全栈式信号链芯片供应商列拓科技Leto今日宣布，最新推出高性能、高闪存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。
LTM32F103ZET6芯片使用ARM® 32位Cortex-M3®内核，最高工作频率 96MHz；LTM32F103ZET6芯片内置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存储器；并且可以通过FSMC模块挂载最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存储器。LTM32F103ZET6芯片支持多种省电模式，使其能够满足各种低功耗应用的要求，其内部框架图如下：
LTM32F103ZET6芯片主要特性：
• ARM® 32位Cortex-M3®内核
• 512KB闪存、64KB SRAM高速存储器
• 高达96MHz工作频率
• 2.0V~3.6V工作电压范围
• -40℃~85℃工作温度范围
• 多达11个16位定时器
• 12位的ADC/DAC数模转换器
• 集成USB全速接口和CAN以及FSMC外设
• 多达13个I2C/UART/SPI/SDIO通信接口
• 12通道DMA控制器
• 支持睡眠、停机、待机三种低功耗模式
• 封装尺寸：LQFP144(20x20mm)
应用场景：
LTM32F103ZET6可以广泛应用于电机驱动器、数模转换模块、数据通信设施、应用控制设备、医疗与手持设备。
应用产品（例）：
PC游戏外设
打印机
视频对讲设备
空调风机
美容仪
显示器
LTM32F103ZET6预计7月份量产，目前已经送样中。
来源：列拓
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