ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET
ROHM开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于碳化硅（SiC）材料的场效应晶体管。SiC作为一种宽禁带半导体材料，具有优越的高温、高频和高电压特性，使得SiC MOSFET在高性能电力电子领域越来越受到关注。
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于碳化硅（SiC）材料的场效应晶体管。SiC作为一种宽禁带半导体材料，具有优越的高温、高频和高电压特性，使得SiC MOSFET在高性能电力电子领域越来越受到关注。
ROHM开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。