IC芯片

其实了解芯片解密方法之前先要知道什么是芯片解密,网络上对芯片解密的定义很多,其实芯片解密就是通过半导体反向开发技术手段,将已加密的芯片变为不加密的芯片,进而使用编程器读取程序出来。

芯片解密所要具备的条件是:

第一、你有一定的知识,懂得如何将一个已加密的芯片变为不加密。

第二、必须有读取程序的工具,可能有人就会说,无非就是一个编程器。是的,就是一个编程器,但并非所有的编程器是具备可以读的功能。这也是就为什么我们有时候为了解密一个芯片而会去开发一个可读编程器的原因。具备有一个可读的编程器,那我们就讲讲,芯片解密常有的一些方法。

1、软件攻击:

该技术通常使用处理器通信接口并利用协议、加密算法或这些算法中的安全漏洞来进行攻击。软件攻击取得成功的一个典型事例是对早期ATMELAT89C系列单片机的攻击。攻击者利用了该系列单片机擦除操作时序设计上的漏洞,使用自编程序在擦除加密锁定位后,停止下一步擦除片内程序存储器数据的操作,从而使加过密的单片机变成没加密的单片机,然后利用编程器读出片内程序。

至于在其他加密方法的基础上,可以研究出一些设备,配合一定的软件,来做软件攻击。近期国内出现了一种凯基迪科技51芯片解密设备(成都一位高手搞出来的),这种解密器主要针对SyncMos.Winbond,在生产工艺上的漏洞,利用某些编程器定位插字节,通过一定的方法查找芯片中是否有连续空位,也就是说查找芯片中连续的FFFF字节,插入的字节能够执行把片内的程序送到片外的指令,然后用解密的设备进行截获,这样芯片内部的程序就被解密完成了。

2、电子探测攻击:

该技术通常以高时间分辨率来监控处理器在正常操作时所有电源和接口连接的模拟特性,并通过监控它的电磁辐射特性来实施攻击。因为单片机是一个活动的电子器件,当它执行不同的指令时,对应的电源功率消耗也相应变化。这样通过使用特殊的电子测量仪器和数学统计方法分析和检测这些变化,即可获取单片机中的特定关键信息。至于RF编程器可以直接读出老的型号的加密MCU中的程序,就是采用这个原理。

3、过错产生技术:

该技术使用异常工作条件来使处理器出错,然后提供额外的访问来进行攻击。使用最广泛的过错产生攻击手段包括电压冲击和时钟冲击。低电压和高电压攻击可用来禁止保护电路工作或强制处理器执行错误操作。时钟瞬态跳变也许会复位保护电路而不会破坏受保护信息。电源和时钟瞬态跳变可以在某些处理器中影响单条指令的解码和执行。

4、探针技术:

该技术是直接暴露芯片内部连线,然后观察、操控、干扰单片机以达到攻击目的。

5、紫外线攻击方法:

紫外线攻击也称为UV攻击方法,就是利用紫外线照射芯片,让加密的芯片变成了不加密的芯片,然后用编程器直接读出程序。这种方法适合OTP的芯片,做单片机的工程师都知道OTP的芯片只能用紫外线才可以擦除。那么要擦出加密也是需要用到紫外线。目前台湾生产的大部分OTP芯片都是可以使用这种方法解密的,感兴趣的可以试验或到去下载一些技术资料。OTP芯片的封装有陶瓷封装的一半会有石英窗口,这种事可以直接用紫外线照射的,如果是用塑料封装的,就需要先将芯片开盖,将晶圆暴露以后才可以采用紫外光照射。由于这种芯片的加密性比较差,解密基本不需要任何成本,所以市场上这种芯片解密的价格非常便宜,比如SONIX的SN8P2511解密,飞凌单片机解密等价格就非常便宜。

6、利用芯片漏洞:

很多芯片在设计的时候有加密的漏洞,这类芯片就可以利用漏洞来攻击芯片读出存储器里的代码,比如我们以前的文章里提到的利用芯片代码的漏洞,如果能找到联系的FF这样的代码就可以插入字节,来达到解密。还有的是搜索代码里是否含有某个特殊的字节,如果有这样的字节,就可以利用这个字节来将程序导出。这类芯片解密以华邦、新茂的单片为例的比较多,如W78E516解密,N79E825解密等,ATMEL的51系列的AT89C51解密是利用代码的字节漏洞来解密的。

另外有的芯片具有明显的漏洞的,比如在加密后某个管脚再加电信号的时候,会使加密的芯片变成不加密的芯片,由于涉及到国内某家单片机厂家,名称就不列出来了。目前市场上能看到的芯片解密器都是利用芯片或程序的漏洞来实现解密的。不过外面能买到的解密其基本上是能解得型号很少,因为一般解密公司都不会将核心的东西对外公布或转让。而解密公司自己内部为了解密的方便,自己会使用自制的解密工具,如果致芯科技具有可以解密MS9S09AW32的解密器、能专门解密LPC2119LPC2368等ARM的解密器,使用这样的解密器解密速度快,客户到公司基本上立等可取。

