二极管

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,电路中常把它用在整流、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后,其两端的电压基本 保持不变。而整流二极管反向击穿后就损坏了.这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动, 或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

整流二极管和稳压二极管都是PN半导体器件.所不同的是整流二极管用的是单向导电性.稳压二极管是利用了其反向特性.在电路中反向联接。


开关二极管:

开关二极管开关速度高,即应用频率高。开关二极管高频性能良好,主要用于开关电路作为电子开关使用。

开关二极管高频性能良好,主要用于开关电路作为电子开关使用,而整流管一般高频性能不是很好(开关电源中的整流管高频性能也很好),主要用于对工频电流整流。它通常工作于高电压大电流状态。

开关二极管是半导体二极管的一种,是为在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。

稳压二极管:

此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器件或电压基准元件使用。

稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。

稳压二极管要工作有两个条件:

1、反向加在稳压二极管上的电压要大于稳压管的稳压值。

2、通过稳压管的电流要达到其工作条件(也就是反向电流要足够大,一般至少是几个mA)。你按我说的搭电路,假定是6.2V稳压管,电源正极(9V)——电阻(R)——稳压管负极——稳压管正极——电源负极。这个电阻要根据稳压管的参数计算过,假定稳压的时候,电流是5mA,则电阻的大小=(9-6.2)/5mA=1.4K左右,你用一个1K的电阻就可以了。然后你再用万用表去测稳压管负极与地的电压,基本上就在6.2V附近,也就是稳压了。

整流二极管:

1、整流二极管用在工频大电流领域。整流管一般高频性能不是很好(开关电源中的整流管高频性能也很好),主要用于对工频电流整流。它通常工作于高电压大电流状态。整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件

2、整流二极管的工作频率低,有电压和电流的要求指标。二极管的基本特性是单向导电性。整流二极管的工作频率低,有电压和电流的要求指标。而普通二极管有许多种类,有的可用作为整流,有的可用作为检波、限幅、开关等,但不一定都能用作为整流。不过,只要在电压和电流上满足整流的要求,一般的二极管都可以作为整流管;但是整流管却不一定能够胜任检波、开关等工作。

3、单向导通电流,当二极管二端加正向电压时,二极管导通;当二极管二端加反向电压时二极管截止。可用于整流等电路中。

来源:畅学电子,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。

围观 9

兼容AOI;出色的RF性能

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装,带有可湿锡焊接侧焊盘,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准,同时提供行业领先的ESD和RF性能,节省了PCB空间。

Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少80%。尽管如此,由于包含散热器和导热垫片的内部引线框架更大,该封装中组装的产品具有改进的热特性。

PESD2CANFDx二极管还具有稳健的ESD保护,可提供出色的系统级保护性能。这是因为部件钳位电压极低,IPP = 1 A时仅为33 V,动态电阻低至0.7 Ω。Nexperia ESD保护器件还提供非常优秀的RF开关参数,300 MHz时的混合模式插入损耗仅为+20 dB,实现了出色的信号完整性。

Nexperia产品经理Lukas Droemer评论道:“CAN-FD是汽车车载网络中的重要总线,但器件需要保护以免遭ESD损害。汽车应用的另一个基本要求是能够使用AOI。我们的无引脚封装新器件同时满足上面两个要求,可作为有引脚SMD封装的高性能替代方案。PESD2CANFDx系列满足所有CAN (FD)规格要求,甚至高出AEC-Q101要求两倍。”

目前,适用于汽车和工业应用(包括CAN/CAN-FD、FlexRay、SENT和LVDS)的DFN1412D-3和DFN1110D-3封装提供20款器件。更多详细信息,请见https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/getting-esd-prote....

