转换器

多数中间总线转换器(IBC)通过大型变压器实现从输入端到输出端的隔离。它们一般还需要一个电感用于输出滤波。这类转换器通常用于数据通信、电信以及医疗分布式供电架构。这些IBC的供应商数量众多,通常采用行业标准1/16、1/8和1/4砖墙式封装。对于一个典型的IBC,其额定输入电压为48 V或54 V,输出中间电压范围为5 V至12 V,输出功率为几百瓦特到数千瓦特不等。中间总线电 压用作负载点调节器的输入,负载点调节器则用于驱动FPGA、微处理器、ASIC、I/O和其他低压下游器件。

然而,在许多新型应用中,比如48 V直接转换应用,IBC中没有必要进行隔离,因为上游48 V或54 V输入已经与危险的市电隔离。在许多应用中,要使用非隔离IBC,就需要采用一个热插拔前端器件。结果,许多新型应用在设计时即集成了非隔离IBC,这样不但可以大幅降低解决方案的尺寸和成本,同时还能提高转换效率和设计灵活性。典型的分布式供电架构如图1所示。

“图1.
图1. 典型分布式供电架构。

既然有些分布式供电架构支持非隔离转换,我们就可以考虑在这种应用中采用单级降压转换器。该转换器的输入电压范围为36 V至 72 V,输出电压范围为5 V至12 V。来自ADI公司的LTC3891可以用于这种场合,当工作于150 kHz的较低开关频率时,其效率可达97%左右。当LTC3891工作于较高频率时,其效率会下降,因为当输入电压为较高的48 V时MOSFET开关损耗将增加。

新方法

新的创新型控制器设计方法将一个开关电容转换器与一个同步降压转换器结合起来。开关电容电路将输入电压降低2倍,然后馈入同步降压转换器。这种技术先将输入电压减小一半,然后降至目标输出电压,支持高得多的开关频率,因而能提高效率或大幅减小解决方案的尺寸。其他优势包括更低的开关损耗、更低的MOSFET电压应力,因为开关电容前端转换器具有内在的软开关特性,可降低EMI。图2所示为该组合是如何形成混合降压同步控制器的。

“图2.
图2. 一个开关电容和一个同步降压转换器组合成一个LTC7821混合转换器。

新型高效率转换器

LTC7821 将一个开关电容电路与一个同步降压转换器结合起来,与传统降压转换器替代方案相比,最高可使DC-DC转换器解决方案的尺寸减小50%。这一性能提升得益于其能够在不影响效率的前提下将开关频率提高至3倍。换句话说,在相同频率下工作时,基于LTC7821的解决方案效率可提高3%。此外,该器件采用软开关前端,具备低电磁干扰(EMI)优势,非常适合配电、数据通信和电信以及新兴48 V汽车系统中的新一代非隔离式中间总线应用。

LTC7821在10V至72V(绝对最大值为80 V)输入电压范围内工作,可产生数十安培的输出电流,具体取决于外部元件的选择。外部MOSFET的开关频率是固定的,可在200 kHz至1.5 MHz范围内设定。在典型的48 V至12 V/20 A应用中,LTC7821在500kHz开关频率下的效率可达97%。若要在传统的同步降压转换器中达到这一效率,唯一的办法就是将工作频率降低至三分之一,而这样做就必须使用更大的磁性元件和输出滤波元件。LTC7821配有强大的1 Ω N沟道MOSFET栅极驱动器,最大限度提高效率的同时可以并行驱动多个MOSFET以实现更高功率的应用。此外,该器件采用电流模式控制架构,因此可将多个LTC7821以并行、多相配置运行,从而在无热点的情况下,凭借出色的均流控制和低输出电压纹波支持高功率的应用。

