肖特基二极管

肖特基二极管因为几乎没有反向恢复trr。因此，可以在很高开关频率下运行，而VF又非常小，受到电源工程师的广泛青睐。不过，因为反向漏电流IR大，如下图1 所示，所以不适合用作高耐压元件，通常最高耐压可达200V。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。

Littelfuse, Inc.宣布推出两款二极管，进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。相比传统的硅基器件，两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势......

与传统USC封装相比，新封装设计热阻降低50%

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出一款新型肖特基势垒二极管产品“CUHS10F60”。该器件主要面向电源电路整流和回流预防等应用。量产和出货即日启动。

新的CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105°C/W[1]低热阻，其封装代码为“SOD-323HE”。该封装的热阻较传统USC封装降低约50%，可实现更轻松的散热设计。

此外，与该产品系列的其他产品相比，其性能也实现了进一步提升。与CUS04[2]肖特基二极管相比，最大反向电流降低约60%，降至40µA[3]。因此，使用该产品有助于降低目标应用的功耗。此外，其反向电压已从40V提高至60V，使其与CUS10F40[4]相比拥有更大的应用范围。

应用场合

电源电路（整流和回流预防等）

特点

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD）的简称。

肖特基二极管原理及结构

和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

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