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续接上期说的华大单片机设计特别注意事项

6. 使用内部RC主时钟RCH切换频率

方案一:切换RCH时必须遵循逐级调高4M->8M->16M->22.12M/24M,或者逐渐降低22.12M/24M->16M->8M->4M的过程,不能一步到位。

方案二:先切到RCL做系统时钟再改RCH。否则会影响产品可靠性,造成大批量时出现不良。

注意:进行时钟切换的时候要把全部中断都关掉。

7. I/O口电压不能大于VCC

华大L110/L13X/L17X/L19X/L07X;F003/F005/F030/F17X/F19X/F07X系列I/O没有5V tolerant功能,所以I/O电压不能大于VCC。

当I/O电压大于VCC时,最先出现的特征是ADC不准。工程师调试时喜欢用PC+USB-UART+串口调试助手来查看UART送出的数据。

这时如果UART电平大于MCU电源电压VCC,ADC数据会不准。

8. I2C模块使用特别注意

I2C模块在初始化的时候,在使能I2C时钟后,对模块进行一次复位,再对I2C其它的寄存器进行初始化。

9. HC32L110/HC32F003/HC32F005复位管脚

HC32L110/HC32F003/HC32F005芯片的RESET管脚可以复用为带上拉的GPIO数字输入端口,外围的复位电路需要保留。

L13X/L17X/L19X/L07X/F030/F17X/F19X/F07X系列芯片RESET管脚不可以利用为GPIO。

10. 低功耗模式程序调试

在应用程序中,如果需要进入低功耗模式,程序将无法进行调试。

如果程序中需要使用该功能,建议在调试开发阶段,在程序一开始添加几秒钟的延时程序,或者添加外部 IO 控制程序等方法来决定是否执行该段程序,或者增加外部唤醒机制,以便在二次调试开发时 SWD 功能能够正常使用。

来源:芯虎论坛-龙飞虎
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华大MCU之七:DMA 导致 SPI 异常停止的原因分析、DMA 配置的那些坑

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在最近的项目测试中发现,SPI 通信总是莫名其妙的失败,查看寄存器发现 SPI 已经被停止了。根据手册,SPI 在异常情况下会被强制停止(SPI 的使能为被清零),而根据波形显示通信过程没有问题。

华大MCU之六:SEGGER Embedded Studio及Ozone使用Jlink调试

cathy的头像

首先说一下,我之前的开发流程是:VSCode 编辑代码 + Keil 编译及调试。Keil 的调试功能虽然很强大,但是多数功能需要配合 ARM 自家的 ULINKpro 才可以用,例如 Performance Analyzer、Event Viewer 等。而我手头只有Jlink 和 ULINK 非 pro 版的…

在最近的项目中,随着代码量的不断增加,Keil 的编译速度瓶颈越来越明显!有的问题往往是调试一分钟,编译半小时!编译过慢的问题已经严重影响工作效率,于是开始寻找一个替代品!

Ozone 调试

起初,在 SEGGER 官网发现了一个名为 Ozone 的 Jlink 专用的调试器,非常小巧,调试也挺好用。不过,它仅仅就是个 Jlink 配套的调试器,不能编译代码。如果使用它,开发流程就是:VSCode 编辑代码 + Keil 编译 + Ozone 调试。

11月3日,由芯师爷主办、深福保集团冠名的“2020年度硬核中国芯领袖峰会暨评选颁奖盛典”圆满落幕。在“2020年硬核中国芯”评选中,华大半导体凭借卓越的产品性能以及优异的市场表现,一举斩获“2020年度最佳国产MCU产品奖”和“2020年度最具影响力IC设计企业”两项大奖。

2020年度最具影响力IC设计企业

2020年度最佳国产MCU产品奖 · HC32L136

关于华大半导体HC32L136

1. 芯片基于ARM Cortex-M0+内核,采用多项超低功耗设计技术,集成12bit 1Msps 逐次逼近型SAR ADC、LCD驱动、运算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等丰富的通讯外设,能够妥善处理功耗与资源之间的平衡,内建128位AES、TRNG硬件真随机数产生器和Unique-ID唯一序列号等安全模块,并支持1.8V~5.5V宽电压工作范围,具备高整合度、超低功耗、高可靠性特性。

2. 芯片集成SAR ADC、LCD驱动、运算放大器OPA以及多路UART、SPI、I²C等丰富的通讯外设,具备高整合度、超低功耗、高可靠性等特性。芯片性价比高,可以有效节省系统BOM成本,在物联网等对低功耗特性有强烈要求的应用里,价格优势明显。

3. 产品创新点

创新点一:基于超低温漂技术的超低功耗电路设计理论和技术。依靠新型的超低功耗电源管理(PMU)技术、超低功耗带隙基准源(LPBGR)技术和超低功耗低电压检测(LVD)技术,实现全芯片超低待机电流控制标志效果达到小于0.45μA。

创新点二:异步设计和DLL降噪技术的高能效时钟域设计理论和技术。依靠异步设计电路,优化时钟架构,优化高频时钟产生电路,指令预存取技术,实现超高能量效率控制标志效果达到23.19CoreMark/mA以上。

创新点三:自适应电压平衡技术的高速启动设计理论和技术。依靠超大范围负载低压差线性稳压器(LDO)、高精度高启动速度RC振荡器(IRCOSC)、高精度低速IRCOSC等控制技术,实现超快唤醒时间控制标志效果达到小于3μS。

创新点四:改进型密闭环技术的高可靠性电路设计理论和技术。芯片实现高可靠性创新:ESD人体放电模型达到±8KV,处于国际标准JEDEC JS-001分级中的最高等级Class 3B;EFT快速电脉冲群达到±4KV,处于国际标准IEC61000-4-4分级中最高等级Class 4。

华大半导体自主研发低功耗系列产品,形成并申请知识产权82项,其中专利75项(已授权13项)、集成电路布图登记7项(全部授权)。

4. 应用方案

(1)额温枪应用方案
(2)血氧仪应用方案
(3)智能水表应用方案
(4)ETC应用方案
(5)温控器应用方案
(6)NB-IoT无线模块应用方案

5. 在国内工业数据采集、水气表、ETC、额温枪、血氧仪等市场取得较高份额,市占率已超过40%。尤其在2019年ETC不停车收费系统建设和2020年抗击新冠肺炎疫情过程中,超过6500万颗本项目产品被应用到ETC/OBU车载单元、额温枪与血氧仪的生产中。在相关进口芯片供应短缺而生产需求又极为迫切的关键时刻,成功实现了进口替代,解决了智慧交通建设与防疫抗疫的重大技术保障问题。

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