LTC7821实现了多项保护功能,在广泛的各类应用中均能保持强劲性能。基于LTC7821的设计还可在启动时对电容进行预平衡,从而消除开关电容电路中经常出现的浪涌电流。LTC7821还能监视系统电压、电流,和温度故障并使用检测电阻实现过流保护。发生故障时,它会停止开关操作并将FAULT引脚拉低。此外,可以使用板载定时器设置适当的重启/重试时间。LTC7821的EXTVCC引脚可接入转换器的较低电压输出或其他可用电源(最高40 V)进行供电,从而降低功耗并提高效率。其他特性包括:整个温度范围内±1%的输出电压精度;用于多相工作模式的时钟输出;电源良好输出指示;短路保护;输出电压单调启动;可选外部基准电压源;欠压闭锁;以及内部电荷平衡电路。图3为LTC7821在将36 V至72 V输入转换为12 V/20 A输出时的原理图。

“图3.
图3. LTC7821原理图(36VIN至72VIN/12V/20 A输出)。

图4所示效率曲线是三类不同转换器在同一应用中的表现对比,该应用的作用是将48VIN转换为12VOUT/20 A,具体如下:

  • 工作频率为125 kHz的单级降压,采用6 V栅极驱动电压(蓝色曲线)
  • 工作频率为200 kHz的单级降压,采用9 V栅极驱动电压(红色曲线)
  • 工作频率为500 kHz的LTC7821混合式降压同步控制器,采用6 V栅极驱动电压(绿色曲线)

“图4.
图4. 效率对比与变压器尺寸缩减情况。

基于LTC7821的电路工作于最高为其他转换器三倍的频率时,其效率与其他解决方案相同。在此较高工作频率下,电感尺寸可减小56%,整个解决方案的尺寸最多可减小50%。

电容预平衡

在施加输入电压时或者转换器被使能时,开关电容转换器通常会承受很高的浪涌电流,可能使电源损坏。LTC7821集成了一种专有机制,可在转换器PWM信号被使能之前对所有开关电容进行预充电。从而将上电过程中的浪涌电流降至最低。另外,LTC7821还有一个可编程的故障保护窗口,可进一步确保功率转换器的可靠工作。这些特性使输出电压实现平滑软启动,就如任何其他常规型电流模式降压转换器一样。详情请参考LTC7821数据手册。

主控制环路

电容平衡阶段一结束,正常工作立即开始。MOSFET的M1和M3在时钟将RS锁存器置位时开启,在主电流比较器ICMP复位RS锁存器复位时关闭。然后,MOSFET的M2和M4开启。负责复位RS的ICMP处的电感峰值电流由ITH引脚上的电压控制,该电压是误差放大器EA的输出。VFB引脚接收电压反馈信号,EA将该信号与内部基准电压源进行比较。当负载电流增加时,结果会导致VFB相对于0.8 V的基准电压源略微下降,结果又会导致ITH电压增加,直到电感的平均电流与新的负载电流匹配为止。MOSFET的M1和M3关闭后,MOSFET的M2和M4开启,直到下一个周期开始。在M1/M3和M2/M4切换过程中,电容CFLY将交替与CMID串联或并联。MID处的电压约等于VIN/2。可见,这种转换器的工作方式与常规型电流模式降压转换器一样,只是逐周期限流较快、较准确且支持均流选项。

结论

在一个用于将输入电压减半的开关电容电路之后装一个同步降压转换器(混合型转换器),与传统降压转换器替代方案相比,最高可使DC-DC转换器解决方案的尺寸减小50%。这一性能提升得益于其能够在不影响效率的前提下将开关频率提高至3倍。也可以将转换器的工作效率提高3%,此时其尺寸与现有解决方案相当。这种新型混合式转换器架构还具有其他优势,包括有利于降低EMI和MOSFET应力的软开关特性。需要高功率时,可以轻松将多个转换器并联起来,实现有源精准均流。