7、FIB恢复加密熔丝方法:

这种方法适用于很多的具有熔丝加密的芯片,最具有代表性的芯片就是TI的MSP430解密的方法,因为MSP430加密的时候要烧熔丝,那么只要能将熔丝恢复上,那就变成了不加密的芯片了,如MSP430F1101A解密、MSP430F149解密、MSP430F425解密等。一般解密公司利用探针来实现,将熔丝位连上,也有的人因为自己没有太多的解密设备,需要交由其它半导体线路修改的公司来修改线路,一般可以使用FIB(聚焦离子束)设备来将线路连接上,或是用专用的激光修改的设备将线路恢复。这些设备目前在国内的二手设备很多,也价格很便宜,一些有实力的解密公司都配置了自己的设备。这种方法由于需要设备和耗材,不是好的方法,但是很多芯片如果没有更好的方法的时候,就需要这种方法来实现。

8、修改加密线路的方法:

目前市场上的CPLD以及DSP芯片设计复杂,加密性能要高,采用上述方法是很难做到解密的,那么就需要对芯片结构作前面的分析,然后找到加密电路,然后利用芯片线路修改的设备将芯片的线路做一些修改,让加密电路失效,让加密的DSP或CPLD变成了不加密的芯片从而可以读出代码。如TMS320LF2407A解密,TMS320F28335解密、TMS320F2812解密就是采用这种方法。

转自: eepw.com

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Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)日前宣布推出一款高精度功耗和能量监控芯片PAC1934,该芯片与Microchip软件驱动程序结合使用,完全兼容内置于Windows 10操作系统中的能量估算引擎(E3),在电池供电的所有Windows 10设备上,其测量精度高达99%。Microchip的PAC1934和Windows 10驱动程序与Microsoft的E3服务相结合,将各种软件应用程序的电池使用量测量精度提高了29%。

Microsoft首席项目经理Jessie Labayen说:“Microchip的PAC1934测量范围非常宽,可以高精度的测量显示屏、CPU、存储、网络、总体以及其他系统组件的功耗。这是对Windows 10能量估算引擎软件评估功能的一次重大改进,对于系统提供商和日常用户来说也是一大进步。”

PAC1934设计用于测量最低0V,最高32V的电压轨。正是由于具备这种能力,该芯片能够精确测量各种功耗,包括从简单的核心处理单元(CPU)任务,直至通过USB Type-C™连接器连接的设备上运行的软件。PAC1934是支持16位功耗测量并具有17分钟加累加寄存器的四通道器件,非常适合用于确定功耗和能量使用情况,而且无需调整电压或者电流范围。

Microchip的混合信号及线性产品部营销副总裁Bryan Liddiard说:“Windows 10设备需要精确而且使用方便的功耗监控IC,以便显示软件功耗最准确的信息。消费者不一定知道幕后提供支持的是Microchip,但正是因为有了这款新器件,世界各地的人们将拥有更可靠的电池寿命统计数据。”

该器件所具有的功能使其成为未来软件更新不可或缺的组成。支持双向测量——意味着能够同时测量电池充电和放电,它非常适合即将推出的USB Type-C充电拓扑,这类拓扑的应用会非常广泛。此外,该器件还可作为标准的高压侧电流传感器,用于服务器、网络、汽车和工业应用。Microchip还积极致力于支持PAC1934在Linux®中的各种应用。

如需了解详细信息,请访问: www.microchip.com/PAC1934

供货

PAC1934功耗监控IC已开始提供样片和投入量产,10,000片起可批量供货。

欲了解更多信息,请联系Microchip销售代表或全球授权分销商,也可访问Microchip网站。如需购买文中提及的产品,请访问Microchip使用方便的在线销售渠道microchipDIRECT,也可以联系Microchip的授权分销合作伙伴。

来源: Microchip工程师社区

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来源: 中国电子报

群雄逐鹿

据目前的报道,中国已有四家公司欲做存储器,分别是武汉长江存储,投资240亿美元,一期10万片,目标是自己研发的3D NAND闪存:另一家是泉州晋华,投资约60亿美元,做利基型DRAM,技术来源于台联华(UMC);还有一家是合肥智聚,投资80亿美元,于2016年6月已经开工,由王宁国博士执掌,计划今年年底左右进入设备安装阶段,由于项目尚未正式公布,做什么产品不详:最后一家是南京紫光,投资300亿美元,具体计划尚未公布。

谁能留下?

