安森美半导体

美国国际消费电子展(CES) – 威尼斯人3302 – 内华达州拉斯维加斯 - 2019年12月20日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在CES 2020展示最新的LiDAR技术，这也是公司汽车方案展示的焦点。

美国国际消费电子展(CES) – 威尼斯人3302 – 内华达州拉斯维加斯 - 2019年12月18日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，将在CES 2020展示应用于智能家居、联接的楼宇和个人IoT的各种创新技术。

美国国际消费电子展(CES) – 威尼斯人3302 – 内华达州拉斯维加斯 - 2019年12月17日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出新的VE-Trac™系列电源模块的首两款器件，用于高压汽车牵引逆变器。

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，在由《电子发烧友》网站(elecfans.com)主办的2019中国物联网(IoT)创新奖中获两个类别的奖项，并在由《电子产品世界》(EEPW)主办的2019 IoT创新奖中获奖。

2019年11月8日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)的ARX3A0 CMOS图像传感器获知名2019年度全球电子成就奖 (WEAA)年度传感器产品奖。

<font color="#FD8900">器件在兼容高功率密度、高能效USB-PD和高通Quick Charge的充电器和适配器设计方面实现重大进展</font>

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)宣布NCP1568有源钳位反激(ACF)控制器和相应的NCP51530高速半桥驱动器获2018年度“Top 10电源产品奖”。该奖项由《今日电子》与《21IC中国电子网》联合举办，是中国电子业备受认同的确定最新的创新产品的一个基准。

这两款器件代表一种新的方案和重大进步，支持世界级的、高密度电源适配器和电池充电器设计用于需要兼容USB供电(USB-PD)或高通Quick Charge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其它便携式设备。虽然使用这些产品的方案可实现超过100 W的设计，但一个关键的品质因数是完全兼容的60 W适配器参考设计，具有29W/In3的功率密度，通过使用超级结(SJ) FET能以93.6%的峰值能效工作。

<font color="#FD8900">获蓝牙认证和EEMBC® ULPMark™ 验证的6 x 8 x 1.46 mm SiP集成天线，加速设计和市场导入</font>

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)扩展了蓝牙5认证的无线电系统单芯片(SoC) RSL10系列，采用一个现成的6 x 8 x1.46毫米系统级封装(SiP)模块。RSL10支持蓝牙低功耗无线配置文件，易于设计到任何“连接的”应用中，包括运动/健身或移动医疗可穿戴设备、智能锁和电器。

RSL10 SIP含内置天线、RSL10无线电和所需的所有无源器件在一个完整的微型方案中。RSL10 SIP获蓝牙特别兴趣小组(SIG)认证，无需任何额外的射频（RF）设计考量，大大减少了上市时间和开发成本。

<font color="#FD8900">更低损耗和更快开关带来高能效、节省空间的方案和更低系统总成本</font>

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。

SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰（EMI），减小的系统尺寸和降低的成本使SiC成为越来越多的高性能汽车应用的极佳选择。

安森美半导体的新的SiC二极管采用流行的表面贴装和通孔封装，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代器件和FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢复、低正向电压、与温度无关的电流稳定性、极低漏电流、高浪涌电容和正温度系数。它们提供更高的能效，而更快的恢复则提高了开关速度，从而减小了所需的磁性元件的尺寸。