本文转载自:亚德诺半导体
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Teledyne e2v 再次拓展旗下的数字模拟转换器(DAC)IC 产品。透过其附带的评估平台,工程师可以提早将新的硬件应用于设计项目中。该公司将在近期开始提供第一波的 EV12DD700 双信道 DAC 样本,其运作频率最高可达 Ka 波段。此 DAC 支持波束成形应用,主要用于任务关键性的微波系统。其拥有 25GHz 的输出带宽与仅仅 3dB 的衰减值。在衰减值仅些微高于 3dB 的情况下,带宽可更进一步大幅提升。每一个 DAC 皆内建一系列发展成熟的信号处理功能,包括可程序化的 anti-sinc 滤波器、直接数字合成(DDS)能力、可程序化的复频混波器(complex mixer),以及数字升频器(四个内插阶段、sinc 函数补偿)。

透过 EV12DD700 评估套件,工程师可以在今年稍后正式量产前抢先探索其主要的运作参数,包含高达 12.5GSamples/s 的取样频率。如此有助于工程师提早评估产品在其设计项目下的适用性。此外,使用者经注册后,可在接下来的数月内持续取得具有高度价值的实验室检测数据。

Teledyne e2V Semiconductors 的营销总监 Nicolas Chantier 表示:「为了让系统设定的过程能够更加快速、简单,越来越多的 RF 系统必须舍弃其对于硬件的重度仰赖,改为使用以软件为中心的架构。很显然地,大部分的发展都将以 Ka 频段为中心。透过支持更高频率的 EV12DD700,工程师将可以有办法把更高比例的 RF 硬件替换为程序代码。而我们的评估套件可以为他们提供一个具有优势的起点。」

关于 Teledyne e2v

Teledyne e2v 的创新技术引导着医疗保健、生命科学、航天、运输、国防、安全以及工业市场的发展。Teledyne e2v 独特的经营模式包含对市场与客户需求的尽心倾听与合作,并透过创新的标准化、半客制或全客制解决方案为客户创造额外价值。

网站:www.teledyne-e2v.com/products/semiconductors

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意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。

VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。

单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副边稳压隔离反激式转换器、电阻反馈非隔离反激式转换器、降压转换器和降压 - 升压转换器。

市场上最高的MOSFET击穿电压,结合片上集成的一整套功能,需要极少的外部电路,这些特性使设计人员能够节省物料清单成本和电路板空间,同时提高电源的可靠性,例如,单相和三相智能电表、三相工业系统、空调和LED照明的电源。

新产品还有很多其它优点,例如,内部固定开关频率60kHz,抖动±4kHz,配合MOSFET开通和关断期间栅极电流控制功能,可以最大限度地降低开关噪声辐射。高转换效率和低于30mW的空载功耗,有助于应用达到高能效等级和严格的生态设计要求。

VIPer26K现已投产,采用SO-16N封装。

详情访问 www.st.com/viper26k-pr

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Marvell 88SN2400能够将NVMe SSD转换为NVMe-oF SSD,实现最佳的高性能分类式存储,从而降低云和企业数据中心应用的总体拥有成本

美国加利福尼亚州圣克拉拉市(2018年8月10日) - Marvell®(NASDAQ:MRVL)宣布推出业界首款面向云和企业数据中心市场的NVMe over Fabric™(NVMe-oF™)固态硬盘(SSD)转换器控制器88SN2400。这款控制器经过精心设计和优化,可将NVMe™SSD转换为NVMe-oF SSD,能够提供革命性的架构来增大数据中心内SSD的利用率和可扩展性,最终降低总体拥有成本(TCO)。通过在网络架构上实现低延迟访问,并将整个SSD带宽提供给网络,Marvell控制器能够支持真正的可扩展和高性能计算分类存储。88SN2400采用简单、低功耗和无计算的以太网网络结构,而不是由集成有100GE控制器的企业级服务器SoC控制和管理的传统PCIe®网络。