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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作者:Frederik Dostal - ADI公司

在负载点(POL)降压转换器领域,同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比,此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高,因为与采用无源二极管的情况相比,低端开关承载电流时的压降更低。

但是,与异步开关稳压器相比,同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通,即使时间很短,也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此,出于安全考虑,需要在一定时间内保持两个开关都断开。这个时间称为开关稳压器的死区时间。但是,从开关节点到输出电压连接了一个载流电感(L1)。通过电感的电流永远不会发生瞬间变化。电流会连续增加和减少,但它永远不会跳变。因此,在死区时间内会产生问题。所有电流路径在开关节点侧中断。采用图1所示的理想开关,在死区时间内会在开关节点处产生负无穷大的电压。在实际开关中,电压负值将变得越来越大,直到两个开关中的一个被击穿并允许电流通过。

图1.用于降压转换、采用理想开关的同步开关稳压器。

大多数开关稳压器使用N沟道MOSFET作为有源开关。这些开关针对上述情况具有非常有优势的特性。除了具有本身的开关功能外,MOSFET还具有所谓的体二极管。半导体的源极和漏极之间存在一个P-N结。在图2中,插入了具有相应P-N结的MOSFET。由此,即使在死区时间内,开关节点的电压也不会下降到负无穷大,而是通过低端MOSFET中的P-N结(如红色所示)承载电流,直到死区时间结束并且低端MOSFET导通为止。

图2.用于降压转换的同步开关稳压器,采用N沟道MOSFET和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

图2.用于降压转换的同步开关稳压器,采用N沟道MOSFET和额外的肖特基二极管,可最大限度地减少干扰。

相应MOSFET中的体二极管有一个主要缺点。由于反向恢复现象,其开关速度非常低。在反向恢复时间内,电感(L1)导致开关节点处的电压下降到比地电压低几伏。开关节点处的这些陡峭的负电压峰值会导致干扰,此干扰会被容性耦合到其他电路段。通过插入额外的肖特基二极管可以最大限度地减少这种干扰,如图2所示。与低端MOSFET中的体二极管不同,它不会产生反向恢复时间,并且在死区时间开始时能非常快速地吸收电流。这可减缓开关节点处的电压陡降。可减少由于耦合效应而产生并分布到电路上的干扰。

肖特基二极管可以设计得非常紧凑,因为它仅在死区时间内短时间承载电流。因此,其温升不会过高,可以放置在小尺寸、低成本的产品外壳中。

作者简介

Frederik Dostal曾就读于德国埃尔兰根-纽伦堡大学微电子学专业。他于2001年开始工作,涉足电源管理业务,曾担任多种应用工程师职位,并在亚利桑那州凤凰城工作了四年,负责开关模式电源。Frederik于2009年加入ADI公司,担任欧洲分公司的电源管理技术专家。联系方式:frederik.dostal@analog.com

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新产品通过汽车电子委员会(AEC)-Q101认证,旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性

汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项。

Microchip新推出的器件通过了AEC-Q101认证,对于需要在提高系统效率的同时保持高质量的电动汽车电源设计人员来说,可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,实现稳定和持久的应用寿命。新器件卓越的雪崩整流性能使设计人员可以减少对外部保护电路的需求,降低系统成本和复杂性。

Microchip分立产品业务部副总裁Leon Gross表示:“作为汽车行业的长期供应商,Microchip持续拓展车用电源解决方案,引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案,帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC),同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。”

Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅(SiC)技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂,可通过灵活的制造方案提供高质量器件,帮助最大限度地降低供应链风险。

经过Microchip内部以及第三方测试,关键可靠性指标已经证明,与其他厂商生产的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持稳定,有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明,Microchip 的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)在非箝位电感开关(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高温下电流泄漏水平最低,从而可以延长系统寿命,实现更可靠的运行。

Microchip 的 SiC 汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合,为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率模块的广泛产品组合。此外,Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。

开发工具

Microchip 通过 AEC-Q101 认证的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB® Mindi™ 模拟仿真器。同时还提供Microchip SBD(1200V, 50A)作为功率级的一部分的PLECS参考设计模型,即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。

