Nexperia

器件可完全避免尖峰和脉冲的影响

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET(配电阻晶体管)系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量,可用于48 V汽车板网(如轻度混合动力和EV汽车)和其他更高电压的电路,这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响,以前的50 V器件无法处理。


通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET(两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻), Ptot为350 mW,可实现更高集成度并节省更多成本。

新系列(NHDTx和NHUMx)包括42个具有PNP/NPN组合的器件,这些器件带有与Nexperia的50 V器件相同的偏置电阻组合。器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

Nexperia产品组经理Frank Matschullat评论道:“新型EV应用的设计工程师可以使用Nexperia的新型RET来简化系统设计、节省PCB空间、减少贴片时间并提高可靠性,从而确保系统能够满足未来需求。除了48 V汽车电路驱动器应用外,通用开关和放大及其他数字系统也将从这些新型高压器件中受益。”

80 V RET现在提供SOT23、SOT323和SOT363封装。更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问www.nexperia.com/RETs

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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兼容AOI;出色的RF性能

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装,带有可湿锡焊接侧焊盘,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准,同时提供行业领先的ESD和RF性能,节省了PCB空间。

Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少80%。尽管如此,由于包含散热器和导热垫片的内部引线框架更大,该封装中组装的产品具有改进的热特性。

PESD2CANFDx二极管还具有稳健的ESD保护,可提供出色的系统级保护性能。这是因为部件钳位电压极低,IPP = 1 A时仅为33 V,动态电阻低至0.7 Ω。Nexperia ESD保护器件还提供非常优秀的RF开关参数,300 MHz时的混合模式插入损耗仅为+20 dB,实现了出色的信号完整性。

Nexperia产品经理Lukas Droemer评论道:“CAN-FD是汽车车载网络中的重要总线,但器件需要保护以免遭ESD损害。汽车应用的另一个基本要求是能够使用AOI。我们的无引脚封装新器件同时满足上面两个要求,可作为有引脚SMD封装的高性能替代方案。PESD2CANFDx系列满足所有CAN (FD)规格要求,甚至高出AEC-Q101要求两倍。”

目前,适用于汽车和工业应用(包括CAN/CAN-FD、FlexRay、SENT和LVDS)的DFN1412D-3和DFN1110D-3封装提供20款器件。更多详细信息,请见https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/getting-esd-prote....

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Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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符合AEC-Q101标准的DFN2020D-6器件可节省90%PCB空间;

可焊性侧面可实现自动光学检测(AOI)并提高可靠性

2020年10月12日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布新推出一系列LED驱动器,采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装,能有效节省空间。LED驱动器带可焊性侧面(SWF),可促进实现AOI(自动光学检测)并提高可靠性。这是LED驱动器首次采用这种有益封装。新量产的无引脚的产品加入已经量产的带引脚的产品提供更广的产品组合,新产品与SOT223相比,在具备同等性能的情况下,将PCB空间减少了90%。

新推出的DFN2020D-6 LED驱动器采用NPN和PNP技术,管脚尺寸仅为2x2 mm,外形尺寸为0.65 mm。该器件拥有250 mA的输出电流(NCR32x型号)和75 V的最大电源电压。它们的高热功率性能不低于带有其他封装的LED驱动器。

该器件不仅能够实现对汽车客户至关重要的AOI,同时还能提高可靠性。与不带可焊性侧面的器件相比,带有可焊性侧面的器件更能抵抗剪切力,弯曲性更强,不易断裂。

Nexperia产品组经理Frank Matschullat评论道:“带SWF、采用DFN2020D封装的新器件解决了尺寸、性能和坚固性的问题。该器件非常适合通用照明、白色家电和汽车。Nexperia致力于提供采用DFN技术的各种分立器件产品组合,因此LED驱动器采用这种坚固耐用、节省空间的封装也是自然而然的。当然,器件也会采用引脚SMD封装,客户可以根据自己的需求进行选择。”

四款DFN2020D-6 LED驱动器目前已进入量产阶段。更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问www.nexperia.com/led-driver

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凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia:效率致胜。

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具有超宽差分通带的高效组合功能的器件

2020年9月29日:半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C,这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准,能够轻松通过眼图测试。

Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说:“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,这需要更优秀的抗干扰保护,尤其是在紧凑的无线应用中,这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求的设计。”

这款高度集成的PCMFxHDMI2BA-C器件具有出色的共模衰减:-19.4 dB(3 GHz)和-16 dB(6 GHz),器件在16 A TLP传输线路脉冲时提供7.4 V的钳位电压(在8 A时为5 V)时,ESD性能也非常出色。对于200 ps的上升时间,TDR阻抗下降低于10 Ω。线圈对的电感进一步降低了ESD峰值电压,同时差分信号的电感也很低。最后,这些部件支持针对HDMI的一个、两个或三个差分线对的保护滤波。同时还提供不带滤波器、与管脚尺寸兼容的ESD保护器件。

除HDMI 2.1外,此款具有ESD保护的共模滤波器还适用于其他高速串行接口,包括HDMI 2.0、HDIM 1.4、MIPI和显示端口。

Nexperia的PCMFxHDMI2BA基于晶圆级芯片封装,可消除封装寄生对性能的影响,并且坚固耐用,已通过1,500次跌落测试。器件现已上市。

更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问 www.nexperia.com/HDMI-AND-DISPLAYPORT-PROTECTION