随着数据量持续飙升,数据中心正在努力应对日益增大的功率消耗、复杂性以及更大存储带宽和容量需求带来的成本上升等挑战。计算和存储仍然未得到充分利用,而存储服务器却通常超负荷工作,导致资本支出和运营支出不断升高。Marvell的SSD转换器控制器为数据中心运营商和设计人员在开发他们的基础设施时提供了更高的灵活性,并通过优化的可扩展分类闪存(disaggregated flash)存储和存储级内存(SCM)来满足不断变化的工作载荷需求。

SSD转换器控制器正在助力一类创新型低功耗、低延迟和高性能以太网连接的闪存簇(EBOF)驱动器存储设备。在具有Gen3x4 SSD的典型高端2U24机架(shelf)中,88SN2400可支持每秒高达18M的输入/输出操作(IOPS)。通过利用Marvell能支持2Tb/s的以太网交换机和Marvell 88SN2400,数据中心运营商将能够更多受益于150Gb/s的管道堆池存储(pooled storage),与通用架构相比,每输入/输出操作的功耗更低。新SSD转换器控制器针对小尺寸应用进行了优化,可以连接到现有的背板,非常容易使用,并可消除单点故障(single point of failure)。该技术还可用于Marvell未来的SSD和新兴的SCM控制器。

Marvell公司SSD和数据中心存储解决方案副总裁Nigel Alvares介绍说:“随着云端和企业数据中心市场增加部署闪存存储和新兴存储级存储器,以满足人工智能和分析等不断提高且多样化的工作载荷要求,更重要的是这些昂贵资源的利用率、效率和规模能够得到最佳优化。我们的转换器控制器可实现颠覆性的分类式NAND和SCM SSD架构,其中的资源能够实时组合、配置和分配,因而降低了云和企业数据中心应用的总体拥有成本。”

Toshiba Memory Corporation SSD应用工程技术执行官Shigeo(Jeff)Ohshima表示:“通过与Marvell的长期合作关系,我们共同享有对存储技术创新的坚强承诺。我们的以太网直接连接NVMe-oF SSD原型的开发采用了全新的Marvell 88SN2400,这种密切协作的愿景是帮助我们的数据中心客户实现更高的性能、更低的成本和更低的功耗。”

TRENDFOCUS副总裁John Chen评论道:“Marvell 88SN2400是业界首款NVMe-oF SSD转换器控制器,是一种能够让现有的NVMe SSD实现NVMe-oF架构的创新解决方案。通过将完整的SSD带宽提供给网络,能够提高运营效率,并降低数据中心的成本。与直接连接存储相比,采用该解决方案的以太网功能将可以实现对远程存储节点的访问,同时使附加延迟最小化,使该解决方案成为业界一项非常有吸引力的技术。”

Marvell 88SN2400样品现已上市。有关88SN2400的更多信息,以及它如何帮助构建数据中心的新解决方案,请访问: https://www.marvell.com/storage/system-solutions/nvme-controllers/

围观 377

助你在新的8位嵌入式设计中减少高频开关转换器的成本和电路板空间 作者:Silicon Labs公司,Brian Lampkin

为基于微控制器(MCU)的嵌入式设计减少物料清单(BOM)成本和尺寸是首要设计考虑因素之一。在带有开关转换器的8位MCU设计中实现这些设计目标的途径之一,是采用高频时钟输出来驱动这些开关转换器,而不是采用传统的低频脉宽调制(PWM)输出。这种技术可以减少开关转换器中电感器容量大小,从而降低BOM成本和电路板空间需求。

开关转换器通常在嵌入式系统中被用于有效提升或者降低电压。这些转换器使用电感器来存储和传递能量到系统中的负载。电感器周期性接通以便把电能转换进电感器的磁场。当电源被关断时,电感器的能量被传送到负载。这些转换器通常由PWM信号来控制接通和断开,并且这一信号特性能够影响转换器的输出特性。

例如,下面让我们来考虑一个升压型转换器,它是输出电压高于输入电压的开关转换器。

连续模式

通常,升压转换器运行在“连续”模式。这意味着,转换器中电感器存储的能量在开关周期之间并未完全释放(比如:电感器放电流未达到零)。用于确定连续模式升压变换器输出电压的公式是相当简单的:

其中,Vo等于输出电压,Vi等于输入电压,D等于占空比。在这种情况下,输出电压可以通过简单的改变开关元件的PWM占空比来调整。然而,该模式有一点需要注意:电感器必须足够大,以存储在其充电和放电循环中系统所需的能量。这意味着开关频率越慢,电感器充电和放电的时间越长,因此需要更大容量的电感器。当然,电感器容量越大也就越昂贵,所以一般开关转换器设计倾向于更高的开关频率而不是更低的开关频率。

然而,更高开关频率所带来的好处也有上限。当开关频率升高时,电路中开关元器件(通常是MOSFET)和电感器内的损耗也会增加,因此一旦这些损耗达到限制,那么开关频率也就达到了上限。

一些8位MCU,例如Silicon Labs的C8051和EFM8器件,有能力使用片内可编程计数器阵列(PCA)模块产生可变占空比的PWM输出,这意味着它们能够很好地驱动运行于连续模式下的升压转换器。然而,最大的PWM频率通常低至95.7kHz(最快内部振荡器通常为24.5MHz,然后被256分频后用于8位PWM),按照开关转换器标准来看这是相当慢的。这也意味着,通常用于控制连续模式下开关转换器的8位MCU需要相对容量加大、且昂贵的电感器。

可用的在线计算器能够帮助开发人员确定在连续模式下升压转换器所需的组件大小,例如https://learn.adafruit.com/diy-boost-calc/the-calculator

例如,我们假设下面的设计需求:
Vin= 3V
Vout= 12V
Iout= 20mA
开关频率 = 95.7kHz
为了在75%占空比下运行开关转换器,我们需要147µH的电感器。

非连续模式

连续模式的替代模式是“非连续”模式,其中电感器电流在开关循环的放电周期中被允许完全释放。这种方法会使输出公式复杂化:

其中,L是电感值,Io是输出电流,T是开关周期(开关频率的倒数)。正如你所看到的,该公式更复杂,同时它仍然包含占空比作为依赖项,而且它引入了额外的依赖项,甚至采用固定占空比时,我们也能够使用它生成预期的输出。例如,所有的其他条件不变,如果我们成比例地降低T和电感器容量L,那么输出特性将保持不变。这意味着我们可以使用任意的占空比,然后增加开关频率以减小电感器容量大小和成本。

此外,在这种模式下PCA有一项有用的特性:频率输出生成。在这种模式下,能够产生50%占空比的频率输出,在正常条件最大能够达到SYSCLK的一半或者12.25MHz。由于之前提及的开关损耗的因素,开关转换器通常不会运行于如此高的频率,典型的运行频率范围在100kHz至4MHz。在更合理的3.062MHz开关频率下(24.5MHz SYSCLK被8分频),我们能够重做之前的示例,这一次使用非连续模式,并且采用50%的固定占空比:
Vin= 3V
Vout= 12V
Iout= 20mA
开关频率 = 3.062MHz
占空比 = 50%

这一次,所需要的电感器大小减小到2.04µH!在相同输出特性条件下,这仅是连续模式下PWM示例中所需电感容量大小的1/72。

除了电感容量~2.2 µH对比~150µH之外,其他方面也具可比性:
SRN4026-151M : 150 µH,220mA: $0.18 @1000 : 4mm x 4mm
MLZ2012A2R2M: 2.2 µH,210mA: $0.058 @1000 : 2mm x 1.25mm

正如你所看到的,这一更小容量的电感导致BOM成本减少了12.2美分,或减少68%。封装面积也减小了11.5mm2或72%。

示例电路和固件

作为概念证明,我们已经开发了相关的电路和固件。在前面的例子中,电路的特征是静态。只要输入电压为3V,负载在12V下持续消耗20mA电流,那么MCU仅需要输出一个3.062MHz方波给开关电路,保持稳定的输出。如果负载在12V下的耗电流小于20mA,那么输出电压将连续增加直至达到平衡。由于没有任何形式的反馈机制,如果负载变化,我们不能确定输出电压。

