Littelfuse

Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 凭借覆盖超过20个国家的业务和约18,000名全球员工,我们与客户合作,设计和交付创新、可靠的解决方案。 服务于超过100,000家最终客户,我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。 Littelfuse成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊斯州芝加哥。

支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用

10月22日,Littelfuse公司宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。

碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势,包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会,包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

此外,相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型应用包括:
  •   太阳能逆变器
  •   开关模式和不间断电源
  •   电机驱动器
  •   高压DC/DC转换器
  •   感应加热

“此产品可改善现有应用,并且Littelfuse应用支持网络可促进新的设计方案。”Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可为基于硅的传统功率晶体管器件提供富有价值的替代选择。 相比同类IGBT,MOSFET器件结构可减少每个周期的开关损耗并提高轻载效率。 固有的材料特性让碳化硅MOSFET能够在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面优于硅MOSFET。”

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,具有以下关键优势:
  •   专为高频、高效应用优化
  •   极低栅极电荷和输出电容
  •   低栅极电阻,适用于高频开关

供货情况

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只装TO-247-3L管式封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

如要了解更多信息:

可通过以下方式查看更多信息:LSIC1MO170E1000E碳化硅MOSFET产品页面

如要了解供应情况、初始定价和一般技术咨询,请联系Littelfuse半导体事业部电源半导体全球产品营销经理Michael Ketterer: mketterer@littelfuse.com

如有技术问题,请联系:电源半导体热线: powersemisupport@littelfuse.com.

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通过UL 248-14认证,达到本质安全危险区域应用标准

Littelfuse公司,今日宣布推出40mA PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝,支持为本质安全产品设计屏障网电路,防止在危险环境中出现火灾和爆炸。 该保险丝通过最大限度地降低过流/短路风险,防止用于危险环境的电子设备过热,或产生引起火灾或爆炸的火花。

PICO® 242系列40mA屏障网保险丝

PICO® 242系列保险丝满足本质安全标准(IEC/EN/UL 60079-11)针对危险位置和爆炸性环境应用的要求,因此产品设计将符合相关欧洲指令和其他全球要求。 PICO® 242系列产品的额定电流为40mA,是市面上小封装尺寸屏障保险丝中额定标称电流最低的产品,可支持紧凑的本质安全性产品设计,同时避免降低保护性能。

PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝的典型应用包括:

  •   测试、计量或加工电子/电气设备
  •   电机控制器
  •   手持通信设备/双向无线电和相关的电池充电器
  •   流程控制和自动化设备
  •   流量/气体仪表

“PICO® 242系列的40mA标称额定电流相比早前的50mA屏障网保险丝具有显著优势。 本质安全产品的设计师根据保险丝额定电流设定所有其他组件必须遵守的功率阈值。”Littelfuse电子业务部全球产品经理Christopher Coolman表示,“它可将齐纳二极管等下游组件的功率要求降低20%,支持更为紧凑的设计,并节约这些组件的相关成本。”

PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝具有以下关键优势:

  •   超低额定标称电流(40mA)可降低下游组件、接线和电路板走线的额定功率和载电流容量。
  •   满足针对危险区域应用的本质安全标准(EN/IEC/UL 60079-11),并且通过了UL 248-14认证,可加速最终产品的认证流程,并能够满足全球要求。
  •   可防止下游电路的过流/短路故障在爆炸性环境中点燃火花。

供货情况

PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝提供轴向引线式(100只或500只装子弹袋装)和表面安装式封装(500只装卷带封装)。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

更多信息

可通过以下方式查看更多信息:PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝产品页面。如有技术问题,请联系:Littelfuse电子业务部全球产品经理Christopher Coolman(ccoolman@littelfuse.com)。

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是智能家用电子产品等物联网应用的理想之选

Littelfuse公司,今日宣布推出六个系列的高温灵敏型、标准型和交变型三端双向可控硅,可在由交流电压高达220VRMS线路供电的电器和设备中用作半导体开关。 这些组件采用紧凑型表面安装式封装,是业内首创、达到此最高温度的三端双向可控硅,额定电流可达4A、6A和8A。 通过结合节省空间的封装、高温性能和不同额定电流选择,其非常适合需要紧凑设计但不存在连续高电流的物联网(IoT)应用,例如智能门铃、温控器、吊扇/灯、门锁等。