从目前公布的进度看,除南京紫光没有详细计划之外,其他3家的进度似乎差异并不大,基本上都是2018年~2019年进入量产阶段。

据个人看法,可能有两个指标是看点,一个是什么时间那家公司能达成10亿美元以上的销售额;另一个是产品的市场份额。因为从全球市场份额能看出真本事,目前我国台湾地区的DRAM占全球市场份额约5%。

至于什么时间企业能实现赢利,这是个可望,但也不可焦急的目标。

显然,长江存储受到国家资金的支持,实力强大。然而依中国半导体业的发展特点,依赖政府资金有它的不足之处,增加依附性,在关键时刻无人敢于承担责任。

对于地方政府等支持项目,它们的难度大,首先是变数多,涉及太多人治的因素,所以缺乏过硬的技术以及产品特色,要它具有产业发展的胸怀,及能够坚持下去可能是有些困难。

中国存储器业上马的决定是十分困难的,然而如今可能有四家以上公司都欲突破,让人感觉有些“唐突”,求胜太心切,更谈不上集中兵力。但是对照中国新兴产业的发展轨迹,似乎很相似,这样的过程在现阶段几乎是不可避免。因此要尽可能保持冷静,要充分利用好“资本与技术”两个轮子,从理性上应该把技术突破放在首位,牢记产能扩充要与市场相适应。

所以中国存储器业发展的关键时间点可能要推迟至2020年左右,现阶段尚不可预测。

耐心与坚持

观察我国台湾地区上马存储器的历程,它可以在短时间内投入300亿美元,把产能扩大。因此对于中国大陆而言,仅是个时间问题,早晚一定能够做出存储器产品。我国台湾地区存储器产业最终不成功的原因,主要是缺乏自主技术且总想依赖别人,结果是行不通的。

另外,存储器业的周期性起伏明显,每经过2~3年总有一段上升或者下降周期,体现在它的价格波动方面,如服务器用DDR4 32GB模组,每条已突破200美元大关,2017年首季合约价平均涨幅逾25%,高容量模组涨幅更是直逼30%以上。近期DRAM涨势主要由三星主导,且涨势仍未停歇,首季标准型DRAM涨幅逾三成,移动DRAM涨幅约15%~20%,服务器用DRAM涨幅在25%~30%。存储器市况从2016年6月触底反弹后,从最低每单位1.31美元一路走高,年底升至1.94美元,且在供给有限而需求增加的状况下,存储器2017年有望延续涨势。

IC Insight曾乐观预测,未来五年(2016至2020年)全球存储器市场的年均增长率CAGR达7.3%,由2016年的773亿美元,增加至2020年的1099亿美元,这表明未来的存储器市场将一片光明。

所以,中国存储器业只要能赶上一波产业的上升周期,或许可能实现赢利,这显然取决于竞争实力以及足够的耐心与坚持。现阶段有多达四家公司都想突破存储器发展的难题,显然都能获得成功几乎是不可能的。

另外,中国的芯片制造业几乎都是从代工起步,如今作存储器要转变成IDM模式,这样的模式转换不是一件简单的事,因为与代工相比,IDM模式更依赖于市场以及技术快速转换的特点,对于企业来说这是个全新的挑战。

中国半导体业迈向IDM模式是大势所趋,然而它的难度不可低估,因此必须有充分的思想准备及决心。

据WSTS及ICInsight提供的2014年数据,全球存储器销售额为800亿美元,而中国消耗其中约250亿美元,占31%。中国存储器市场巨大,未来替代的机会多,尽管这是上马存储器生产线的理由之一,但必须清醒认识到,这个市场是属于全球的,必须依靠自己的实力去占领。

中国半导体业的发展方向已定,几乎没有退路,只有努力挺进,但是要少些非市场化因素的干扰。要充分认识到半导体业的成熟可能决定于综合的因素,不仅仅是“钱”,可能更为关键的是产业大环境的迅速改善。因此未来有两个方面要特别关注;一个是要“循序前进,欲速则不达”。另一个是把焦点放在“骨干企业”身上,只有集中力量把“骨干企业”搞好,中国半导体业才真正有希望。

春天已到

中国存储器业的“春天”已经到来,可能还不到讲此话的时候。确切地说应该是中国半导体业一定要跨入全球存储器的行列之中。至于未来能有多大作为,要看我们的努力程度与造化,但是必须要在研发方面有所突破,或者在存储器生产线的运营中能够掌握它的独特规律。

中国半导体业用存储器作为IDM模式的突破口,是个新的尝试。所以一定要树立信心,并要有足够的耐心。中芯国际经过15年的历程,才刚达到年销售额30亿美元。所以到2025年时再来回顾中国存储器业可能也不迟。

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