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凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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相比现有SMD器件可节省90%空间,支持AOI检测

6月23日,半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出面向汽车应用领域符合AEC-Q101的业界最宽广的分立半导体产品组合,该系列器件采用了具有高热效率、节省空间、兼容AOI检测等优点的DFN(分立式扁平无引脚)封装,涵盖Nexperia的所有产品组合,包括开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管(BJT)、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。

Nexperia提供多种汽车级分立器件无引脚封装,从小尺寸DFN1006BD-2 (1 x 0.6 x 0.5 mm)到DFN2020D-3 (2 x 2 x 0.65 mm),包括最近发布的DFN1110D-3DFN1412D-3。DFN器件尺寸可小至0.6 mm2,与现有的SOT23器件相比,可节省90%的PCB空间。凭借出色的热性能(RTHJ-S),不仅可在更小的DFN空间内提供同等甚至更好的热功耗,而且这些封装散热更好,系统整体性能更可靠。Nexperia DFN封装技术支持最高175°C的TJ 。

AOI对于某些应用(尤其是汽车领域)至关重要,因此Nexperia于2010年率先开发出带可焊性侧面(SWF)的DFN封装,现在带SWF封装的器件已成为公认的成熟解决方案。借助SWF,可以在焊接后检查可见焊点。与不带SWF的器件相比,带有SWF的DFN封装的另一个好处是与PCB连接能够实现更高的机械强度。SWF可增加剪切力,并提高电路板的抗弯曲能力。

Nexperia双极型分立器件事业部副总裁兼总经理Mark Roeloffzen表示:“Nexperia的汽车级DFN封装系列为工程师提供了更多的选择:采用现有的有引脚SMD封装开发应用,或者采用节省空间的DFN封装。我们致力于通过封装创新引领市场发展,提供采用DFN封装的各种分立器件产品组合,以满足客户需求。”

目前采用DFN封装的分立半导体已投入量产,Nexperia将在2020年释放更多产能,为业界提供全面的分立器件产品组合。现有类型包括标准的高功率产品,例如BC847、BC817和BAV99等等。

如需了解符合AEC-Q101标准、带SWF的新型DFN封装分立器件产品组合的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/automotiveDFN

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凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK

Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。

新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件,将导通电阻值进一步降低到39mΩ(最大值,25℃的典型值为 33mΩ)。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准,可满足汽车应用的要求。

Nexperia氮化镓战略营销总监 Dilder Chowdhury表示:“客户需要导通电阻RDS(on)为30~40mΩ的650V新器件,以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 以及1.5~5kW钛金级的工业电源,比如:机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。Nexperia持续投资氮化镓开发,并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片,并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。”

Nexperia 的 CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗,优化电气和热性能,并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置,使其更通用,并有助于进一步改善散热。

650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB目前均可提供样品。有关更多信息,包括产品规格和数据表,请访问:www.nexperia.com/gan-fets

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符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性

奈梅亨,2020年5月27日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场,尤其适合高温应用,例如,LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域,在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时,工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管,优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr,使传导损耗降低10-20%。

PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。封装采用实心铜夹片,降低热阻,优化热传输至周围环境,使PCB更小、更紧凑。此外,使用SiGe技术,能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。

Nexperia产品经理Jan Fischer评论道:“使用Nexperia的创新型锗化硅技术,让工程师有更多选择来设计电源电路,最终构建引领市场的产品,这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充,该产品采用夹片粘合FlatPower (CFP)封装,包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外,我们还将继续扩展产品组合,始终为客户提供符合其应用的产品。”

第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。如需了解SiGe整流器的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/sige-rectifiers,或直接接洽您的Nexperia联系人。

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符合AEC-Q101标准,适合汽车应用

奈梅亨,2020年5月7日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择,导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。事实证明,该封装的可靠性远高于AEC标准要求,超出关键可靠性测试指标2倍,同时独特的封装结构还提高了板级可靠性。 以前只有N沟道器件才采用LFPAK封装。现在,由于工业需求,Nexperia扩展了LFPAK56产品系列,将P沟道器件也囊括在内。

Nexperia产品经理Malte Struck评论道:“新款P沟道MOSFET面向极性反接保护;作为高边开关,用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5G基站等工业应用场景。”

采用LFPAK56封装的P沟道MOSFET现已上市。更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问www.nexperia.com/lfpak56

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采用易于使用的封装,适用于可穿戴设备和大批量应用

奈梅亨,2020年4月22日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程,这些新器件提供低导通电阻RDS(on),与竞争对手产品相比减小了60%以上,它们还具备优良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS电压阈值,这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。

Nexperia产品经理Sandy Wang评论道:“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET,用以提供领先的性能和效率,从而实现越来越多的复杂功能。Nexperia拥有很高产能和制造能力,能够进行扩产,以最大限度地满足市场需求。”

采用新型DFN0606封装的九款PMH器件现已上市。有关更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/dfn0606-mosfets-e...

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TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性

奈梅亨,三月 10, 2020:Nexperia,分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/20 µs)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

Nexperia产品经理Stefan Seider评论道:“为避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着,该器件可放置在USB Type-C®连接器后面,用于保护耦合电容,同时仍与USB3.2向后兼容。”

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势,包括电感极低,可提供快速保护,并且可集成到单片电路中,无需焊线,从而减少了机械应力和热应力。

如需了解新款ESD保护器件PESD2V8R1BSF的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问www.nexperia.com/USB4protection

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