NAND Flash

业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布,在由盖世汽车主办的2023第五届“金辑奖”颁奖盛典中,凭借旗下车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列产品荣获“金辑奖2023中国汽车新供应链百强”奖项。 

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“金辑奖”由盖世发起,旨在“发现好公司·推广好技术·成就汽车人”, 2023第五届金辑奖围绕着“中国汽车新供应链百强”这个主题进行展开,重点聚焦在智能驾驶、智能座舱、软件、芯片、人工智能、动力总成电气化、智能底盘、车身及内外饰、低碳新材、热管理领域,进行优秀企业发掘和先进技术解决方案的评选,向行业内外展示和报道这些优秀的创新科技企业和行业领军人物,共同推动行业的发展和进步。本届金辑奖历时近200天,约100万人参与投票评选,最终由专家评委会商定出评选结果。

随着汽车智能化的加速推进,行业对于高性能、高可靠性的芯片需求不断增长,这为汽车半导体带来广阔空间的同时,也使行业面临层层挑战。一方面,汽车芯片的结构性短缺严重制约着行业创新,在此背景下,企业需要对供应链进行重新审视和调整来满足供应挑战;另一方面,车规级芯片对质量、可靠性、使用寿命等方面的高要求与严标准导致其开发和生产的难度大幅增加。针对这一情形,企业需要加强质量管理、提高芯片的可靠性和安全性,并加大研发投入以应对技术挑战。

打响车规级芯片“升级战”

兆易创新以技术实力突破挑战

面对汽车供应中的多重挑战,兆易创新创建了完善的汽车芯片管理体系。在质量监控方面,兆易创新遵循严格的质量标准,将零缺陷质量管控的理念贯穿至每一个环节,以提高产品的安全性与可靠性;在供应方面,兆易创新具有多元化的供应链管理体系,与众多晶圆厂、封测厂建立了长期合作伙伴关系,能灵活地满足客户需求。并且,兆易创新也已通过ISO26262:2018汽车功能安全最高等级ASIL D流程认证,进一步验证了高标准的车规级芯片研发实力,以及为顶级的汽车厂商所需的功能安全目标与要求提供匹配的产品和服务能力。

此次获奖的车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash具有丰富的产品选择,如2Mb~4Gb全容量覆盖、高达400MB/s的数据吞吐率、保障安全的RPMC功能、提升可靠性的ECC算法和CRC校验、延长产品寿命的10万次擦写和20年数据保持能力、适应空间受限的紧凑型封装等,可以满足智能驾舱、智能网联、锂电池、电机驱动、充电桩等多种应用领域的需求。GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash全系列车规级存储产品已累计出货1亿颗,得到了充分的验证并深受客户认可。

持续研发、深耕市场

全面助推汽车产业高质量发展

兆易创新自2015年开始进入汽车行业,并围绕着“存储和控制”两大领域深耕布局。除了本次获奖的存储产品外,旗下GD32A503系列微控制器符合车规级标准和设计理念,并且拥有主流型配置和优异特性、以及配套的产品级软件,可为客户提供一站式Turnkey解决方案,被广泛应用于车身控制、车用照明、智能座舱、辅助驾驶及电机电源等多种场景的开发与设计。未来,公司还将继续发力车规芯片,以先进的技术与产品赋能汽车市场。

*兆易、兆易创新、GigaDevice,及其标志均为兆易创新科技集团股份有限公司的商标或注册商标,其他品牌和注册商标归各自所有者持有。

来源:兆易创新GigaDevice

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上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。

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FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。

FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性,其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年,产品性能及可靠性达到业界领先水平,应用于CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等相关领域。其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。

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FM25/FM29系列SLC NAND存储器

发布会现场,复旦微电产品经理肖磊介绍,FM25/FM29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口(SPI/PPI)双电源(1.8/3.3)的 SLC NAND Flash,产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性,优化编擦、擦除、回读算法,采用内部8bit BCH ECC设计,兼顾成本、性能和可靠性,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。SPI系列(FM25)容量覆盖512Mb~4Gb,温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为(FM29)容量覆盖2Gb~8Gb,温度覆盖-40℃~+105℃。

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FM25S系列产品特点

  • 存储器容量:512Mb~4Gbit

  • 工作电压范围:1.8V/3.3V

  • 工作温度范围:

  • -40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级

  • SPI高速单/双/四口:104MHz(3.3V) / 85MHz(1.8V)

  • 支持内置8 bit ECC,满足客户Error-Free 需求

  • 高可靠性:

  • Endurance:6万擦写次数

  • Data Retention:10年

  • 封装支持TDFN5X6/TDFN6X8等多种封装形式

FM29F系列产品特点

  • 存储器容量:2Gb~8G bit

  • 工作电压范围:1.8V/3.3V

  • 工作温度范围:

  • -40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级

  • 兼容ONFI 1.0标准 50MHz(3.3V)/33MHz(1.8V)

