器件符合AEC-Q200标准，额定功率高达1 W，阻值低至0.10 Ω，适用于汽车和工业应用中的电力电子设备

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司推出新型0612外形尺寸器件，扩充NCW AT系列宽边薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性，额定功率高达1 W，阻值低至0.10 W，适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。

结合先前发布的NCW 0406 AT，日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外，电阻可在+175 °C高温下工作，高耐硫能力符合ASTM B 809要求，85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。

这些性能指标使设计者能够在恶劣和高温环境中使用NCW AT系列电阻，且不影响额定功率或电气性能。在大量现代专业功率电子领域，功率耗散、可靠性、稳定性和强健性设计是主要考虑因素，新款电阻是这类应用的理想选择。典型应用包括DC/DC转换器、LED驱动器，DC电流监控和电池管理系统。

器件规格表：

NCW 0612 AT系列电阻现可提供样品并已实现量产，供货周期为九周。

VISHAY简介

~可加快车载主机逆变器等的普及速度~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。

对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。

此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40％。

而且，通过大幅减少寄生电容※4（开关过程中的课题），与以往产品相比，成功地将开关损耗降低了约50％。

因此，采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代 SiC MOSFET，将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。本产品已于2020年6月份开始以裸芯片的形式依次提供样品，未来计划以分立封装的形式提供样品。

近年来，新一代电动汽车（xEV）的进一步普及，促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统，其小型高效化已成为重要课题之一，这就要求进一步改进功率元器件。

另外，在电动汽车（EV）领域，为延长续航里程，车载电池的容量呈日益增加趋势。与此同时，要求缩短充电时间，并且电池的电压也越来越高（800V）。为了解决这些课题，能够实现高耐压和低损耗的SiC功率元器件被寄予厚望。

在这种背景下，ROHM于2010年在全球率先开始了SiC MOSFET的量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容，并在车载充电器（On Board Charger：OBC）等领域拥有很高的市场份额。此次，导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代 SiC MOSFET的推出，除现有市场之外，还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。

未来，ROHM将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容，并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势，继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外，ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案，帮助客户解决问题。

特点

１．通过改善沟槽结构，实现业界极低的导通电阻

ROHM通过采用独有结构，于2015年全球首家成功实现沟槽结构※5SiC MOSFET的量产。其后，一直致力于进一步提高元器件的性能，但在降低低导通电阻方面，如何兼顾存在矛盾权衡关系的短路耐受时间一直是一个挑战。

此次，通过进一步改善ROHM独有的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功地使导通电阻比以往产品降低约40％。

２．通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

通常，MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势，因而存在无法充分发挥SiC原有的高速开关特性的课题。

此次，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

术语解说

※1） MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

※2）　短路耐受时间

MOSFET短路（Short）时达到损坏程度所需的时间。通常，当发生短路时，会流过超出设计值的大电流，并因异常发热引起热失控，最后导致损坏。提高短路耐受能力涉及到与包括导通电阻在内的性能之间的权衡。

※3）　双沟槽结构

ROHM独有的沟槽结构。在SiC MOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻，这一点早已引起关注，但是需要缓和栅极沟槽部分产生的电场，以确保元器件的长期可靠性。

ROHM通过采用可以缓和这种电场集中问题的独有双沟槽结构，成功攻克了该课题，并于2015年全球首家实现了沟槽结构SiC MOSFET的量产。

※4）　寄生电容

电子元器件内部的物理结构引起的寄生电容。对于MOSFET来说，有栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）和漏源电容（Cds）。栅源电容和栅漏电容取决于栅极氧化膜的电容。漏源电容是寄生二极管的结电容。

※5）　沟槽结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

关于罗姆（ROHM）

罗姆（ROHM）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展

销售网点：最早于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在全国共设有19处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其15家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有设计中心和QA中心，在北京设有华北设计中心，提供技术和品质支持。设计中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

0Ω阻值电阻到底能过多大电流？

这个问题想必每个硬件工程师都查过，与之相关的还有个问题：0Ω电阻阻值到底多大？这两个问题本来是很简单的问题，答案应该也是明确的。问题出就出在网上网友给出的答案都不尽相同，有人说0Ω电阻其实是50mΩ，有人说没那么大，是20mΩ。有的说0603只能过1A电流，有的说可以过1.5A。

那么到底是多大呢？下面我们一步一步来看。

0Ω电阻阻值大小

我专门去查了下电阻的标准，根据EN60115-2电阻标准文件

里面是这么说的，0Ω电阻的阻值是0Ω，但也会有偏差，0Ω最大电阻偏差有三种可以选择，分别是10毫欧，20毫欧，和50毫欧。也就是说0Ω电阻偏差可以允许有多种偏差，那么主要看就看电阻厂商做哪种了。