供货与定价

Microchip车用的700和1200V SiC SBD器件(也可作为功率模块的裸片)已经通过AEC-Q101认证,现已开始接受批量订单。如需了解更多信息,请联系Microchip销售代表、全球授权经销商或访问Microchip网站。

资源

可通过Flickr或联系编辑获取高分辨率图片(可免费发布):
应用图:
https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/50465919293
产品图:https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/50466787887

Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com

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适用于消费类电子产品、医疗设备中的Vbus、便携式电池和按钮/开关保护

2020年10月21日,领先电路保护、电源控制和感应技术的全球制造商Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布推出新的50 A单向瞬态抑制二极管阵列系列(SPA®二极管)。与市场上现有的解决方案相比, SP1250-01ETG 50单向瞬态抑制二极管阵列可凭借较低的钳位电压和低泄漏电流提供出色的保护,同时节省印刷电路板空间。

SP1250-01ETG的典型市场和应用包括:

  • 消费电子产品 - 台式机、服务器和笔记本电脑
  • 计算机外围设备
  • 医疗设备
  • 销售点(POS)终端
  • 测试设备/仪器
  • 便携式电池

SP1250分散式单向瞬态抑制二极管采用专有的硅雪崩技术制造。该二极管阵列可为消费电子设备提供高ESD(静电放电)保护。SP1250系列产品可安全地吸收±30 kV(IEC 61000-4-2中定义的接触和空气放电)的反复性ESD震击,而无需担心其性能退化。每台设备可耗散高达50 A 8/20 μs的浪涌事件。

“将SP1250融入消费电子产品的设计之后,即使在恶劣环境中,也能为产品的电源线提供超强的ESD抑制和出色的浪涌保护。”瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)产品经理Jia Zhu表示。“这种设计选择将为最终用户带来较高的可靠性和更长的使用寿命。”

SP1250-01ETG系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势:

  • 对因高浪涌能力(50 A, tP=8/20 μs)和低钳位性能(8.7V;典型值,Ipp=50 A)造成的电气威胁进行可靠防护。
  • 因低泄漏电流而延长了使用寿命(5 V下为0.02 μA(典型值))。
  • 紧凑的SOD-882 DFN封装(0402占用空间),易于安装在较小的PCB空间内。
  • 作为通过AEC-Q101认证的解决方案,具有高度可靠的性能。

供货情况

SP1250-01ETG系列提供3,000只装卷带封装。样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。如需了解Littelfuse 授权销商名单,可访问 Littelfuse.com。

更多信息

可通过以下方式查看更多信息: SP1250-01ETG系列产品页面。如有技术问题,请联系瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)业务开发总监Tim Micun: TMicun@littelfuse.com.

关于Littelfuse

Littelfuse (NASDAQ: LFUS)是领先电路保护、功率控制和传感技术的全球制造商。我们的产品服务于超过100,000家终端客户,被应用于汽车和商用车、工业应用、数据和电信、医疗设备、消费电子产品和家电。全球各地超过11,000名员工与客户合作设计、生产和提供创新的高品质解决方案,打造更安全、更环保并且更加紧密相连的世界——无处不在,每时每刻。了解详情请访问 Littelfuse.com。

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二极管是电子电路中很常用的元器件,非常常见,二极管具有正向导通,反向截止的特性。

在二极管的正向端(正极)加正电压,负向端(负极)加负电压,二极管导通,有电流流过二极管。在二极管的正向端(正极)加负电压,负向端(负极)加正电压,二极管截止,没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。

二极管的单向导电性

二极管是由PN结组成的,即P型半导体和N型半导体,因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如图1所示。

图1 PN结示意图

在P型和N型半导体的交界面附近,由于N区的自由电子浓度大,于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散;扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电,靠N区一侧带正电,形成由N区指向P区的电场,即PN结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散,又称为阻挡层。

