无法运行。

简单的来说,半主机模式就是通过仿真器实现开发板在电脑上的输入和输出。

开发时单片机需要独立运行,开发者就应该去掉仿真器,把printf函数通过单片机的外设来实现,例如通过开发板的串口。

非半主机机制下printf函数的实现方法

Use MicroLIB(微库)

因为使用微库的话,不会使用半主机模式。

如下图,在点开MDK软件的魔术棒,勾选Target选项卡中的“Use MicroLIB”。这样就可以使用printf()函数,通过USART输出数据到电脑串口助手。

“”

在主程序中添加代码

不使用Use MicroLIB(微库),就要在工程中加入以下代码, 以支持printf函数 。代码是写在USART的初始化文件中,记得修改USARTx,换成你要输出的USART端口号。

/******************************************************************************
 * 【功  能】 printf函数重定向支持代码
 *           加入以下代码, 使用printf函数时, 不再需要选择use MicroLIB   
 * 参  数:
 * 返回值:
 ******************************************************************************/  
#pragma import(__use_no_semihosting)     //为确保没有从C库链接使用半主机的函数        
struct __FILE       { int handle; };     // 标准库需要的支持函数
FILE __stdout;                           // FILE 在stdio.h文件
void _sys_exit(int x)                    // 定义_sys_exit()以避免使用半主机模式
{  x = x; }         

int fputc(int ch, FILE *f)               // 重定向fputc函数,使printf的输出,由fputc输出到UART,  这里使用串口1(USART1)
{   
    //if(xFlag.PrintfOK == 0) return 0;  // 判断USART是否已配置,防止在配置前调用printf被卡死

    while((USARTx ->SR&0X40)==0);        // 等待上一次串口数据发送完成  
  USARTx ->DR = (u8) ch;                 // 写DR,串口1将发送数据    
  return ch;
}

来源:STM32嵌入式开发
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围观 164

STM32的时钟树

时钟信号推动单片机内各个部分执行相应的指令,时钟就像人的心跳一样。

STM32本身十分复杂,外设非常多,任何外设都需要时钟才能启动,但并不是所有的外设都需要系统时钟那么高的频率,如果都用高速时钟势必造成浪费。同一个电路,时钟越快功耗越大、抗电磁干扰能力越弱。复杂的MCU采用多时钟源的方法来解决这些问题。如下图,是STM32的时钟系统框图。

“”

如上图左边的部分,看到STM32有4个独立时钟源,HSI、HSE、LSI、LSE。

  • HSI是高速内部时钟,RC振荡器,频率为8MHz,精度不高。
  • HSE是高速外部时钟,可接石英/陶瓷谐振器,或者接外部时钟源,频率范围为4MHz~16MHz。
  • LSI是低速内部时钟,RC振荡器,频率为40kHz,提供低功耗时钟。
  • LSE是低速外部时钟,接频率为32.768kHz的石英晶体。

时钟树的右边红色框中,则是系统时钟通过AHB预分频器,给相对应的外设设置相对应的时钟频率。

其中LSI、LSE是作为IWDGCLK(独立看门狗)时钟源和RTC时钟源使用。而HSI、HSE以及PLLCLK经过分频或者倍频作为系统时钟SYSCLK来使用。

PLL为锁相环倍频输出,其时钟输入源可选择为HSI/2、HSE或者HSE/2。倍频可选择为2~16倍,但是其输出频率最大不得超过72MHz。通过倍频之后作为系统时钟的时钟源。

配置时钟

默认时钟

Keil编写程序是默认的时钟为72Mhz,其实是这么来的:

外部高速晶振HSE提供的8MHz(大小与电路板上的晶振相关)通过PLLXTPRE分频器后,进入PLLSRC选择开关,进而通过PLLMUL锁相环进行倍频(x9)后,为系统提供72MHz的系统时钟SYSCLK。之后是AHB预分频器对时钟信号进行分频,然后为低速外设提供时钟。

内部RC振荡器HSI为8MHz,2分频后是4MHz,进入PLLSRC选择开关,通过PLLMUL锁相环进行倍频(最大x16)后为64MHz。

USB时钟

“”

