在我们进行电子DIY制作时，看图是难免的，但对于很多新手来说，刚开始似乎总有种很乱的感觉，走过来后我们才知道，当时只是没有了解这些规则，本文以电子电路图为主要示例进行总结一下。

电路图走向

是指电路图中各部分电路，从最初的输入端到最终的输出端的排列方向。最常见的电路图的走向为从左到右，即先后对信号处理的各个单元电路，按照从左到右的方向排列。有些电路也采用从上到下的排列方向。

例如上图：无线信号从左边天线W处输入，从左向右依次经变频、中放、检波、低放、功放，最后从扬声器BL输出声音。但图中AGC（自动增益控制电路）作为反馈电路，其走向从右到左。也就是说，反馈电路作为将输出信号的一部分或全部，反过来回到输入端，其走向与主电路的走向相反。

某些复杂的电路图，由于某种原因，在总体符合上述规则的情况下，部分电路也存在逆向的安排，但通常会使用箭头符号指示电路走向。如上图：为了符号人们“时”“分”“秒”的时间排列习惯，就采用了从左到右，从下到上的电路图走向，比较少见。

图形符号的方位与画法

国标中对电路图的图形符号只是给出了一个基本图形，但我们在实际使用时可以根据具体需要对这些图形符号变换方位和画图位置。

元器件图形符号的方位可以根据绘图需要放置，既可以横放，也可以竖放；既可以朝上，也可以朝下；还可以旋转或镜像翻转。如上图的NPN晶体管符号。

有些元器件包括若干组成部分，在电路图中可以根据需要采用集中画法和分散画法。如上图：波段开关可以如图a集中画在一起，并用虚线相连表示联动；也可以如图b，分别将它们画在它们控制的电路附近，并用文字符号“S1-1”“S1-2”“S1-3”表示。

某些元器件包含很多独立单元，尤其以集成电路为多，如上图中的双功放集成电路，图a为集中画法，图b为分散画法。一般来讲，较简单的电路多采用集中画法，较复杂的则采用分散画法。

可动作操作性元器件的状态

像开关、继电器等均有可动部分的操作性器件，在电路图中均展示其未动作时的工作状态。如上图，开关处于断开状态，继电器常开触点处于断开状态，常闭触点处于闭合状态。

集成电路画法

集成电路内部电路一般都很复杂，包含若干个单元和很多元件，但再电路图中通常只将集成电路作为一个元器件来看待。因此，几乎所有电路图中都不画集成电路的内部电路，而是以举行或三角形的图框来表示。

集成运算放大器、电压比较器等，习惯上用三角形图框表示。如上图，其左侧有正负两个输入端，右侧三角形顶点处为输出端，三角形图框的顶点方向即为信号的流向。

如上图所示，集成稳压器、时基电路等，习惯上用矩形图框表示，各引出端均标有引脚编号。引脚编号可以标注在图框外、图框内，也可以标注在矩形图框上，引脚编号可以按顺序排列，也可以无序排列。其他各类集成电路，绝大多数都采用矩形图框来表示。

如上图所示，集成电压放大器、集成功率放大器等，既有用三角图框表示的，也有用矩形图框表示的，但放大器采用三角形图框表示，信号流向更直观。数字集成电路一般采用分散画法，直接用逻辑图形符号表示，门电路、触发器等，都采用这种画法。其他数字集成电路，目前仍然较多的采用矩形图框来表示，并在各引脚处标注出该引脚的逻辑功能文字符号，如下图中的译码器。

连接导线的表示

元器件之间的连接导线在电路图中用实线表示。图a横竖两导线交点处有一圆点，表示两导线连接在一起；图b中两导线相交处无圆点，表示两导线交叉但不连接。

连接导线可以用简化的画法，如上图中IC1与IC2之间的连线上画有3道小斜杠，表示这里有3条导线分别将IC1与IC2的A与A、B与B、C与C连接在一起，而这3条导线之间并不连接。

当连接导线的两端相距甚远时，中间相隔较多的图形区域时，可以采用中断加标记的画法。如上图，IC1的B端与IC2的G端之间的连接导线采用了中断画法，并在中断的两端标注有相同的标记“a”，当我们分析电路图时，就理解为两个“a”端之间有一连接导线。

非电连接的表示

某些元器件之间具有机械的联系，则用虚线在电路图上表示出来。如下图中，虚线将电位器RP与开关S联系起来，表示电源开关受音量电位器的旋轴控制，它们是一个联动的带开关的电位器。

电源线与地线的表示

通常将电源线或双电源中正电源引线安排在元器件的上方，将地线或双电源中的负电源引线安排在元器件的下方。

一般情况下，接地符号是向下引出的，但有时处于绘图布局上的要求，也可以向上、向左或向右引出。

较复杂的电路往往不将所有地线接在一起，而是以一个个孤立的接地符号来代替。

通常电路图中不画出集成运放预计数字集成电路的电源引线，因为这不影响电路分析功能，但分析电源电路和实际制作时不能忘记其电源引线。

原理图

FS1:

由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。

TR1(热敏电阻):

电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用5Ω-10Ω热敏，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。