在下面的电路,电压分压器允许MCU去测量输出电压,因此形成反馈回路,这使得我们能够在运行时调整输出的行为。调整输出电压能够通过这样的方式:在输出电压太高时禁止频率输出,当输出电压太低时重新使能它。此外,一个仿真负载由R4和LED构建,并被连接到电压输出上:

固件针对EFM8BB1 MCU而写,但是只要具有PCA模块和带窗口比较特性的模数控制器(ADC),它可以移植到任意8位MCU上。PCA配置输出通道0到P0.1引脚,输出频率3.062MHz。ADC配置在P0.3引脚,采样率300kHz,使用定时器3溢出来触发转换。ADC也被配置为使用窗口比较特性,仅仅当ADC采样值落入预期的电压范围之外时才触发中断。所有配置完成后,整个反馈环路被包含在ADC中断处理函数(ISR)中:

SI_INTERRUPT(ADC0WC_ISR, ADC0WC_IRQn)
{
uint16_t sample;
//清除窗口比较中断标志位
ADC0CN0_ADWINT = 0;
//存储ADC采样值
sample = ADC0;
if (sample > MAX_COUNTS)
{
//禁止PWM
P0MDOUT &=~P0MDOUT_B1__BMASK;
//设置LT值,清除GT值
ADC0LT = MIN_COUNTS;
ADC0GT = 0xFFFF;
}
else if (sample < MIN_COUNTS)
{
//使能PWM
P0MDOUT |=P0MDOUT_B1__PUSH_PULL;
//设置GT值,清除LT值
ADC0LT = 0;
ADC0GT = MAX_COUNTS;
}
}

如果ADC测量值大于ADC0GT值或者小于ADC0LT值,那么中断被触发。如果测量值在这个范围内,那么不会发生任何事情。一旦进入ISR,如果测量值超过了预期的最大值,那么频率输出被禁止。如果它小于预期值,那么频率输出被重新使能。通过把端口配置为开漏模式输出而被有效禁止,因此引脚被电阻器R1拉低,进而关闭MOSFET Q1。

ADC代码中定义的MAX_COUNTS代表9.5V,MIN_COUNTS代表8.5V。这有效的限制输出电压在8.5-9.5V。

下面示波器图像显示了采用该代码的电路输出信号。

通道1是输出电压。通道2是施加到电路BOOST引脚的频率输出。正如你所看到的,当电压低于8.5V时,固件激活频率输出;当电压大于9.5V时,频率输出被禁止。

在实践中,使用窗口比较模式的ADC需要极少的CPU开销。在我们的测量电路中,CPU在ISR中大约仅有12 µs的活跃时间,每8.9ms两次。总的CPU开销大约是0.14%。减小输出电容导致需要更高频率更新,即输出电压需要更少时间充电到最大限值,最少时间放电到最小限值。

下面是BOOST引脚连接到MCU的电路:

下面是BOOST引脚断开时的电路:

在这种情况下,输出电压会下降至Vin,这时不能达到点亮LED所需的要求。

总结
开关转换器通常被用于嵌入式应用中,去有效转换电压到其他值。这些开关转换器经常通过带有可变占空比的PWM信号去控制转换器的输出特性。然而,对于大多数MCU来说,生成可变占空比PWM信号的能力被限制在相对的低频率,因此需要使用更大的电感器。作为替代,高频、固定占空比的时钟频率输出能够显著降低电感器容量大小,减少BOM成本和电路板空间需求。

更多关于Silicon Labs高集成、低功耗的EFM8系列8位MCU产品信息,请查看: http://cn.silabs.com/products/mcu/8-bit/Pages/8-bit-microcontrollers.aspx

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