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此应用笔记概述了使用 megaAVR® 0系列器件的入门说明。使用 megaAVR® 0系列单片机和工具着手设计；ATmega4809 Xplained Pro 和 Atmel® Studio 7.0 着手设计

Microchip无线电源开发板支持Qi 1.2.2标准。该开发板是一个单线圈发射器，以+12V输入工作。无线电源开发板包含数字解调、异物检测（Foreign Object Detection，FOD）、LED状态指示灯和LED功率大小指示灯。

本移植文档详细介绍了如何迁移到dsPIC33CK256MP508 器件。请注意，一些功能可能不可用。与 dsPIC33EPXXXGS70X/80X 器件系列相比，dsPIC33CK256MP508 器件系列包括许多新功能和变化。

Microchip SMART SAM L MCU 是基于 Arm®Cortex® M0+的超低功耗单片机。本应用笔记将介绍 SAM L 系列（SAM L10、SAM L11、 SAM L21、SAM L22）器件的低功耗优化关键特性和低功耗模式。SAM L 系列器件具有特定的低功耗特性，例如低功耗模式、超低功耗外设、性能等级和 SleepWalking。

本文档概述了不同场景下的高速缓存一致性问题，并就如何管理或避免高速缓存一致性问题提供了一些方法建议。基于 Cortex-M7 的 MCU 上的所有可高速缓存位置均为读取分配。

本文档重点介绍了从 Microchip SAM C2x/D2x/L2x Cortex™-M0+器件迁移至 Microchip SAM D5x/E5x Cortex-M4 器件所需的硬件更改。本文档不涉及器件的特性或复用之间的差异，只涉及硬件上的差异。

本技术简介对 ADC 中的增益误差和失调误差进行了简要介绍。它还介绍了一种在带有 Arm® Cortex®-M0+内核的 SAM 系列单片机（MCU）中校准增益误差和失调误差的方法。在 SAM Cortex™-M0 + MCU中，ADC 增益和失调误差可通过硬件进行补偿，从而降低了补偿这些 ADC 误差的应用开销。

外部总线接口用来与外部存储器之间传输数据。MCU 的 EBI 在内部 AHB总线和外部存储器之间传输数据。EBI 映射到 Cortex®-M 内核的外部 RAM 区域。Cortex-M7 存储器系统的外部 RAM 区域（0x60000000-0x9FFFFFFF）专供片上或片外存储器使用。

本应用笔记旨在借助分别针对 Microchip SAM L10 和 SAM L11 Arm® Cortex®-M23 单片机的 Xplained Pro 评估工具包，开始使用这两款单片机。

Microchip SAM L10 和 SAM L11 Xplained Pro 评估工具包是用于评估 ATSAML10E16A 和 ATSAML11E16A 单片机的硬件平台。

每个工具包均由 Atmel Studio 集成开发平台提供支持，可轻松访问单片机的功能。

本应用笔记介绍了 SAMA5x 系列微处理器中的 USB 暂停工作模式。

本文档演示了 USB 暂停功能及其在SAMA5D2/D3/D4 Xplained Ultra 板上的 Linux®中的实现和测试。

循环冗余校验(Cyclic Redundancy,Check,CRC)是一种稳健的错误校验算法，用于在处理数据之前确保数据的完整性。CRC值(校验和)与报文或特定数据块相关联。无论是用于通信的数据包还是存储器中存储的数据块，都可以在处理之前利用CRC帮助进行验证。

CRC计算是一个迭代过程，在软件中实现时需要占用大量CPU带宽。通过把带有CRC块的特殊功能模块( Special Function Module,SFM)集成到PlC32MXP/PIC32MZ/PC32MM器件上的DMA模块中，可有助于以最少的软件开销来实现快速高效的CRC校验和计算。

在基于单片机的嵌入式应用中，软件存储在非易失性存储器(通常是闪存)中并从中运行。闪存虽然为存储和执行代码提供了一种有效的介质，但从闪存中执行时，许多因素会限制确定性代码性能。影响确定性代码行为的一个重要因素是系统总线矩阵的复杂性。从SRAM中运行代码时，由于与闪存相同的原因，也会出现确定性代码性能问题。