  • 支持内置8 bit ECC,满足客户Error-Free 需求

  • 高可靠性

  • Endurance:6万擦写次数

  • Data Retention:10年

  • 封装支持BGA63/TSOP48等多种封装形式

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下一阶段,复旦微电SLC NAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量, 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可满足客户更快读写访问速度需求。同时,全系产品会继续提升耐写性指标,满足客户高工规的应用。

FM24/FM25系列串行EEPROM存储器

本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM,以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。复旦微电产品经理周泉介绍道,产品开发团队针对流片工艺平台的特性,以及对存储器产品工作原理的深刻理解,对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计,大幅度提升了产品的性能及可靠性,为客户提供了更多的产品选择,可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。FM24C/FM25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所AEC-Q100 Grade 1车规级验证,产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。

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FM24LN系列 首发包含

32K/64K/128Kbit三种容量的I2C串行EEPROM,产品支持1.1V~5.5V超宽工作电压范围,温度覆盖工规-40℃~+85℃,全电压范围内均支持400KHz/1MHz工作频率,5.5V下典型待机电流小于1uA,读写电流不超过0.8mA,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求,支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。 

FM24N系列 首发包含

64K/128K/256K/512Kbit四种容量的I2C串行EEPROM,产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围,温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz/ 3.4MHz工作频率,写电流≤2mA,读电流≤0.6mA,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式
FM25N系列 首发包含

64K/128K/256K/512Kbit四款容量,产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围,温度覆盖工规 -40℃~+85℃ 以及工规扩展温度-40℃~+125℃ , 支持5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V); 20M(VCC≥4.5V)工作频率,写电流≤2mA,读电流≤5mA@5.5V/20MHz,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。 

FM24CXXX系列车规产品首发包含

128K/256K/512Kbit三款容量产品,产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证,产品支持1.7V~5.5V超宽工作电压范围,工作温度范围 -40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz工作频率,写电流≤3mA,读电流≤1mA,产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式,产品湿敏等级为MSL1。 

FM25XXX系列车规产品 首发包含

64K/512Kbit两款容量产品,产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证,产品支持1.8V~5.5V超宽工作电压范围,工作温度范围-40℃~ +125℃ , 最高支持20MHz工作频率,写电流≤3mA,读电流≤5mA,产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式,产品湿敏等级为MSL1。

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FM24LN32/64/128产品特点

  • 存储器容量:32K/64K/128Kbit

  • 工作电压范围:1.1V~5.5V

    工作温度范围:-40℃~+85℃

  • 全电压范围内兼容400KHz/1MHz时钟

  • 串行接口符合I²C规范

  • IO电压与芯片VCC相同,同时兼容1.2V/1.8V/3.3V/5V等主流电压应用。

  • 具有软件保护功能(SWP)

  • 具备器件地址可配置功能,支持I²C总线上最多挂8颗EEPROM

  • 输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声

  • 具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式

  • 擦写时间内部定时(max 5ms)

  • 128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源

  • 额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)

  • 高可靠性:

    ·Endurance:400万擦写次数

    ·Data Retention:100年

  • 封装支持SOP8/TDFN/TSSOP/WLCSP等封装,其中WLCSP封装支持400um*400um及400um*500um Ball Pitch两种规格

FM24N64/128/256/512产品特点

  • 存储器容量:64K/128K/256K/512Kbit

  • 工作电压范围:1.7V~5.5V

  • 工作温度范围:

    -40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)

  • 支持400KHz/1MHz/3.4MHz时钟频率

  • 串行接口符合I²C规范

  • 内置ECC纠错逻辑

  • 支持硬件保护功能

  • 总线上最多支持8颗EEPROM寻址

  • 输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声

  • 具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式

  • 擦写时间内部定时(max 5ms)

  • 128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源

  • 额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)

  • 高可靠性:

    ·Endurance:400万擦写次数

    ·Data Retention:200年

  • 封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装

FM25N64/128/256/512产品特点

  • 存储器容量:64K/128K/256K/512Kbit

  • 工作电压范围:1.7V~5.5V

  • 工作温度范围

    -40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展)

  • 工作频率5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)

  • 支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1)

  • 内置ECC纠错逻辑

  • 支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护

  • 支持软、硬件写保护功能

  • 支持字节页及页写模式

  • 擦写时间内部定时(max 5ms)

  • 128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源

  • 额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)

  • 高可靠性:

    ·Endurance:400万擦写次数

    ·Data Retention:200年

  • 封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装

FM24C128EA1/FM24C256EA1/FM24C512DA1车规产品特点

  • 存储器容量:128K/256K/512Kbit

  • 符合AEC-Q100 Grade1

  • 工作电压范围:1.7V~5.5V

  • 工作温度范围:-40℃~+125℃

  • 支持400KHz/1MHz时钟频率

  • 串行接口符合I²C规范

  • 支持硬件保护功能

  • 总线上最多支持8颗EEPROM寻址

  • 输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声

  • 具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式

  • 擦写时间内部定时(max 5ms)