如上图,STM32的USB时钟不能超过48MHz,因此如果时钟源为72MHz,就需要进行1.5分频。

如果时钟源为48MHZ,则进行1分频即可。

把时钟信号输出到外部

“”

STM32可以选择一个时钟信号输出到MCO脚(PA8)上,可以选择为PLL输出的2分频、HSI、HSE、或者系统时钟,可以把时钟信号输出供外部使用。

AHB分频器

如时钟树图右边的部分,系统时钟通过AHB分频器给外设提供时钟。从左到右可以简单理解为:

系统时钟->AHB分频器->各个外设分频倍频器->外设时钟的设置。

右边部分为:系统时钟SYSCLK通过AHB分频器分频后送给各模块使用,AHB分频器可选择1、2、4、8、16、64、128、256、512分频。其中AHB分频器输出的时钟送给5大模块使用:

内核总线:送给AHB总线、内核、内存和DMA使用的HCLK时钟。

Tick定时器:通过8分频后送给Cortex的系统定时器时钟。

I2S总线:直接送给Cortex的空闲运行时钟FCLK。

APB1外设:送给APB1分频器。APB1分频器可选择1、2、4、8、16分频,其输出一路供APB1外设使用(PCLK1,最大频率36MHz),另一路送给通用定时器使用。该倍频器可选择1或者2倍频,时钟输出供定时器2-7使用。

APB2外设:送给APB2分频器。APB2分频器可选择1、2、4、8、16分频,其输出一路供APB2外设使用(PCLK2,最大频率72MHz),另一路送给高级定时器。该倍频器可选择1或者2倍频,时钟输出供定时器1和定时器8使用。另外,APB2分频器还有一路输出供ADC分频器使用,分频后送给ADC模块使用。ADC分频器可选择为2、4、6、8分频。需要注意的是,如果APB预分频器分频系数是1,则定时器时钟频率(TIMxCLK)为PCLKx。否则,定时器时钟频率将为 APB 域的频率的两倍:TIMxCLK = 2xPCLKx。

APB1和APB2的对应外设

“”

F1系列中,APB1上面连接的是低速外设,包括电源接口、备份接口、CAN、USB、I2C1、I2C2、USART2、USART3、UART4、UART5、SPI2、SP3等。

APB2上面连接的是高速外设,包括UART1、SPI1、Timer1、ADC1、ADC2、ADC3、所有的普通I/O口(PA-PE)、第二功能I/O(AFIO)口等。

具体可以在stm32f10x_rcc.h中查看外设挂在哪个时钟下。

时钟监视系统(CSS)

“”

另外,STM32还提供了一个时钟监视系统(CSS),用于监视高速外部时钟(HSE)的工作状态。倘若HSE失效,会自动切换(高速内部时钟)HSI作为系统时钟的输入,保证系统的正常运行。

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围观 257

STM32内部自带了一个可编程电压检测器(PVD),对VDD的电压进行监控可以通过电源控制寄存器PLS[ 2:0 ]位来设置监控电压的阀值,这样通过与VDD电压比较达到了监控电压的目的。

电源控制状态寄存器(PWR_CSR)中的PVDO用来表明VDD是高于还是低于PVD的电压阀值。当VDD下降到PVD阀值以下或VDD上升到PVD阀值之上时,通过外部中断16线上升或下降边沿触发设置,产生PVD中断。在中断处理函数中做相应的保护措施。

具体由以下图片和表格所示。

“
图1:阀值与PVD输出关系

“
表:具体寄存器参数

下面对上面的图片和表格中的数据做一个简要的解释:

(1)PVD = Programmable Votage Detector 可编程电压监测器

它的作用是监视供电电压,在供电电压下降到给定的阀值以下时,产生一个中断,通知软件做紧急处理。在给出表格的上半部分就是可编程的监视阀值数据。当供电电压又恢复到给定的阀值以上时,也会产生一个中断,通知软件供电恢复。

