电源设计

电源设计是指创建和配置用于提供电能的电源系统的过程。这个过程涵盖了从电源类型的选择、设计、建造、测试和维护的各个方面,以确保电子设备、系统或电路能够稳定、可靠地运行。

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:

1.开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
2.开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
3.关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
4.驱动电路结构简单可靠、损耗小。
5.根据情况施加隔离。

下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。

一、电源IC直接驱动MOSFET

电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。第二,了解一下MOSFET的寄生电容,如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即使把图1中Rg减小,也不能解决问题!IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择,所以Rg并不能无限减小。

二、电源IC驱动能力不足时

如果选择MOS管寄生电容比较大,电源IC内部的驱动能力又不足时,需要在驱动电路上增强驱动能力,常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,其电路如图 2虚线框所示。

电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

这种驱动电路作用在于,提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

三、驱动电路加速MOS管关断时间

电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图3所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。
电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时,对图2中电路改进可以加速MOS管关断时间,得到如图4所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3拓扑相比较,还有一个好处,就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC,提高了可靠性。

四、驱动电路加速MOS管关断时间

电源设计经验篇:MOS管驱动电路篇

为了满足如图5所示高端MOS管的驱动,经常会采用变压器驱动,有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡,C1的目的是隔开直流,通过交流,同时也能防止磁芯饱和。

小结:

除了以上驱动电路之外,还有很多其它形式的驱动电路。对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的,只有结合具体应用,选择最合适的驱动。在设计电源时,有上述几个角度出发考虑如何设计MOS管的驱动电路,如果选用成品电源,不管是模块电源、普通开关电源、电源适配器等,这部分的工作一般都由电源设计厂家完成。

转自: ZLG致远电子

围观 729

纹波噪声是衡量电源的一个重要指标,一个好的电源必须要把输出纹波噪声控制在一个合理的范围内。但一般有哪些行之有效的降低纹波噪声的对策呢?下面我们抛砖引玉,简单讨论常用的八个方法。

1、电源PCB走线和布局

反馈线路应避开磁性元件、开关管及功率二极管。

输出滤波电容放置及走线对纹波噪声至关重要,如图1所示,传统设计中由于到达每个电容的阻抗不一样,所以高频电流在三个电容中分配不均匀,改进设计中可以看出每个回路长度相当即高频电流会均匀分配到每个电容中。

电源设计经验:如何抑制纹波噪声

如果PCB是多层板,可以选择和主电流回路层最近一层覆地,覆地可以有效的解决噪声问题,注意,尽量保证覆地的完整性。

2、场效应管D级与输入正之间加RCD

一般选择场效应管的反向恢复时间要比二极管D1慢2~3倍,以避免形成直通电流,此电流会产生很强的磁场,可增大输出噪声干扰,所以可人为的通过栅极电阻R4来减慢开关管的开关速度。为了不影响关断速度可以在栅极电阻并联一个二极管D2如图2所示。

电源设计经验:如何抑制纹波噪声

3、场效应管DS端并联RC

可以在场效应管DS两端并联一个RC电路也可以有效的降低噪声干扰如图2所示,电容C2一般在100P左右,电容值过大会导致场效应管的开关损耗加大,电阻R2一般选取小于10Ω电阻。

4、输出二极管两端并联RC

二极管在高速导通和关断时,反向恢复期间,二极管的寄生电感和电容会产生高频振荡,为了抑制高频振荡可在二极管两端加RC缓冲电路如图2所示,电阻R3一般在1Ω~100Ω,电容C3一般在100pF~1nF,如果电源工作频率较低,效率满足要求的话,二极管D3可以选择反向恢复时间较慢的二极管。

5、输出加二级LC滤波

LC对噪声和纹波抑制效果比较明显,根据纹波频率选择合适电感电容值,但由于柱形电感价格低体积小的优点,所以一般LC中电感大都会选择柱形电感,然而柱形电感是开放式磁结构,对周围会产生较严重磁干扰,我们可以采用两个电感并排放置,且电流流入方向相反,即有助于引导磁通从一个磁柱到另一个磁柱,从而可以降低电磁干扰,如图3所示。

电源设计经验:如何抑制纹波噪声

6、变压器初次级之间加法拉第屏蔽层

变压器的绕组通过高频电流时,变压器将变成有效的磁场天线,变压器绕组又承受跳跃电压,即变压器也变成了电场天线,在初次级之间加法拉第屏蔽层可收集隔离边界处的噪声电流,并予以转移到原边地,但铜箔应为非常薄的铜箔带,尽量避免涡流损耗并减小漏感,注意,铜屏蔽层末端不应有电连接,否则会形成磁短路。

7、降低变压器漏感

采用三明治绕法可使初次级绕组耦合更加紧密,使漏感得以减小,从而到达减小噪声的目的。

8、变压器输出绕组并联的合理设计

当电源输出电流较大时,通常我们会采用两个绕组并联的方式进行使用,这两个绕组通常分置于原边绕组内外,所以直流阻抗会略有差异,从而有可能产生内部环流,电压波形也会出现严重的振铃,并且电磁干扰会变的更加严重,以及有可能会出现意外的大量发热,如果输出绕组一定需要并联使用,最好采用如图4的推荐电路,图4推荐电路中二极管可以消除两个不同绕组的不均匀导致的负面影响。