基于 ARM® Cortex®的 Microchip 单片机（MCU）提供了 SleepWalking 功能。利用此功能可以临时异步唤醒某个外设来执行任务，而无需将 CPU 从待机模式中唤醒。

在 MCU 工作时，内部定时器会唤醒 CPU 来查看是否发生了某些状况（例如使用 ADC 监视电池电压），或者是否有外设中断唤醒了 CPU。通常，CPU 和 RAM 在工作模式下会消耗大部分功率。因此，将 CPU从低功耗模式下唤醒来检查这些状况并在工作状态下启动相关操作将会消耗大量功率。

双线接口( Two-Wire Interface, TWI )与I2C接口很类似，只是略有不同。TMI外设通过由一根时钟线和一根数据线构成的独特双线总线提供元件接口。TWI可用于与I²C兼容的器件，例如实时时钟(RTC)、存储器和传感器。与I2C类似，TWI也支持标准速度(最高100kHz)和高速(最高400kHz)模式。
某些 SAM MCU支持高速TWI，它在从器件高速模式下最高可达3.4MHz，此类产品中的TWI外设被称为高速TWI( TWI High Speed, YWIHS)。可通过编程将TWI设置为主器件或从器件。

某客户反馈， 当 MCU 频繁的正常通断电的时候。FLASH 被异常改写，出现各种各样的异常（整片别擦除、中断向量表被改写为 0、写保护被清掉、被加上读保护 ……..）

差分ADC用于测量两个输入之间的电压。在差分ADC系统中，两条线携带所需信号，这两个信号的相位彼此相差180度且并行运行。因此，两条线上会产生等量的噪声。当信号施加到差分ADC的 A(+) 和 A(-) 输入时，所需信号之间的电压差会增大，因为所需信号的相位彼此相差180度。差分ADC会抑制共模噪声等同相信号。这有助于提高信噪比。

高速模拟比较器模块提供了一种方法来监视电源转换应用中的电压、电流和其他关键信号，这些信号可能因为太快而无法被CPU和ADC捕捉到。共有4个比较器模块，其中1个由主内核控制，其余3个由从内核控制。比较器模块可用于实现峰值电流模式控制、临界导通模式和基于滞后控制的电源。

主从接口（Master Slave Interface，MSI）模块用于桥接主、从处理器系统，每个处理器系统在独立时钟域内工作。

主、从处理器系统均有自己的寄存器，用于在MSI模块之间通信；主MSI寄存器位于主SFR空间，从MSI寄存器位于从SFR空间。

带高速 PLL 的振荡器模块包括以下特性：
• 主和从内核子系统
• 主和从内核之间共享的内部和外部振荡器源
• 主和从内核独立片上锁相环 （Phase-Locked Loop， PLL），可基于所选的内部和外部振荡器源提升内部工作频率
• 主和从内核独立附属 PLL （Auxiliary PLL， APLL）时钟发生器，可提升外设的工作频率
• 主和从内核独立打盹模式，有助于节省系统功耗
• 主和从内核独立可扩展参考时钟输出 （Reference Clock Output， REFCLKO）
• 各种时钟源之间的动态时钟切换
• 故障保护时钟监视 （Fail-Safe Clock Monitoring， FSCM），可检测时钟故障并允许安全地恢复或关闭应用

本应用程序将演示如何通过主机（Curiosity PIC32MZ EF 开发板和使用加密模块 ATECC508A 的 Secure
click 板）使用非对称身份验证方法对远程设备进行身份验证，其中主机通过远程设备的公钥来验证远程设
备的签名。本应用程序允许使用配置数据和密钥数据向配置添加信息并配置 Secure click 板。应用程序流
程通过交互式用户界面上的串行终端程序（Tera term）实现，该串行终端程序通过计算机的 USB 接口。