供电下降的阀值与供电上升的PVD阀值有一个固定的差值,这就是表中的VPVDhyst(PVD迟滞)这个参数,通过列出的PVD阀值数据可以看到这个差别。引入这个差值的目的是为了防止电压在阀值上下小幅抖动,而频繁地产生中断。

(2)POR = Power On Reset 上电复位;

PDR = Power Down Reset 掉电复位。

POR的功能是在VDD电压由低向高上升越过规定的阀值之前,保持芯片复位,当越过这个阀值后的一小段时间后(图中的"滞后时间"或表中的"复位迟滞"),结束复位并取复位向量,开始执行指令。这个阀值就是表中倒数第4行(min=1.8,typ=1.88,max=1.96)。

PDR的功能是在VDD电压由高向低下降越过规定的阀值后,将在芯片内部产生复位,这个阀值就是表中倒数第3行(min=1.84,typ=1.92,max=2.0)。

(3)当可以看到POR比PDR大了0.04V,这就是表中倒数第2行,VPDRhyst(PDR迟滞)=40mV。

(4)当VDD上升越过POR阀值时,内部并不马上结束复位,而是等待一小段时间(Reset temporization),这就是表中的最后一行TRSTTEMPO,它的典型数值是2.5ms。

这个滞后时间是为了等待供电电压能够升高到最低可靠工作电压以上,我们看到POR阀值最小只有1.8V,最大也只有1.96V,都低于数据手册中给出的最低可靠工作电压2.0V,所以这个滞后时间是十分必要的,如果供电电压上升缓慢,尤其是从1.8V升到2.0V以上超过1~2.5ms,则很可能造成上电复位后MCU不能正常工作的情况。

(5)BOR,即Brown-out reset,欠压复位。

主要用于单片机因为电源电压供电中电压波动或者有较大负载造成过流。可以设置一个电压阈值,当电压低于阈值时单片机产生中断,高于阈值时也产生中断,另外还有机制使阈值允许在某个范围内波动,避免电压在阈值附近波动时造成连续中断。

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围观 502

作者:倾夜·陨灭星尘

这几天在论坛上面解答了好几个询问STM32测量频率的贴子,觉得这种需求还是存在的(示波器、电机控制等等)。而简单搜索了一下论坛,这方面的贴子有但是不全。正好今年参加比赛做过这方面的题目,所以把我们当时尝试过的各种方案都列出来,方便以后大家使用,也是作为一个长期在论坛的潜水党对论坛的回报。

PS:由于我们当时的题目除了测量频率之外,更麻烦的是测量占空比。而这两个的测量方法联系比较紧密,所以也一并把测量占空比的方法写出来。因为时间有限,所以并不能把所有思路都一一测试,只是写在下面作为参考,敬请谅解。

使用平台:官方STM32F429DISCOVERY开发板,180MHz的主频,定时器频率90MHz。

相关题目:

(1)测量脉冲信号频率f_O,频率范围为10Hz~2MHz,测量误差的绝对值不大于0.1%。(15分)

(2)测量脉冲信号占空比D,测量范围为10%~90%,测量误差的绝对值不大于2%。(15分)

思路一:外部中断

思路:这种方法是很容易想到的,而且对几乎所有MCU都适用(连51都可以)。方法也很简单,声明一个计数变量TIM_cnt,每次一个上升沿/下降沿就进入一次中断,对TIM_cnt++,然后定时统计即可。如果需要占空比,那么就另外用一个定时器统计上升沿、下降沿之间的时间即可。

缺点:缺陷显而易见,当频率提高,将会频繁进入中断,占用大量时间。而当频率超过100kHz时,中断程序时间甚至将超过脉冲周期,产生巨大误差。同时更重要的是,想要测量的占空比由于受到中断程序影响,误差将越来越大。

总结:我们当时第一时间就把这个方案PASS了,没有相关代码(这个代码也很简单)。不过,该方法在频率较低(10K以下)时,可以拿来测量频率。在频率更低的情况下,可以拿来测占空比。

思路二:PWM输入模式

思路:翻遍ST的参考手册,在定时器当中有这样一种模式:

“”

“”

