碳化硅

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。

为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。

应用

・用于轨道车辆的逆变器和转换器

・可再生能源发电系统

・工业电机控制设备

特性

・漏源额定电压: VDSS =3300V

・漏极额定电流: ID =800A双通道

・宽通道温度范围: Tch =175℃

・低损耗:

Eon =250mJ(典型值)

Eoff =240mJ(典型值)

VDS(on)sense =1.6V(典型值)

・低杂散电感: Ls =12nH(典型值)

・高功率密度的小型iXPLV封装

主要规格

(除非另有说明,@Tc =25℃)

器件型号

MG800FXF2YMS3

封装

iXPLV

额定最大绝对值

漏源电压VDSS(V)

3300

栅源电压VGSS(V)

+25/-10

漏极电流(DC)ID(A)

800

漏极电流(脉冲)IDP(A)

1600

通道温度Tch(℃)

175

隔离电压Visol(Vrms)

6000

电气特性

漏源电压导通电压(感应)

VDS(on)sense典型值(V)

VGS=+20V时,

ID=800A

1.6

源漏电压导通电压(感应)

VSD(on)sense典型值(V)

VGS=+20V时,

IS=800A

1.5

源漏电压关断电压(感应)

VSD(off)sense典型值(V)

VGS=-6V时,

IS=800A

2.3

杂散电感模块LSPN典型值(nH)

12

导通开关损耗

Eon典型值(mJ)

VDD=1800V时,

ID=800A、

Tch=150℃

250

关断开关损耗

Eoff典型值(mJ)

VDD=1800V时,

ID=800A、

Tch=150℃

240

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:

MG800FXF2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.MG800FXF2YMS3.html

如需了解相关东芝SiC功率器件的更多信息,请访问以下网址:

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社,融新公司活力与经验智慧于一身。自2017年7月成为独立公司以来,已跻身通用元器件公司前列,为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

公司24,000名员工遍布世界各地,致力于实现产品价值的最大化。东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作,旨在促进价值共创,共同开拓新市场,实现了超过7500亿日元(68亿美元)的年销售额。公司期望为世界各地的人们建设更加美好的未来。

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba-semicon-storage.com

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优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度

2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。


安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能,因而提高系统级能效、功率密度,及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。 这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时说:“在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用, 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗,从而提高能效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”

新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。

更多资源及文档:

登陆页:宽禁带方案
产品页:650 V SiC MOSFET

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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以满足未来效能及功率密度预期
新的N沟道MOSFET产品具备众多令人叹服的性能

欧时电子(RS Components,简称:RS)是Electrocomponents plc公司(全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴)(伦敦证交所:ECM)的一个贸易品牌,现在中国和日本引进了安森美最新的1200V碳化硅(SiC) MOSFET(场效应晶体管)。这些基于碳化硅技术的功率分离元件能够挑战性能极限。

ON Semiconductor

新的N沟道碳化硅MOSFET支持加速开关(上升时间仅10ns)。导通电阻数值下降到了20mΩ,门极电荷值更低。功耗更小。该系列产品更加稳健,能够应对超高电流浪涌脉冲。它们的电介质击穿场强比同等硅场效应晶体管大一个量级,工作温度介于-55°C至+175°C。

该系列1200V的安森美碳化硅MOSFET采用表面贴装D2PAK7封装和TO247封装。它们不含铅,完全符合RoHS环保要求并100%接受了UIL测试。主要应用包括不间断电源、电动车充电站、直流/直流转换器、电机控制系统及太阳能逆变器。

目前,该系列N沟道碳化硅场效应晶体管碳化硅MOSFET可在RS中国和RS日本的官网上采购。

关于欧时电子元件

欧时电子(RS Components,简称:RS)是Electrocomponents plc——全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴的一个贸易品牌。致力于为参与设计、建造或维护工业设备和设施的工业客户和供应商提供服务。我们的目标是为客户提供无与伦比的产品技术选择,运用创新解决方案来解决问题,并提供一流的客户体验,让客户能够更加轻松地与我们合作。

我们从2500多家主流供应商那里代理了超过60万件工业和电子产品。我们为一百多万客户解决问题并提供广泛的增值解决方案。我们的业务遍布32个国家和地区,通过多种渠道进行贸易,每天发出超过50,000件包裹。

RS中国网址:https://rsonline.cn/web/
RS日本网址:https://jp.rs-online.com/web/

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台达的三相光伏逆变器得益于SiC技术的高能效

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一款适用于 太阳能逆变器应用 全SiC功率模块,该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用,用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V,40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani说:“碳化硅技术有潜力变革能源市场。安森美半导体开发的全SiC集成功率模块解决了太阳能逆变器在提升功率水平下对更高系统能效的需求,并证实SiC技术的成熟。”

台达光伏逆变器事业部主管Raymond Lee说:“我们专注于提供创新、清洁和节能的方案,以打造更美好的明天,我们一直在寻求与可帮助我们实现最高能效、减小产品体积和重量并满足全球太阳能光伏市场需求的供应商合作。选用安森美半导体的全SiC功率模块用于我们的M70A 70kW三相光伏组串逆变器,因为它们提供同类最佳的性能,再结合我们在高能效电力电子领域的独特专知,使我们的产品能实现高达98.8%的峰值能量转换能效。”

作为安森美半导体不断增长的基于宽禁带(WBG)技术的功率集成模块(PIM)阵容的一员,NXH40B120MNQ集成度高,引脚分配针对逆变器设计进行了优化。 通过使用SiC器件,功率模块提供低导通和开关损耗,从而支持使用更高的开关频率,有助于提高逆变能效。 这些模块易于使用,可根据客户的喜好,采用无焊压合连接和客户定义的热接口选项。

NXH40B120MNQ全SiC电源模块有2通道和3通道版本,还有2通道模块NXH80B120MNQ0,集成了一个1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二极管。

更多资源及文档:

登陆页: 太阳能方案 宽禁带方案

视频: 太阳能家居和电池储能演示

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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