GD32E103系列新品采用突破性的架构设计和业界领先工艺生产，处理器最高主频可达120MHz，集成了完整的DSP指令集、并行计算能力和专用单精度浮点运算单元(FPU)。配备了64KB到128KB的嵌入式Flash及20KB到32KB的SRAM。配合内置的硬件加速单元，最高主频下的工作性能可达120DMIPS，CoreMark®测试可达383分。同主频下的代码执行效率相比市场同类Cortex®-M4产品提高10%-20%，相比GD32F103系列产品，性能提升也超过10%。

GD32E103系列新品外设资源配置已经全面增强。提供了2个支持三相脉宽调制PWM输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制，还拥有多达10个16位通用定时器、2个16位基本定时器和2个多通道DMA控制器。应对主流型开发需求的通用接口，包括多达3个USART、2个UART、3个SPI、2个I2C、2个I2S。内置的USB已经全面升级为USB2.0 FS OTG并拥有独立的48MHz RC振荡器支持无晶振(Crystal-less)设计。还创新性的集成了2个CAN-FD (flexible data-rate)接口用于CAN总线网络互联，最高速率可达6Mb/s。

模拟外设也已经全面升级，芯片配备了2个吞吐量高达2.6MSPS的12-bit高速ADC，这有助于电机控制等应用实现更高的精度。并支持16个可复用通道及16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能，还拥有2个12位DAC。多达80%的GPIO具有多种可选功能还支持端口重映射，极佳的灵活性和易用性满足多种应用需求。

芯片已采用1.8V-3.6V宽电压供电，I/O口可承受5V电平。全新设计的电压域支持高级电源管理并提供了三种省电模式。在所有外设全速运行模式下的最大工作电流仅为234µA/MHz，睡眠模式下的电流也下降了42%，电池供电RTC时的待机电流仅为0.8µA，在确保高性能的同时实现了最佳的能耗比。更具备了7KV静电防护(ESD)和优异的电磁兼容(EMC)能力，全部符合工业级高可靠性和温度标准。

GD32E103系列率先提供了8个产品型号，包括QFN36、LQFP48、LQFP64和LQFP100等4种封装类型选择。从而以极佳的灵活性和全面的兼容性轻松应对飞速发展的智能应用挑战。