简而言之,理论上,通过这种模式,可以用硬件直接测量出频率和占空比。当时我们发现这一模式时欢欣鼓舞,以为可以一步解决这一问题。

但是,经过测量之后发现这种方法测试数据不稳定也不精确,数据不停跳动,且和实际值相差很大。ST的这些功能经常有这种问题,比如定时器的编码器模式,在0点处频繁正负跳变时有可能会卡死。这些方法虽然省事,稳定性却不是很好。

经过线性补偿可以一定程度上减少误差(参数在不同情况下不同):

freq=Frequency*2.2118-47.05;

这种方法无法实现要求。所以在这里我并不推荐这种方法。如果有谁能够有较好的程序,也欢迎发出来。

(网友点评:

1、你前期出问题,可能与输入滤波有关,如果你待测信号不超过2MHz,则输入使用【0011: fSAMPLING=fCK_INT, N=8】滤波可能是一个不错的选择。

“ST的这些功能经常有这种问题” 我没遇到过,STM32的定时器各种模式我基本都使用过。

2、你输入捕捉效率太低了,另外,如果真的是高频的话,程序中应当动态根据测得的频率值来修改PSC,以实现动态精度适应还有,输入捕捉真心不需要每次都进中断,1MHz的信号,你每秒捕捉100万次,值都是一样有意义吗?是否可以每秒捕捉10次取平均值?把细节处理好就行了。

思路三:输入捕获

思路:一般来说,对STM32有一定了解的坛友们在测量频率的问题上往往都会想到利用输入捕获。首先设定为上升沿触发,当进入中断之后(rising)记录与上次中断(rising_last)之间的间隔(周期,其倒数就是频率)。再设定为下降沿,进入中断之后与上升沿时刻之差即为高电平时间(falling-rising_last),高电平时间除周期即为占空比。

“”

该方法尤其是在中低频(<100kHz)之下精度不错。

缺点:稍有经验的朋友们应该都能看出来,该方法仍然会带来极高的中断频率。在高频之下,首先是CPU时间被完全占用,此外,更重要的是,中断程序时间过长往往导致会错过一次或多次中断信号,表现就是测量值在实际值、实际值×2、实际值×3等之间跳动。实测中,最高频率可以测到约400kHz。

总结:该方法在低频率(<100kHz)下有着很好的精度,在考虑到其它程序的情况下,建议在10kHz之下使用该方法。同时,可以参考以下的改进程序减少CPU负载。

改进:

前述问题,限制频率提高的主要因素是过长的中断时间(一般应用情景之下,还有其它程序部分的限制)。所以进行以下改进:

1、使用2个通道,一个只测量上升沿,另一个只测量下降沿。这样可以减少切换触发边沿的延迟,缺点是多用了一个IO口。

2、使用寄存器,简化程序

之所以改用TIM2是因为TIM5的CH1(PA0)还是按键输入引脚。本来想来这应当也没什么,按键不按下不就是开路嘛。但是后来发现官方开发板上还有一个RC滤波……

所以,当使用别人的程序之前,请一定仔细查看电路图。

“”

这样,最高频率能够达到约1.1MHz,是一个不小的进步。但是,其根本问题——中断太频繁——仍然存在。

解决思路也是存在的。本质上,我们实际上只需要读取CCR1和CCR2寄存器。而在内存复制过程中,面对大数据量的转移时,我们会想到什么?显然,我们很容易想到——利用DMA。所以,我们使用输入捕获事件触发DMA来搬运寄存器而非触发中断即可,然后将这些数据存放在一个数组当中并循环刷新。这样,我们可以随时来查看数据并计算出频率。

@xkwy大神在回复中提出了几个改进意见,列出如下:

1、可以设定仅有通道2进行下降沿捕获并触发中断,而通道1捕获上升沿不触发中断。在中断函数当中,一次读取CCR1和CCR2。这样可以节省大量时间。

2、可以先进行一次测量,根据测量值改变预分频值PSC,从而提高精度

3、间隔采样。例如每100ms采样10ms。

这样的改进应当能够将最高采样频率增加到2M.但是频率的进一步提高仍然不可能。因为这时的主要矛盾是中断函数时间过长,导致CPU还在处理中断的时候这一次周期就结束了,使得最终测量到的频率为真实频率的整数倍左右。示意图如下:

“”

因此,高频时仍然推荐以下方法。

思路四:使用外部时钟计数器

这种方法是我这几天回答问题时推荐的方法。思路是配置两个定时器,定时器a设置为外部时钟计数器模式,定时器b设置为定时器(比如50ms溢出一次,也可以用软件定时器),然后定时器b中断函数中统计定时器a在这段时间内的增量,简单计算即可。

缺点:

1、无法测量占空比,高频的占空比测量方法见下文。
2、在频率较低的情况下,测量精度不如思路3(因为测量周期为100ms,此时如果脉冲周期是200ms……)。
3、输入幅值必须超过3V 。如果不够或者超出,需要加入前置放大器。

总结:这种方法精度很高,实测在2MHz之下误差为30Hz也就是0.0015%(由中断服务程序引发,可以使用线性补偿修正),在25MHz之下也是误差30Hz左右(没法达到更高的原因是波形发生器的最大输出频率是25MHz^_^)。同时,从根本上解决了中断频率过高的问题。而由于低频的问题,建议:在低频时,或者加大采样间隔(更改TIM7的周期),或者采用思路3的输入捕获。

此外,还有一个莫名其妙的问题就是,中断当中如果不加入sprintf(str,"%3.3f",TIM_ExtCntFreq/1000.0)这一句,TIM_ExtCntFreq就始终为0 。我猜测是优化的问题,但是加入volatile也没有用,时间不够就没有理睬了。

思路五:ADC采样测量(概率测量法)

一般的高端示波器,测量频率即是这种方法。简而言之,高速采样一系列数据,然后通过频谱分析(例如快速傅里叶变换FFT),获得频率。F4有着FPU和DSP指令,计算速度上可以接受。但是ADC的采样频率远远达不到。官方手册上声明,在三通道交替采样+DMA之下,最高可以达到8.4M的采样率。然而,根据香农采样定理,采样频率至少要达到信号的2倍。2M信号和8.4M的采样率,即使能够计算,误差也无法接受。所以,ADC采样是无法测量频率特别是高频频率的。

但是,无法测量频率,却可以测量占空比,乃至超调量和上升时间(信号从10%幅值上升到90%的时间)!原理也很简单,大学概率课上都说过这个概率基本原理:

“”

当采样数n趋于无穷时,事件A的概率即趋近于统计的频率。所以,当采样数越大,则采样到的高电平占样本总数的频率即趋近于概率——占空比!

“”

因此,基本思路即是等间隔(速度无所谓,但必须是保证等概率采样)采样,并将这些数据存入一个数组,反复刷新。这样,可以在任意时间对数组中数据进行统计,获得占空比数据。

缺点:

1、精度低:实测2MHz下误差约1.3%,低频时无法统计(比如,频率10Hz,而ADC采样时间50ms。这时如果采样时间中刚好全是高电平,占空比为1……)。

2、内存占用大:数据池大小为65536,占用了64KB内存。

3、有响应延迟:测量出来的是“平均占空比”而非“瞬时占空比”。由于我测试时使用的是波形发生器,输出波形相当稳定(1W+的价格毕竟是有它的道理的……),实际应用当中一般不能够达到这样的水平,势必带来响应延迟(准确说应该是采样系统积分惯性越大)。

4、幅值过低(0.3V)无法测量,过高则超过ADC允许最大值。所以必须视情况使用不同的前置放大器。

实际上使用时如何取舍,就需要看实际情况了。毕竟,这只是低成本下的解决方案而已。

综上,对这几种方法做一个总结:

外部中断:编写容易,通用性强。缺点是中断进入频繁,误差大。

PWM输入:全硬件完成,CPU负载小,编写容易。缺点是不稳定,误差大。

输入捕获:可达到约400kHz。低频精度高,10Hz可达到0.01%以下,400kHz也有3%。缺点是中断频繁,无法测量高频,幅值必须在3.3~5V之间。

外部时钟计数器(首选):可达到非常高的频率(理论上应当是90MHz)和非常低的误差(2MHz下为0.0015%且可线性补偿)。缺点是低频精度较低,同样幅值必须在3.3~5V之间。

ADC采样频率测量法:难以测量频率,高频下对占空比、上升时间有可以接受的测量精度(2MHz下约1.3%),低频下无法测量。幅值0.3~3.3V,加入前置放大则幅值随意。

ADC采样频谱分析:高端示波器专用,STM32弃疗。

我采用的方法是:首先ADC测量幅值并据此改变前置放大器放大倍数,调整幅值为3.3V ,同时测量得到参考占空比。而后使用外部时钟计数器测量得到频率,如果较高(>10000)则确认为频率数据,同时ADC测量占空比确认为占空比数据。否则再使用输入捕获方法测量得到频率、占空比数据。

对于各个方法存在的线性误差,使用了线性补偿来提高精度。一般情况下,使用存储在ROM中的数据作为参数,当需要校正时,采用如下校正思路:

波形发生器生成一些预设参数波形(例如10Hz,10%;100K,50%;2M,90%……),在不同区间内多次测量得到数据,随后以原始数据为x,真实数据为y,去除异常数据之后,做y=f(x)的线性回归,并取相关系数最高的作为新的参数,同时存储在ROM当中。

我认为,我的这篇文章,应当是很全面了。当然,限于水平,存在着未完善和不正确的地方,也欢迎指正。

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围观 228

STM32 的 DAC 模块(数字/模拟转换模块)是 12 位数字输入,电压输出型的DAC。

DAC 可以配置为 8 位或 12 位模式,也可以与 DMA 控制器配合使用。

DAC工作在 12 位模式时,数据可以设置成左对齐或右对齐。

DAC 模块有 2 个输出通道,每个通道都有单独的转换器。

在双DAC模式下,2个通道可以独立地进行转换,也可以同时进行转换并同步地更新 2 个通道的输出。

DAC可以通过引脚输入参考电压 VREF+以获得更精确的转换结果。

STM32 的 DAC 模块主要特点有:

① 2 个 DAC 转换器:每个转换器对应 1 个输出通道
② 8 位或者 12 位单调输出
③ 12 位模式下数据左对齐或者右对齐
④ 同步更新功能
⑤ 噪声波形生成
⑥ 三角波形生成
⑦ 双 DAC 通道同时或者分别转换
⑧ 每个通道都有 DMA 功能

使用库函数的方法来设置 DAC 模块的通道 1 来输出模拟电压,其详细设置步骤如下:

1)开启 PA 口时钟,设置 PA4 为模拟输入。

STM32F103ZET6 的 DAC 通道 1 在 PA4 上,所以,我们先要使能 PORTA 的时钟,然后设置 PA4 为模拟输入。DAC 本身是输出,但是为什么端口要设置为模拟输入模式呢?因为一但使能 DACx 通道之后,相应的 GPIO 引脚(PA4 或者 PA5)会自动与 DAC 的模拟输出相连,设置为输入,是为了避免额外的干扰。

使能 GPIOA 时钟:

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA, ENABLE ); 
//使能 PORTA 时钟

设置 PA1 为模拟输入只需要设置初始化参数即可:

GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AIN;
//模拟输入

2)使能 DAC1 时钟。

同其他外设一样,要想使用,必须先开启相应的时钟。STM32 的 DAC 模块时钟是由 APB1提供的,所以我们调用函数 RCC_APB1PeriphClockCmd()设置 DAC 模块的时钟使能。

RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_DAC, ENABLE );
//使能 DAC 通道时钟

3)初始化 DAC,设置 DAC 的工作模式。

该部分设置全部通过 DAC_CR 设置实现,包括:DAC 通道 1 使能、DAC 通道 1 输出缓存关闭、不使用触发、不使用波形发生器等设置。这里 DMA 初始化是通过函数 DAC_Init 完成的:

void DAC_Init(uint32_t DAC_Channel, DAC_InitTypeDef* DAC_InitStruct)