高温三端双向可控硅

灵敏型组件可保证在第一象限和第四象限的电流门极控制较低,直接与数字控制电路对接。 标准型组件通常在第一象限和第三象限运行,并由交流线路触发。 交变型组件仅可在第一、第二和第三象限运行,并由交流线路触发,用于需要高dv/dt的电路。 这些组件的最高结温达150 °C,通过提供更大的热设计余量,帮助电路设计师应对由于散热有限或无散热造成的热管理问题。 组件的高浪涌性能可简化加热器或电机控制应用中冷突入电流的处理。

三端双向可控硅的典型应用包括:

  •  24VAC控制器,例如智能门铃、温控器、洒水定时器、门锁等
  •  110VAC控制器,例如智能吊灯/风扇、LED泛光灯等
  •  交流电磁阀/阀门控制
  •  交流加热控制和交流电机控制

“结合可靠的夹式连接组件设计和最高运行结温,可确保承受短时过载所需的高浪涌保护能力。”Littelfuse半导体事业部业务开发经理Koichiro Yoshimoto表示。 “小型表面安装式封装提供多种额定电流选择,这些组件让设计师能够最大限度地缩小LED照明、电磁铁驱动器和电机驱动器等低功耗应用的电路板尺寸。

供货情况

高温灵敏型、标准型和交变型三端双向可控硅采用750只装TO-251 (VPAK)或TO-252 (DPAK)管状封装(每管75只)或2,500只装模压载体带形式供货。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

更多信息
更多信息请见:
LJxx04xx系列和QJxx04xx系列4安培高温灵敏型和标准型三端双向可控硅产品页面
LJxx06xx系列和QJxx06xHx系列6安培高温灵敏型和交变型(高换向性)三端双向可控硅产品页面
LJxx08xx系列和QJxx08xHx系列8安培高温灵敏型和交变型(高换向性)三端双向可控硅产品页面

如有技术问题,请联系:Littelfuse半导体事业部业务开发经理Koichiro Yoshimoto (kyoshimoto@ littelfuse.com)。

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单向或双向ESD和浪涌保护可选

Littelfuse公司,今日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件,最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。

Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列

200W分立型AQHV系列(单向)和AQHV-C(双向)产品可保护敏感型设备免因静电放电(ESD)和其他过压瞬变而损坏。 这两个系列的产品均可安全吸收高于国际标准规定的最高级别的反复性静电放电而不会引起性能下降,并能以极低的箝位电压安全地耗散高达8A(AQHV12系列)的感应浪涌电流。

AQHV和AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括:

  •  汽车电子设备的ESD保护
  •  LED照明模块
  •  移动/手持设备
  •  CAN总线(电传线控)
  •  LIN总线RS-232和RS-485接口
  •  通用低速I/O
  •  便携式仪表

“作为符合AEC-Q101要求的设备,AQHV和AQHV-C系列可在最恶劣的环境中确保达到最高的可靠性。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)总监Tim Micun表示。 “这使其成为需要更换无源ESD保护器件或在印刷电路板上部署保护器件的设计师的绝佳选择。”

AQHV和AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势:

  •  高达±30kV的ESD保护和高达8A的浪涌保护可帮助设备制造商遵守并超越行业标准,延长设备寿命和系统正常运行时间。

  •  相比替代技术,较低的动态电阻可将钳位电压降低60%,是保护采用小型IC的现代电子产品的理想选择。

  •  结构中采用的硅二极管能够处理>1000 ESD震击或瞬态浪涌而不会降低性能,相比之下,替代技术则具有固有的内部磨损缺陷。

供货情况

AQHV和AQHV-C系列瞬态抑制二极管阵列提供SOD-882 (0402)表面安装式封装,并提供10,000只装卷带封装。 如需了解Littelfuse 授权销商名单,可访问 http://www.littelfuse.com/

更多信息

可通过以下方式查看更多信息: AQHV系列瞬态抑制二极管阵列产品页面 以及 AQHV-C系列SPA瞬态抑制二极管阵列产品页面。如有技术问题,请联系Littelfuse瞬态抑制二极管阵列总监Tim Micun:TMicun@littelfuse.com

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市面上首款01005型瞬态抑制二极管阵列,采用全密封型DNF塑料封装

