Littelfuse

<font color="#FD8900">支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用</font>

10月22日，Littelfuse公司宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。

碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多重优势，包括电动和混动汽车、数据中心及辅助电源。 相比同类的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化机会，包括提高效率、增加功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本的可能性。

此外，相比市面上其他业内领先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更优越的性能。

<font color="#FD8900">通过UL 248-14认证，达到本质安全危险区域应用标准</font>

Littelfuse公司，今日宣布推出40mA PICO® 242系列危险区域屏障网保险丝，支持为本质安全产品设计屏障网电路，防止在危险环境中出现火灾和爆炸。 该保险丝通过最大限度地降低过流/短路风险，防止用于危险环境的电子设备过热，或产生引起火灾或爆炸的火花。

<a href="http://www.littelfuse.cn/~/media/electronics/images/fuses/littelfuse_fu…® 242系列40mA屏障网保险丝</strong></a>

<font color="#FD8900">是智能家用电子产品等物联网应用的理想之选</font>

Littelfuse公司，今日宣布推出六个系列的高温灵敏型、标准型和交变型三端双向可控硅，可在由交流电压高达220VRMS线路供电的电器和设备中用作半导体开关。 这些组件采用紧凑型表面安装式封装，是业内首创、达到此最高温度的三端双向可控硅，额定电流可达4A、6A和8A。 通过结合节省空间的封装、高温性能和不同额定电流选择，其非常适合需要紧凑设计但不存在连续高电流的物联网（IoT）应用，例如智能门铃、温控器、吊扇/灯、门锁等。

<strong>高温三端双向可控硅</strong>

灵敏型组件可保证在第一象限和第四象限的电流门极控制较低，直接与数字控制电路对接。 标准型组件通常在第一象限和第三象限运行，并由交流线路触发。 交变型组件仅可在第一、第二和第三象限运行，并由交流线路触发，用于需要高dv/dt的电路。 这些组件的最高结温达150 °C，通过提供更大的热设计余量，帮助电路设计师应对由于散热有限或无散热造成的热管理问题。 组件的高浪涌性能可简化加热器或电机控制应用中冷突入电流的处理。

三端双向可控硅的典型应用包括：

<font color="#FD8900">单向或双向ESD和浪涌保护可选</font>

Littelfuse公司，今日宣布推出两个符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔断、高性能过电压保护器件，最适合用于电源接口、乘客充电接口以及LED照明模块和低速I/O。

<center><img width="300" src="http://mcu.eetrend.com/files/2018-05/wen_zhang_/100011443-40426-lie.jpg…; alt="Littelfuse宣布推出汽车用瞬态抑制二极管阵列"></center>

<font color="#FD8900">市面上首款01005型瞬态抑制二极管阵列，采用全密封型DNF塑料封装</font>

4月12日 - Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，今天推出了两个符合AEC-Q101标准的单向瞬态抑制二极管阵列产品系列，其专为保护I/O和电源端口免于静电放电（ESD）损坏而进行了优化。 SP1053和SP1054系列瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)集成了多个采用专有硅雪崩技术装配的雪崩击穿二极管来保护每个引脚。 这类装置为单向全密封型瞬态抑制二极管，采用紧凑的01005型塑料封装；这两个特点是瞬态抑制二极管阵列市场中的首创。 这种可靠的二极管可在±8kV (SP1053)或±30kV (SP1054)条件下安全吸收重复性ESD震击，而不会造成性能减退。 此外，每个二极管均可在钳位电压极低的情况下，安全承受1.0A (SP1053)和2.5A (SP1054)浪涌。

<font color="#FD8900"> 该产品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在电源转换系统中实现超快切换</font>

Littelfuse今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管（SPA®二极管）中的最新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压，用于保护低压电源总线免受静电放电（ESD）的损坏。

这种二极管采用专有的硅雪崩制造技术以瞬态抑制二极管构成，可保护每个I/O引脚，为对破坏性ESD高度敏感的电子设备提供高水平保护。 该二极管功能强大，可安全吸收±30kV的反复性ESD震击而不会造成性能减退。 此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A的8/20μs波形浪涌电流。

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列常用于汽车电子设备、工业产品、消费电子产品、开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记本电脑/台式机/服务器和电脑周边设备。

“ SP1103C系列具有更强大的ESD保护能力，让制造商能够提供超越IEC标准最高级别的ESD保护性能。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “它还能防范多种其他威胁，确保产品在现场发挥更加可靠的性能。”

SP1103C系列瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势：