参数设置结构体类型 DAC_InitTypeDef 的定义:

typedef struct
{
uint32_t DAC_Trigger; 
//设置是否使用触发功能

uint32_t DAC_WaveGeneration; 
//设置是否使用波形发生

uint32_t DAC_LFSRUnmask_TriangleAmplitude; 
//设置屏蔽/幅值选择器,这个变量只在使用波形发生器的时候才有用

uint32_t DAC_OutputBuffer;  
//设置输出缓存控制位
}
DAC_InitTypeDef;

实例代码:

DAC_InitTypeDef DAC_InitType;
DAC_InitType.DAC_Trigger = DAC_Trigger_None;  
//不使用触发功能  TEN1=0

DAC_InitType.DAC_WaveGeneration = DAC_WaveGeneration_None;
//不使用波形发生

DAC_InitType.DAC_LFSRUnmask_TriangleAmplitude = DAC_LFSRUnmask_Bit0;
DAC_InitType.DAC_OutputBuffer = DAC_OutputBuffer_Disable ;  
//DAC1 输出缓存关闭 

DAC_Init(DAC_Channel_1,&DAC_InitType);    
//初始化 DAC 通道 1

4)使能 DAC 转换通道

初始化 DAC 之后,理所当然要使能 DAC 转换通道,库函数方法是:

DAC_Cmd(DAC_Channel_1, ENABLE);
//使能 DAC1

5)设置 DAC 的输出值。

通过前面 4 个步骤的设置,DAC 就可以开始工作了,我们使用 12 位右对齐数据格式,所以我们通过设置 DHR12R1,就可以在 DAC 输出引脚(PA4)得到不同的电压值了。库函数的函数是:

DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_12b_R, 0);

第一个参数设置对齐方式,可以为 12 位右对齐 DAC_Align_12b_R,12 位左对齐DAC_Align_12b_L 以及 8 位右对齐 DAC_Align_8b_R 方式。第二个参数就是 DAC 的输入值了,这个很好理解,初始化设置为 0。

这里,还可以读出 DAC 的数值,函数是:

DAC_GetDataOutputValue(DAC_Channel_1);

以下为代码:

//DAC通道1输出初始化
void Dac1_Init(void)
{
    GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
    DAC_InitTypeDef DAC_InitType;
    
    RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA, ENABLE );
    //使能PORTA通道时钟
    RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_DAC, ENABLE );
    //使能DAC通道时钟
    
    GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_4;
    // 端口配置
     GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AIN;
     //模拟输入
     GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
     GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);
    GPIO_SetBits(GPIOA,GPIO_Pin_4);
    //PA.4 输出高
    
    DAC_InitType.DAC_Trigger=DAC_Trigger_None;
    //不使用触发功能 TEN1=0
    DAC_InitType.DAC_WaveGeneration=DAC_WaveGeneration_None;
    //不使用波形发生
    DAC_InitType.DAC_LFSRUnmask_TriangleAmplitude=DAC_LFSRUnmask_Bit0;
    //屏蔽、幅值设置
    DAC_InitType.DAC_OutputBuffer=DAC_OutputBuffer_Disable ;
    //DAC1输出缓存关闭 BOFF1=1
    DAC_Init(DAC_Channel_1,&DAC_InitType);
    //初始化DAC通道1
    
    DAC_Cmd(DAC_Channel_1, ENABLE); 
    //使能DAC1
    DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_12b_R, 0);
    //12位右对齐数据格式设置DAC值
}
//设置通道1输出电压
//vol:0~3300,代表0~3.3V
void Dac1_Set_Vol(u16 vol)
{
    float temp=vol;
    temp/=1000;
    temp=temp*4096/3.3;
    DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_12b_R,temp);
    //12位右对齐数据格式设置DAC值
}

在使用的过程中,只需要调用 DAC_SetChannel1Data(DAC_Align_12b_R,temp);该函数就可以随意设定需要输出的电压值。

本文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-24219701-id-4101802.html
免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。

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