4月12日 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业,今天推出了两个符合AEC-Q101标准的单向瞬态抑制二极管阵列产品系列,其专为保护I/O和电源端口免于静电放电(ESD)损坏而进行了优化。 SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)集成了多个采用专有硅雪崩技术装配的雪崩击穿二极管来保护每个引脚。 这类装置为单向全密封型瞬态抑制二极管,采用紧凑的01005型塑料封装;这两个特点是瞬态抑制二极管阵列市场中的首创。 这种可靠的二极管可在±8kV (SP1053)或±30kV (SP1054)条件下安全吸收重复性ESD震击,而不会造成性能减退。 此外,每个二极管均可在钳位电压极低的情况下,安全承受1.0A (SP1053)和2.5A (SP1054)浪涌。

SP1053系列瞬态抑制二极管阵列
SP1053系列瞬态抑制二极管阵列

SP1054系列瞬态抑制二极管阵列
SP1054系列瞬态抑制二极管阵列

SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括移动电话、智能手机、摄录一体机、便携式医疗设备、数码相机、可穿戴技术、便携式导航设备、平板电脑、销售点终端机和识别模块。

“SP1053和SP1054系列这类单向二极管应当始终是保护I/O和电源端口免于ESD损坏的首选解决方案,因为这些线路具有单向性。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)业务开发经理Tim Micun表示, “与规格相似的其他装置(裸硅或由氧化物覆盖的裸硅)不同的是,SP1053和SP1054 系列采用全密封型塑料封装,有助于防止磨损、温度周期变化和潮湿。”

SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列提供下列关键优势:

• 为市面上首款将塑料封装和紧凑01005外形尺寸融为一体的保护装置,可防止会干扰ESD保护的终端之间焊料短路、磨损和潮湿侵入。

• 这些单向瞬态抑制二极管阵列的动态电阻仅为双向解决方案的一半,可更快、更好地保护敏感型端口。

• 超小型01005 DFN全密封封装为争相打造更加小巧的最终产品的电路设计师提供了新的选择。

供货情况

SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列提供DFN 01005式塑料卷带封装,包装数量为20,000只。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

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该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能,在电源转换系统中实现超快切换

3月15日 - 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻(RDS(ON)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。 这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。 其还兼具高工作电压和超高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。

这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括:

• 电动汽车
• 工业机械
• 可再生能源(如太阳能逆变器)
• 医疗设备
• 开关式电源
• 不间断电源(UPS)
• 电机驱动器
• 高压DC/DC转换器
• 感应加热

“这些新型碳化硅MOSFET为电源转换器设计师提供了传统硅基晶体管的先进替代选择。”Littelfuse电源半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “其固有的材料特性和超快速切换能力提供了各种优化设计的机会,包括提高功率密度、提高效率和降低物料成本的可能性。”

新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势:

• 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计。
• 极低的栅极电荷和输出电容结合超低导通电阻可最大限度地减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

供货情况

LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装,提供450只装管式包装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

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Littelfuse今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管(SPA®二极管)中的最新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压,用于保护低压电源总线免受静电放电(ESD)的损坏。

这种二极管采用专有的硅雪崩制造技术以瞬态抑制二极管构成,可保护每个I/O引脚,为对破坏性ESD高度敏感的电子设备提供高水平保护。 该二极管功能强大,可安全吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退。 此外,每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20μs波形浪涌电流。

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列常用于汽车电子设备、工业产品、消费电子产品、开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记本电脑/台式机/服务器和电脑周边设备。

“ SP1103C系列具有更强大的ESD保护能力,让制造商能够提供超越IEC标准最高级别的ESD保护性能。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “它还能防范多种其他威胁,确保产品在现场发挥更加可靠的性能。”

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势:

极低(0.01 ohm)的动态电阻可确保在发生过电压事件时做出快速响应,提供ESD保护。
离散型双向设计使其无论向前或向后插入均可正常工作。
低击穿电压(3.3V)可保护高达2.8V的导电轨。
业内标准无铅1610DFN封装适合用于工业、汽车和商业环境。
供货情况

SP1103C系列(表面贴装式1610DFN封装)提供卷带封装,起订量3,000只。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。

如要了解更多信息

可通过以下方式查看更多信息: SP1103C瞬态抑制二极管阵列产品页面。如有技术问题,请联系:Tim Micun,瞬态抑制二极管阵列业务开发经理, tmicun@littelfuse.com.

关于 Littelfuse

Littelfuse 公司成立于 1927 年,是电路保护领域的全球领导者,在功率控制和传感方面拥有不断增长的全球平台。该公司为电子、汽车和工业市场的客户提供包括保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器等技术。Littelfuse 在全球 40 多个国家和地区拥有超过 1 万名员工。有关更多信息,请访问www.Littelfuse.com

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