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谈到内存，我们都会想到PC，对于单片机或者arm来说也是存在内存的，简单的理解是：内存嘛……就是存放东西的地方，只不过这个东西是数据而已，好了，还是把重点放在mcu上面，对于一款mcu来说，在性能描述的时候都会告诉sram，flash的容量大小，对于初学者来说，也不会去考虑和理会这些东西，拿到东西就只用。其实不然，这些量都是十分重要的，仔细想想，代码为什么可以运行，代码量是多少，定义的int、short等等类型的变量究竟是怎么分配和存储的，这些问题都和内寸有关系。
STM32中有多达8个定时器，其中TIM1和TIM8是能够产生三对PWM互补输出的高级定时器，常用于三相电机的驱动，它们的时钟由APB2的输出产生。其它6个为普通定时器，时钟由APB1的输出产生。
ARM微处理器支持加载/存储指令用于在寄存器和存储器之间传送数据，加载指令用于将存储器中的数据传送到寄存器，存储 指令则完成相反的操作。
常用的加载存储指令如下：
<strong>1、LDR指令</strong>
LDR指令的格式为：
LDR{条件} 目的寄存器，<存储器地址>
LDR指令用于从存储器中将一个32位的字数据传送到目的寄存器中。该指令通常用于从存储器中读取32位的字数据到通用寄存器，然后对数据进行处理。当程序计数器PC作为 目的寄存器时，指令从存储器中读取的字数据被当作目的地址，从而可以实现程序流程的跳转。该指令在程序设计 中比较常用，且寻址方式灵活多样，请读者认真掌握。
指令示例：
在STM32中，有五个时钟源，为HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。
①、HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz。
②、HSE是高速外部时钟，可接石英/陶瓷谐振器，或者接外部时钟源，频率范围为4MHz~16MHz。
③、LSI是低速内部时钟，RC振荡器，频率为40kHz。
④、LSE是低速外部时钟，接频率为32.768kHz的石英晶体。
⑤、PLL为锁相环倍频输出，其时钟输入源可选择为HSI/2、HSE或者HSE/2。倍频可选择为2~16倍，
但是其输出频率最大不得超过72MHz。
其中FCLK，HCLK，PCLK都称为系统时钟，但区别如下：
FCLK，提供给CPU内核的时钟信号，CPU的主频就是指这个信号；
对AVR熔丝位的配置是比较细致的工作，用户往往忽视其重要性，或感到不易掌握。下面给出对AVR熔丝位的配置操作时的一些要点和需要注意的相关事项。
(1)在AVR的器件手册中，对熔丝位使用已编程(Programmed)和未编程(Unprogrammed)定义熔丝位的状态，“Unprogrammed”表示熔丝状态为“1”(禁止);“Programmed”表示熔丝状态为“0”(允许)。因此，配置熔丝位的过程实际上是“配置熔丝位成为未编程状态“1”或成为已编程状态“0””。
(2)在使用通过选择打钩“&raDIC;”方式确定熔丝位状态值的编程工具软件时，请首先仔细阅读软件的使用说明，弄清楚“&radIC;”表示设置熔丝位状态为“0”还是为“1”。
<strong>1、MRS指令</strong>
MRS指令的格式为：
MRS{条件} 通用寄存器 程序状态寄存器（CPSR或SPSR）
MRS指令用于将程序状态寄存器的内容传送到通用寄存器中。该指令一般用在以下两种情况：
Ⅰ.当需要改变程序状态寄存器的内容时，可用MRS将程序状态寄存器的内容读入通用寄存器，修改后再写回程序状态寄存器。
Ⅱ.当在异常处理或进程切换时，需要保存程序状态寄存器的值，可先用该指令读出程序状态寄存器的值，然后保存。
快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。