PN结详解

二极管的单向导电特性用途很广,到底是什么原因让电子如此听话呢?它的微观机理是什么呢?这里简单形象介绍一下。

假设有一块P型半导体(用黄色代表空穴多)和一块N型半导体(用绿色代表电子多),它们自然状态下分别都是电中性的,即不带电。如图2所示。

图2 P型和N型半导体

把它们结合在一起,就形成PN结。边界处N型半导体的电子自然就会跑去P型区填补空穴,留下失去电子而显正电的原子。相应P型区边界的原子由于得到电子而显负电,于是就在边界形成一个空间电荷区。为什么叫“空间电荷区”?是因为这些电荷是微观空间内无法移动的原子构成的。

空间电荷区形成一个内建电场,电场方向由N到P,这个电场阻止了后面的电子继续过来填补空穴,因为这时P型区的负空间电荷是排斥电子的。电子和空穴的结合会越来越慢,最后达到平衡,相当于载流子耗尽了,所以空间电荷区也叫耗尽层。这时PN结整体还呈电中性,因为空间电荷有正有负互相抵消。如图3所示。

图3 PN结形成内建电场

外加正向电压,电场方向由正到负,与内建电场相反,削弱了内建电场,所以二极管容易导通。绿色箭头表示电子流动方向,与电流定义的方向相反。如图4所示。

图4 正向导通状态

外加反向电压,电场方向与内建电场相同,增强了内建电场,所以二极管不容易导通。如图5所示。当然,不导通也不是绝对的,一般会有很小的漏电流。随着反向电压如果继续增大,可能造成二极管击穿而急剧漏电。

图5 反向不导通状态

图6是二极管的电流电压曲线供参考。

图6 二极管电流电压曲线

图7形象的展示了不同方向二极管为什么能导通和不能导通,方便理解。

图7 不同方向导通效果不同

生活中单向导通的例子也不少,比如地铁进站口的单向闸机,也相当于二极管的效果:正向导通,反向不导通,如果硬要反向通过,可能就会因为太大力“反向击穿”破坏闸机了。

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为了提高电网的功率因数,减少干扰,平板电视的大多数电源都采用了有源PFC电路,尽管电路的具体形式繁多,不尽相同,工作模式也不一样(CCM电流连续型、DCM不连续型、BCM临界型),但基本的结构大同小异,都是采用BOOST升压拓扑结构。

如下图所示,这是一典型的升压开关电源,基本的思想就是把整流电路和大滤波电容分割,通过控制PFC开-关管的导通使输入电流能跟踪输入电压的变化,获得理想的功率因数,减少电磁干扰EMI和稳定开关电源中开关管的工作电压。

升压PFC电感上的二极管原来是这个作用!

上图是一个广泛应用的升压型开关电源拓扑,相信大家并不陌生。在这个电路中,PFC电感L在MOS开关管Q导通时储存能量,在开关管截止时,电感L上感应出右正左负的电压,将导通时储存的能量通过升压二极管D1对大的滤波电容充电,输出能量。Boost升压PFC电感L上都并连着一个二极管D2。

观点众说纷纭

关于这个二极管的作用,在电源工程师中有一些不同的看法,摘录如下:

说法一:减少浪涌电压对电容的冲击在开机瞬间限制PFC电感L因浪涌电流产生巨大的自感电势,从而造成电路故障。每次电源开关接通瞬间加到电感上的可以是交流正弦波的任意瞬时值,如果在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值峰点附近,那么给电感所加的是一个突变的电压,会引起电感L上产生极大的自感电势,该电势是所加电压的两倍以上,并形成较大的电流对后面的电容充电,轻则引起输入电路的保险丝熔断,重则引起滤波电容及斩波开关管Q击穿。设置保护二极管D2后在接通电源的瞬间,由D2导通并对C充电,使流过PFC电感L的电流大大减小,产生的自感电势也要小得多,对滤波电容和开关管的危害及保险丝的熔断可能要小得多。