电源设计经验:如何抑制纹波噪声

小结:

在设计电源时,有上述八种方式可降低输出的纹波噪声,如果选用成品电源,不管是模块电源、普通开关电源、电源适配器等,这部分的工作一般都由电源设计厂家完成,客户只需关注规格书写明的输出纹波噪声即可。

转自: ZLG致远电子

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在本篇文章中,我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。

降压转换器

图1是非同步降压转换器的原理图。降压转换器将其输入电压降低为较低的输出电压。当开关Q1导通时,能量转移到输出端。

如何着手电源设计?
图1:非同步降压转换器原理图

公式1计算占空比:
如何着手电源设计?

公式2计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应力:
如何着手电源设计?

公式3给出了最大二极管应力:
如何着手电源设计?

其中Vin是输入电压,Vout是输出电压,Vf是二极管正向电压。

与线性稳压器或低压差稳压器(LDO)相比,输入电压和输出电压之间的差异越大,降压转换器的效率就越高。

尽管降压转换器在输入端具有脉冲电流,但由于的电感 - 电容(LC)滤波器位于转换器的输出端,输出电流是连续的。结果,与输出端的纹波相比,反射到输入端的电压纹波将会更大。

对于占空比小且输出电流大于3A的降压转换器,建议使用同步整流器。如果您的电源需要大于30A的输出电流,建议使用多相或交错功率级,因为这样可以最大限度地减少组件的应力,在多个功率级之间分散产生的热量,并减少转换器输入端的反射纹波。

使用N-FET时会造成占空比受限,因为自举电容需要在每个开关循环进行再充电。在这种情况下,最大占空比在95-99%的范围内。

降压转换器通常具有良好的动态特性,因为它们为正向拓扑结构。可实现的带宽取决于误差放大器的质量和所选择的开关频率。

图2至图7显示了非同步降压转换器中FET、二极管和电感器在连续导通模式(CCM)下的电压和电流波形。

如何着手电源设计?

升压转换器

升压转换器将其输入电压升高为更大的输出电压。当开关Q1不导通时,能量转移到输出端。图8是非同步升压转换器的原理图。

如何着手电源设计?
图8:非同步升压转换器原理图

公式4计算占空比:
如何着手电源设计?

公式5计算最大MOSFET应力:
如何着手电源设计?

公式6给出了最大二极管应力:
如何着手电源设计?

其中Vin是输入电压,Vout是输出电压,Vf是二极管正向电压。

使用升压转换器,可以看到脉冲输出电流,因为LC滤波器位于输入端。因此,输入电流是连续的,输出电压纹波大于输入电压纹波。

在设计升压转换器时,重要的是要知道,即使转换器不在进行切换,也会有从输入到输出的永久连接。必须采取预防措施,以防输出端可能发生的短路事件。

对于大于4A的输出电流,应使用同步整流器替换二极管。如果电源需要提供大于10A的输出电流,强烈建议采用多相或交错功率级方式。

当在CCM模式下工作时,升压转换器的动态特性由于其传递函数的右半平面零点(RHPZ)而受到限制。由于RHPZ无法补偿,所以可实现的带宽通常将小于RHPZ频率的五分之一到十分之一。请参见公式7:

如何着手电源设计?

其中Vout是输出电压,D是占空比,Iout是输出电流,L1是升压转换器的电感。

图9至图14显示了非同步升压转换器中FET、二极管和电感器在CCM模式下的电压和电流波形。

如何着手电源设计?

降压-升压转换器

降压-升压转换器是降压和升压功率级的组合,共享相同的电感器。参见图15。

如何着手电源设计?
图15:双开关降压-升压转换器原理图

降压-升压拓扑结构很实用,因为输入电压可以比输出电压更小、更大或相同,而需要输出功率大于50W。

对于小于50W的输出功率,单端初级电感转换器(SEPIC)是一种更具成本效益的选择,因为它使用较少的组件。

当输入电压大于输出电压时,降压-升压转换器以降压模式工作;输入电压小于输出电压时,在升压模式下工作。当转换器在输入电压处于输出电压范围内的传输区域中工作时,处理这些情况有两个概念:或是降压和升压级同时有效,或是开关循环在降压和升压级之间交替,每个通常以正常开关频率的一半运行。第二个概念可以在输出端引起次谐波噪声,而与常规降压或升压工作相比,输出电压精度可能不那么精确,但与第一个概念相比,转换器将更加有效。

降压-升压拓扑结构在输入和输出端都有脉冲电流,因为任一方向都没有LC滤波器。

对于降压-升压转换器,可以分别使用降压和升压功率级计算。

具有两个开关的降压-升压转换器适用于50W至100W之间的功率范围(如LM5118),同步整流功率可达400W(与LM5175相同)。建议使用与未组合降压和升压功率级相同的电流限制的同步整流器。

您需要为升压级设计降压-升压转换器的补偿网络,因为RHPZ会限制稳压器带宽。

转自: TI E2E™ 中文社区

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