我下载了几大品牌的，罗姆，国巨，光颉的普通0Ω电阻规格书查看了下，他们标注的的0Ω电阻，最大阻值都是50 mΩ。

所以，可以得出结论，常用的普通0Ω电阻阻值最大不超过 50mΩ。

0Ω电阻的过流能力

网上会有一种观点，说0Ω电阻的电流是根据功率算出来的，电阻按照50毫欧来算。这样的话，0805的电阻功率一般为1/8W，算出额定电流应该是1.58A，但是我们查规格书发现，几大品牌的都是2A，与计算出来的有些出入。

几大厂家的普通0Ω电阻额定电流如下：

可以看出，几大厂家的0Ω电阻的额定电流还是有差别的，不尽相同。我建议综合各家的，按照最小值来选，这样就不论什么品牌，都不会超规格设计了。

额定电流综合之后表格如下：

我们看到，常规的电阻的电流都不大，按照综合后的最小值，最大的也就2A，如果设计电路时发现，我要用3A或4A的0Ω电阻，那怎么办呢？其实很简单，可以用2个0Ω电阻并联起来就行了。

可能会觉得奇怪，怎么有的封装变大了，但是过流并没有增加呢？例如0805和1206都是2A，这里呢，应该是额定电流虽然没有增加，但是瞬间电流应该是能过更大了。如果你打开国巨的电阻规格书，你会发现它写了2个参数，一个是额定电流，一个是最大电流，额定电流都是2A，但是最大电流0805是5A，1206是10A。

注：Jumper就是0Ω电阻（标准文件就是这么写的，如下图）

特殊大额定电流的0Ω电阻

如果是更大的电流，也是电阻可选的，不过这些电阻就不常规了，比如这个罗姆的超低阻值电阻，最大阻值0.5毫欧，小了100倍，额定电流更是达到了20多安，但是呢，价格非常贵，要好几毛钱，而普通电阻一分钱能买好几个。

电阻并联电路是最基本的并联电路，所有负责的电路都可以转化成电阻串联电路和电阻并联电路来进行工作原理的理解。并联电路和串联电路特性完全不一样，是完全不同的电路，它们之间不能相互等效（电阻并联电路图）。

图为电阻并联电路，从图中可以看出电阻的R1和R2两根引脚分别相连，构成两个电阻的并联电路，+V是这一电路的直流工作电压。R1，R2并联在电路工作于交流电路中时，电路形式不变，只是直流电压+V改为交流信号。分析电阻并联电路时，需要搞懂以下几个电阻并联特性。

01

并联电路总电阻越并越小特性这一点和串联电路的总电阻值刚好相反。如果两只20KΩ相并联，并联后总电阻是其中一只电阻的一半，就是10kΩ。如下图。并联后总电阻R<R1<R2。

注：在电阻并联电路中，各电阻并联后总电阻值R的倒数等于各个参与并联电阻的倒数之和，公式为：1/R=1/R1+1/R2+1/R3......

02

并联电路总电流等于各支路电流之和特性（并联电路各支路电流示意图）

如图，流过电阻R1的电流I1，流过电阻R2的电流是I2，并联电路的总电流I，从电源+V流出的电流分成两路，一路流过R1，另一路流过电阻R2，各支路电流之和等于回路中的总电流，对这一具体电路来说，是I=I1+I2。如果有更多的并联支路，便有I=I1+I2+I3......在并联电路的个支路中，支路中的电流大小与该支路中的电阻器阻值大小成反比关系，阻值大的电阻器之在电路中电流小，相反，阻值小的电阻器在电路中的电流大。

从公式I=U/R中可得知，当电阻R1的电流小于流过R2的电流，如下图所示：

并联电路电流特性记忆图：

用河流来形象表示，从水库流出的水分分成3路，全部流入大海之中，相当于电源流出的电流流到各电阻电路支路中。

03

并联电阻两端电压相等特性并联电路中，各并联电阻上的电压相等（如下图），因为R1和R2两只电阻相并联，所以它们上的电压是相等的。如果电路中有更多的电阻并联，那么各并联电阻两端的电压都是相等的。

04

并联电路中主要矛盾的阻值小的电阻并联电路中，若某一个电阻器的阻值远远大于其它电阻的阻值，则该电阻不起主要作用，可以认为它是开路的。这样电路中就留下阻值小的电阻器。分析并联电路时候，就是要抓住阻值小的电阻器，它是这一电路中主要矛盾，即使阻值小的电阻器并联电路中起主要作用，这一点与串联电路正好相反。

05

电阻并联电路开路和短路故障检测方法：

1）开路故障检测方法如下：

电路断电情况下，用万用表电阻档测量并联电路的总电阻，正常情况下，测量的总电阻值应该<R1<R2。

如果测量的阻值>R1和大于R2中的任何一个，说明电路中的R1或者R2开路，具体的是哪一个电路开路还要进行分析了，或者可以测量每只电阻支路电流的方法来进行判定。

2）短路故障检测方法如下：

如果测量的总电阻为零，说明并联电路存在短路，如果需要了解详细的部位和原因，还需要进一步进行测量。这对故障检修来说意义很大，只要能确定了故障电路的范围，也确定了检查的方向。

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