说法二:减少浪涌电压对升压二极管的冲击该二极管分流一部分PFC电感和升压二极管支路的电流,因而能对升压二极管起保护作用。

误区解析

以上的观点都提到了该二极管D2的保护作用,都有一定的道理,但上述的有些解释有值得商榷的地方。

大家知道:PFC电路后面大的储能滤波电容C和PFC电感L是串联的,由于电感L上的电流不能突变.PFC电感本身对大的滤波电容C的浪涌电流起限制作用,不会出现观点一提到的“电源开关接通的瞬间电感L1上产生极大的自感电势时电容的充电的情况,”因为自感电势的方向也是左正右负,此观点令人费解。并联保护分流二极管D2以后,这一路由于没有电感的限制作用,对滤波电容的冲击反而会更大,不会减小。实践也证明,去掉二极管D2后,电容C上的浪涌冲击反而减小。观点二保护升压管D1说法,有一定的道理,因为D1是快速恢复二极管,承受浪涌电流的能力较弱,减小反向恢复电流和提高浪涌电压承载力是相互牵制的,而D1所采用的普通整流二极管承受浪涌电流的能力很强,如1N5407的额定电流3A,浪涌电流可达200A。不过由于升压二极管D1有串接的PFC电感L的限流作用,笔者认为保护二极管D2的最主要作用还不仅仅是保护升压管D1。一些资料也有说明并联二极管D2是减少开机过程的浪涌电压,这个总体的说法没错,但我认为该保护二极管D2表面降低的是对PFC电感和升压二极管的浪涌冲击,但实际上还有一个重要的作用:保护PFC开关管。

在开机的瞬间,滤波电容的电压尚未建立,由于要对大电容充电,通过PFC电感的电流相对比较大,有可能在电源开关接通的瞬间是在正弦波的最大值,在对电容充电的过程中PFC电感L有可能会出现磁饱和的情况,如果此时PFC电路工作,就麻烦了,流过PFC开关管的电流就会失去限制,烧坏开关管。为防止悲剧发生,一种方法是对PFC电路的工作时序加以控制,即当对大电容的充电完成以后,再启动PFC电路;另一种比较简单的办法就是并接在PFC线圈和升压二极管上一个旁路二极管,启动瞬间给大电容的充电提供另一个支路,防止大电流流过PFC线圈造成饱和,避免PFC电路工作瞬间造成开关管过流,保护开关管,同时该保护二极管D2也分流了升压二极管D1上的电流,保护了升压二极管。另外,D2的加入使得对大电容充电过程加快,其上的电压及时建立,也能使PFC电路的电压反馈环路及时工作,减小开机时PFC开关管的导通时间,使PFC电路尽快正常工作。

综上所述,以上电路中二极管D2的作用是在开机瞬间或负载短路、PFC输出电压低于输入电压的非正常状况下给电容提供充电路径,防止PFC电感磁饱和对PFCMOS管造成的危险,同时也减轻了PFC电感和升压二极管的负担,起到保护作用。该二极管的作用仍然可以说是减少浪涌电压的冲击,但主要是为了减少浪涌电压对开关管造成的威胁,对升压二极管也有分流保护作用,而不是保护滤波电容的。在开机正常工作以后,由于D2右面为B+PFC输出电压,电压比左面高,D2呈反偏截止状态,对电路的工作没有影响,D2可选用可承受较大浪涌电流的普通大电流的整流二极管。

在有些电源中,PFC后面的电容容量不大,也有的没有接入保护二极管D2,但如果PFC后面是使用大容量的滤波电容,此二极管是不能减少的,对电路的安全性有着重要的意义。

文章来源于网络,版权归原作者所有。

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意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管

新二极管的厚度是1.0mm,比标准SMA和SMB封装产品薄50%,让设计人员能够在提高功率密度的同时节省空间。封装面积与标准SMA和SMB相同,可直接插入替换原来的器件。此外,与封装面积相同的标准解决方案相比,意法半导体新肖特基二极管的额定电流更高,现有的采用SMC二极管的电路可以考虑改用尺寸更小的意法半导体SMB 扁平封装器件,采用SMB的设计可以改用意法半导体的SMA扁平封装二极管。