  • 128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源

  • 额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)

  • 高可靠性:

    ·Endurance:100万擦写次数

    ·Data Retention:40年

  • 封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装,湿敏等级:MSL1

FM25640A1/FM25512A1产品特点

  • 存储器容量:64K/512Kbit

  • 符合AEC-Q100 Grade1

  • 工作电压范围:1.8V~5.5V

  • 工作温度范围:-40℃~+125℃

  • 工作频率最高支持20MHz(FM25640A1)、16MHz(FM25512A1)

  • 支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1)

  • 支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护

  • 支持软、硬件写保护功能

  • 支持字节页及页写模式

  • 擦写时间内部定时(max 5ms)

  • 128 bit 由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源

  • 额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)

  • 高可靠性:

    ·Endurance:100万擦写次数

    ·Data Retention:40年

  • 封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装

下一阶段,复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量,FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。其中FM24N全系列新品最高工作频率将扩展到I2C总线规范的3.4MHz的High speed(HS Mode)模式,可满足客户更快读写访问速度需求。I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量产品计划于年内完成AEC-Q100 Grade1车规级验证,本次发布EEPROM新品将陆续启动量产。

发布会最后,工业和信息化部电子第五研究所汽车电子行业经理王健分享了题为《车规“芯”形式下的质量保障》的主题演讲。王健表示,近几年来车规芯片快速发展,五所与客户开发并应用“5A+CA关键分析评价”质量工程体系,在研制转批量生产前有效识别、定位、改善解决潜在的设计、材料、结构、工艺等缺陷,提升成品率、可靠性、稳定性和一致性,提升企业品牌和竞争力。五所在与复旦微电的合作中,对存储芯片、MCU、安全与识别等一系列产品开展车规测试认证服务合作。未来,五所将持续和复旦微携手并进,砥砺前行。

基于本次发布的系列新品,复旦微电子还推出全系列车规级NAND/Nor Flash及EEPROM存储器,产品符合AEC-Q100 Grade1/Grade2需求。公司将持续在非易失存储器领域以新工艺节点、低压或宽压、高速、高可靠性(拓展工规、车规等)为发展方向,进一步尝试并拓展系统级存储器产品防线,不断获得突破和领先优势。

关于复旦微电

上海复旦微电子集团股份有限公司(“复旦微电”,上交所科创板证券代码: 688385.SH;“上海复旦”,港交所股份代号: 01385.HK)是国内从事超大规模集成电路的设计、开发、生产(测试)和提供系统解决方案的专业公司。公司于1998年7月创办,并于2000年在香港上市,2014年转香港主板,是国内成立最早、首家上市的股份制集成电路设计企业。2021年登陆上交所科创板,形成“A+H”资本格局。复旦微电子集团现已建立健全安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、FPGA芯片和集成电路测试服务等产品线。产品行销30多个国家和地区,广泛应用于金融、社保、汽车电子、城市公共交通、电子证照、移动支付、防伪溯源、智能手机、安防监控、工业控制、信号处理、智能计算等领域。

来源:复旦微电子集团

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随着新兴产业的持续发展,对于存储芯片的市场需求不断扩大,芯片国产化日趋重要。今天就为大家带来全国产化SPI NAND Flash 系列产品。

SPI NAND Flash

全国产单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,在满足数据传输速率的同时,提升了稳定性。

“东芯SPI

“东芯SPI

东芯半导体致力于为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案,保持着可持续的创新能力,通过自主研发,产品具备多项核心技术。

内置8比特ECC技术

东芯通过自主研发的内置ECC模块,实现了存储单元与功能单元的高度集成,减少了芯片面积。同时公司设计的8比特ECC模块可以在512 Byte存储单元内,实现高达8位的精准识别及自动纠错,提升存储芯片的容错性和可靠性。

内置高速SPI接口技术

东芯自主研发了可通过闪存工艺实现逻辑功能的内置高速SPI接口技术,通过将SPI接口内置集成在NAND Flash的方法,实现了逻辑功能内嵌式的SPI NAND Flash,相比外接独立SPI接口芯片的设计方式,有效减少了产品面积,降低了产品功耗。

东芯的SPI NAND Flash产品不仅能满足常规应用场景,也使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗,有效延长了设备的待机时间。同时凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,该产品广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及物联网等领域,主要应用在5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。

“Serial
Serial NAND Flash系列产品典型应用

同时,东芯可根据客户的特定需求提供存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户缩短产品开发时间,提高了产品开发效率。并且东芯建立了丰富的产品生态,具有高效的响应机制以及稳定的货源和品控。

东芯,为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。

关于东芯

东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术,专业的技术服务实力,通过国内外技术引进和合作,致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。

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