与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。
ARM是统一编址的，也就是外设和内存进行统一的编址，共同形成了4G物理地址空间（32位为例子）。
大家知道操作外设时，实际上操作的是读写设备相关的寄存器，这些与外设相关的寄存器与不同操作模式下R0-R15那些寄存器是不同的，这些寄存器并不是所谓的物理上的寄存器，实际上是所谓的IO端口，通常会有控制、状态、数据的分类。他们被连续地编址，对于其编址的方式有两种一种是IO映射、一种是内存映射。IO映射是对x86为例的复杂指令集来说的，需要专门的IO控制指令，不详谈。
ARM 微处理器支持的乘法指令与乘加指令共有6条，可分为运算结果为32位和运算结果为64位两类，与前面的数据处理指令不同，指令中的所有操作数、目的寄存器 必须为通用寄存器，不能对操作数使用立即数或被移位的寄存器，同时，目的寄存器和操作数1必须是不同的寄存器。
乘法指令与乘加指令共有以下6条：
<strong>1、MUL指令（相乘）</strong>
MUL指令的格式为：
<font color="#aa8812"> MUL{条件}{S} 目的寄存器，操作数1，操作数2</font>
在各种单片机应用系统中，芯片存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性，对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本文针对性地介绍了几种常用的单片机系统RAM测试方法，并在其基础上提出了一种基于种子和逐位倒转的RAM故障测试方法。
<strong>一、RAM测试方法回顾</strong>
<font color="#33b1c8">方法1：</font>一种测试系统RAM的方法是分两步来检查，先后向整个数据区送入#00H和#FFH，再先后读出进行比较，若不一样，则说明出错。
由于之前考虑不周，本篇在IO口原理知识的基础上，进一步补充一些知识。
<font color="#33b1c8"><strong>双向IO口的输出：互补推挽</strong></font>
在51单片机的P0口工作在普通IO口模式下，为准双向IO口。而工作在第二功能状态下时，则为标准的双向IO口。由于双向IO口的输出，要求能输出高低电平，通常会采用互补推挽电路。
ARM7具有3级流水线结构（取指、译码、执行），对大多数指令来说每条流水线的处理都是单周期的，不过某些情况下，取指和执行的周期数会延长，导致流水线进入stall状态，指令执行时间超过1个周期。
经过在LPC213x/214x（NXP ARM7TDMI-S）上的试验，得出各类指令的执行周期数如下：
1、大部分算术运算和逻辑运算指令都是单周期的（乘法例外）。
2、STR指令需要增加1个总线周期。如果地址位于内部SRAM，则是2个周期；如果地址位于AHB、VPB等外设总线上（例如访问外设的寄存器），由于局部总线和外设总线桥接还有额外延时，因此需要再增加一些周期数，在LPC213x/214x上，当VPB和主频相同时，需要再增加5个周期额外延时，即用STR指令访问外设寄存器需要7个期。
数据处理指令可分为数据传送指令、算术逻辑运算指令 和比较指令等。
• 数据传送指令用于在寄存器和存储器之间进行数据的双向传输；
• 算术逻辑运算指令完成常用的算术与逻辑的运算，该类指令不但将运算结果保存在目的寄存器中，同时更新CPSR中的相应条件标志位；
• 比较指令不保存运算结果，只更新CPSR中相应的条件标志位。
数据处理指令共以下16条。
1、MOV指令（传送）
MOV指令的格式为：
MOV{条件}{S} 目的寄存器，源操作数