这些新器件采用最先进的制造技术,低正向电压是其固有内在特性,可以为工业和消费应用带来优异的能效,例如,电源和辅助电源、充电器、数字标牌、游戏机、机顶盒、电动自行车、计算机外设、服务器、电信板卡和5G中继器。

意法半导体十年产品供货承诺保证新肖特基二极管长期供货无忧,SMA扁平封装分为30V/1A的 STPS130AFN和STPS1L30AFN两款产品,SMB 扁平封装包含200V/4A 的 STPS4S200UFN和100V/5A的 STPS5H100UFN两款产品。所有器件均规定了雪崩特性,并具有一个适合波峰焊和回流焊的开槽引线。

详情访问 www.st.com/stpower-flat-rectifiers

关于意法半导体

意法半导体拥有46,000名半导体技术、产品和方案的创新者和创造者,掌握半导体供应链和最先进的制造设备。作为一家独立的半导体设备制造商,意法半导体与十万余客户、上千合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,电力和能源管理更高效,物联网和5G技术应用更广泛。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com

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—— 业界最可靠的二极管阵列,可保护飞机、太空系统和关键基础设施免受浪涌、尖峰和静电的影响

航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路,而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压浪涌和尖峰,系统仍必须保持连续运行。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬态电压抑制器(TVS)垂直阵列产品组合——MDA3KP瞬态电压抑制器(TVS)。该3kW二极管系列拥有超过25款产品,具有不同的筛选级别、极性和认证标准。

Microchip的MDA3KP TVS二极管阵列系列提供集成的多二极管解决方案,是唯一可提供宽电压范围的技术,并已通过高可靠性标准测试,符合MIL-PRF-19500 JANTX级别的同等标准。这些电压钳位器件具有可快速反应的雪崩击穿二极管(ABD)特性,可转移敏感元件周围的过量电流,以保护其免受电气过载。

Microchip分立器件事业部副总裁Leon Gross表示:“数字控制、逻辑和诊断系统电路模块需要高度可靠、安全的电流和电源保护,以确保在极端环境下的运行。该二极管系列解决了系统设计人员面临的挑战,与其他器件相比,它具有更高效的垂直结构和更小的电路板空间需求。”

目前供货的MDA3KP TVS二极管阵列可满足以下筛选类型的行业标准:M、MA、MXL和MX。这些器件已经进行了不同级别的测试,以确保其满足航空电子设备环境测试标准RTCA DO-160E(雷电感应瞬态敏感度)中规定的飞机防雷要求。RTCA(美国航空无线电技术委员会)是致力于在航空现代化关键问题上达成共识的行业联盟。

MDA3KP TVS二极管阵列采用8个二极管垂直放置的结构,封装形式采用16引脚表面贴装。因为所需印刷电路板空间更小,且功率密度更高,该产品可实现高效布局和简化设计。MDA3KP TVS二极管阵列系列的所有器件均为垂直结构,可为一块印刷电路板上的8个更小器件供能,因此无需多个器件,便能实现更高功率。

该器件同时具有单向和双向结构,隔绝电压为6V至40V,根据IEC标准提供静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)保护,峰值脉冲功率额定值为3000瓦(10/1000 µs)。在-55℃至+150℃的扩展温度范围内,该器件具有批量可追溯性、浪涌测试和潮湿敏感度等级(MSL)1级——表明这些器件可在恶劣环境下使用。MSL表明使用前不需要干燥包装或烘干。MDA3KP TVS二极管阵列系列的额定功率是这一封装中具有该筛选级别的业界唯一可用技术。

Microchip的3kW MDA二极管系列为加固型手持式无线电、全球定位系统(GPS)、通信测试设备提供军用系统电路保护,同时也可应用于汽车、工业测井设备、供能和船舶系统。

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Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com

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