驱动电路设计

MOSFET功率半导体是电压型驱动，驱动的本质是对栅极端口的电容充电，驱动峰值电流是受功率器件驱动电阻和驱动器内阻影响的，而驱动功率则由栅极电荷、驱动电压和开关频率决定。

本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。

为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。

本文就来介绍一个设计案例，采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET 5kW交错调制图腾柱PFC评估板。

驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。

本文为了简化问题，分析固定占空比下，即针对一个PWM周期内的设计。

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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。

为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。

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