IGBT

过去，绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)在大功率 DC-DC 和 AC-DC 转换领域一直占主导地位，而新型宽禁带 (WBG) 半导体（如碳化硅 (SiC) MOSFET）现已问世，其额定功率高达数十千瓦，在并联时甚至更高。

英飞凌科技股份公司 推出 650 V 关断电压的 CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管。新款 CoolSiC™ Hybrid IGBT 结合了 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 和功率因数校正 （PFC）。

MOS管中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其输入阻抗高、开关速度快、热稳定性、电压控制电流等特性。IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管。是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管，而晶体三极管作为输出管。

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。

MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间，旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有TTL输入阈值。

本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。可以说，IGBT是一个非通即断的开关，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。