在电力电子控制中，PWM几乎是无处不在的，不论是AC/DC，DC/AC，还是DC/DC，都涉及到PWM，PWM具体是什么可以自行百度，网上资料非常多，这里就不再赘述。在电力电子变换里面，PWM波形生成有两种方式，模拟和数字，专用的模拟IC不在此文探讨范围之内，本文主要介绍怎样用MCU来生成PWM。
ARM处理器的指令集可以分为跳转指令、数据处理指令、程序状态寄存器（PSR）处理指令、加载/存储指令、协处理器指令和异常产生指令6大指令。
一、跳转指令
跳转指令用于实现程序流程的跳转，在ARM程序中有以下两种方法可以实现程序流程的跳转。
Ⅰ.使用专门的跳转指令；
Ⅱ.直接向程序计数器PC写入跳转地址值，通过向程序计数器PC写入跳转地址值，可以实现在4GB的地址空间中的任意跳转，在跳转之前结合使用MOV LR，PC等类似指令，可以保存将来的返回地址值，从而实现在4GB连续的线性地址空间的子程序调用。
ARM指令集中的跳转指令可以完成从当前指令向前或向后的32MB的地址空间的跳转，包括以下4条指令：
<strong>1、B指令</strong>
<strong>1.ARM中一些常见英文缩写解释</strong>
MSB：最高有效位；
LSB：最低有效位；
AHB：先进的高性能总线；
VPB：连接片内外设功能的VLSI外设总线；
EMC：外部存储器控制器；
MAM：存储器加速模块；
VIC：向量中断控制器；
SPI：全双工串行接口；
CAN：控制器局域网，一种串行通讯协议；
PWM：脉宽调制器；
ETM：嵌入式跟踪宏；
CPSR：当前程序状态寄存器；
SPSR：程序保护状态寄存器；
<strong>2.MAM 使用注意事项</strong>
这一篇继续<a href="http://mcu.eetrend.com/blog/2018/100010640.html">上一篇</a>的内容，我们来做实验四：按键控制有源蜂鸣器，按下按键蜂鸣器响，释放按键不响。
<strong>蜂鸣器</strong>
31个通用寄存器，包括程序计数器（PC）在内。这些寄存器都是32位寄存器。
6个状态寄存器。这些寄存器都是32位寄存器。
通用寄存器（R0-R15）可分为三类 ：
• 不分组寄存器R0~R7；
• 分组寄存器R8~R14；
• 程序计数器PC。
对于R13,R14备份寄存器来说，每个寄存器对应六个不同的物理寄存器，其中的一个是系统模式和用户模式共用的；另外的五个对应于其他的五种处理器模式。
1、ARM总共有37个寄存器，但是每种模式下最多只能看到18个寄存器，其他寄存器虽然名字相同但是在当前模式不可见。
<strong>从应用角度看块存储、文件存储、对象存储</strong>
产品和市场需求有各种相互影响的关系，但不管是哪一种，最终呈现都是产品和应用需求需要对应匹配。应用需求越多样化，市场也就划分得更加细，产品种类也就更加丰富。在存储行业，我们也可以从“应用适配”这个角度来聊聊各类存储。
传统认知上来说，IT设备分为计算/存储/网络三大类，相互之间是有明显的楚河汉界的。计算大家都清楚，服务器，小型机，大型机；网络也就是路由器交换机；存储有内置存储和外置存储，最常见的就是磁盘阵列。在HCI（超融合）这个概念没被热炒之前，计算网络存储还都是泾渭分明，各担其责的。今天我们先不讨论超融合的情况，仅基于传统理解，看看存储的情况。
有许多工程师在遇到,晶振在电路板,一会儿起振,一会儿不起振,或用电吹风吹一下又可以正常工作等问题。这个时候就开始怀疑是否是晶振出问题了，其实我们不能下太早结论，必须抓到问题核心，才能做出正确判断。
唯物辩证法指的是一种研究自然、社会、历史和思维的哲学方法。其实就是告诉我们在遇到事情是要以一分为二，对于晶振也不例外，应从内外因不同的角度来分析晶振停振。
下面我们以内外因来分析晶振停振：
1、排除外界元件不良的情况，因为外界零件无非为电阻、电容，让你很容易鉴别是否为不良品。
2、排除晶振为不起振品的可能性，这里你不会只试了1~2个晶振就停止了测试。
3、排除线路错误的可能性，这样先试着用相应型号线路的推荐电路进行比较。
