栅极驱动

英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8 栅极驱动 IC 产品系列,以满足移动网络基础设备DC-DC 电信砖的增长需求。这些双通道接面隔离式栅极驱动 IC 能为隔离式 DC-DC 降压转换器/电信砖提供高功率密度、高效率和耐用度,助力打造 5G 和 LTE 电信基础设备的宏基站。

新款 2EDL8 系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培) 版本适合用于改装设计,领先业界的 4A(安培) 版本则适用于降低 MOSFET 开关耗损。

2EDL802x 的双通道可分别独立运作,是一次侧对角驱动全桥及二次侧同步整流级用于降低续流(freewheeling)损耗的理想选择。2EDL812x 采用差分输入结构,并内置直通(shoot-through)保护,是 DC-DC 砖式转换器非对角驱动一次侧半桥级的完美选择。

2EDL8 具备整合式 120V自举二极管和精准的通道对通道传播延迟匹配 (典型值 ± 2 ns)。此系列所有产品皆采用符合业界标准的 PG-VDSON-8 无引线封装和引脚输出。

供货情况

EiceDRIVER 2EDL 系列所有四个产品版本现已开始供应。如欲了解详细信息,敬请访问: www.infineon.com/2EDL8

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年(截止9月30日),公司的销售额达85亿欧元,在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月,英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购,成功跻身全球十大半导体制造商之一。

英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。更多信息,请访问www.infineon.com

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英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK® 1212-8S封装

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

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