ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET demi / 周三, 17 六月 2020 - 11:33 ROHM开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。 阅读更多 关于 ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET登录 发表评论