VDR1(突波吸收器):

当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端 (Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。

CY1，CY2(Y-Cap):

Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ， AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路蛭 蠪G所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。

CX1(X-Cap)、RX1:

X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 ， FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ 1/4W)。

LF1(Common Choke):

EMI防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI特性及温升，以同样尺寸的Common Choke而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI防制效果愈好，但温升可能较高。

BD1(整流二极管):

将AC电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二极管，因为是全波整流所以耐压只要600V即可。

C1(滤波电容):

由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V)，可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1电压最高约380V，所以必须使用耐压400V的电容。

D2(辅助电源二极管):

整流二极管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者主要差异:耐压不同(在此处使用差异无所谓)VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)

R10(辅助电源电阻):

主要用于调整PWM IC的VCC电压，以目前使用的3843而言，设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时)，但为考虑输出短路的情况，VCC电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。

C7(滤波电容):

辅助电源的滤波电容，提供PWM IC较稳定的直流电压，一般使用100uf/25V电容。

Z1(Zener 二极管):

当回授失效时的保护电路，回授失效时输出电压冲高，辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode，当回授失效时Zener Diode会崩溃，使得Pin3脚提前到达1V，以此可限制输出电压，达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低，Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).

R2(启动电阻):

提供3843第一次启动的路径，第一次启动时透过R2对C7充电，以提供3843 VCC所需的电压，R2阻值较大时，turn on的时间较长，但短路时Pin瓦数较小，R2阻值较小时，turn on的时间较短，短路时Pin瓦数较大，一般使用220KΩ/2W M.O。

R4 (Line Compensation):

高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之间)。

R3，C6，D1 (Snubber):

此三个零件组成Snubber，调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生，调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值，2.调整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻，C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。

Q1(N-MOS):

目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种，6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小，所以温升会较低，若IDS电流未超过3A，应该先以3A/600V为考虑，并以温升记录来验证，因为6A/600V的价格高于3A/600V许多，Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。

R8:

R8的作用在保护Q1，避免Q1呈现浮接状态。

R7(Rs电阻):

3843 Pin3脚电压最高为1V，R7的大小须与R4配合，以达到高低压平衡的目的，一般使用2W M.O.电阻，设计时先决定R7后再加上R4补偿，一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V~0.95V之间(视瓦数而定，若瓦数较小则不能太接近1V，以免因零件误差而顶到1V)。

R5，C3(RC filter):

滤除3843 Pin3脚的噪声，R5一般使用1KΩ 1/8W，C3一般使用102P/50V的陶质电容，C3若使用电容值较小者，重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者，也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。

R9(Q1 Gate电阻 ):

R9电阻的大小，会影响到EMI及温升特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度较慢，EMI特性较好，但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小， Q1 turn on / turn off的速度较快，Q1温升较低、效率较高，但EMI较差，一般使用51Ω-150Ω 1/8W。

R6，C4(控制振荡频率):

决定3843的工作频率，可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率，C4一般为10nf的电容(误差为5%)，R6使用精密电阻，以DA-14B33为例，C4使用103P/50VPE电容，R6为3.74KΩ 1/8W精密电阻，振荡频率约为45 KHz。

C5:

功能类似RC filter，主要功用在于使高压轻载较不易振荡，一般使用101P/50V陶质电容。

U1(PWM IC):

3843是PWM IC的一种，由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小，Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V)，目前所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种，两者脚位相同，但产生的振荡频率略有差异，UC3843BN较KA3843快了约2KHz，fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题)，因KA3843较难买，所以新机种设计时，尽量使用UC3843BN。

R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):

3843内部有一个Error AMP(误差放大器)，R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路，用来调整回路增益的稳定度，回路增益，调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确，一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。

U2(Photo coupler)

光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式)，当二次侧的TL431导通后，U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧，此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)来关闭Q1，使用Photo coupler的原因，是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)。

R13(二次侧回路增益控制):

控制流过Photo coupler的电流，R13阻值较小时，流过Photo coupler的电流较大，U2转换电流较大，回路增益较快(需要确认是否会造成振荡)，R13阻值较大时，流过Photo coupler的电流较小，U2转换电流较小，回路增益较慢，虽然较不易造成振荡，但需注意输出电压是否正常。

U3(TL431)、R15、R16、R18

调整输出电压的大小， ，输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA最大为36V，若再加Photo coupler的VF值，则Vo应在38V以下较安全)，TL431的Vref为2.5V，R15及R16并联的目的使输出电压能微调，且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2KΩ以下)，以免造成输出不准。

R14，C9(二次侧回路增益控制):

控制二次侧的回路增益，一般而言将电容放大会使增益变慢；电容放小会使增益变快，电阻的特性则刚好与电容相反，电阻放大增益变快；电阻放小增益变慢，至于何谓增益调整的最佳值，则可以Dynamic load来量测，即可取得一个最佳值。

D4(整流二极管):

因为输出电压为3.3V，而输出电压调整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源，因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右)，二极管耐压值100V即可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。

C8(滤波电容):

因为U2及U3所需的电流不大，所以只要使用1u/50V即可。

D5(整流二极管):

输出整流二极管，D5的使用需考虑:

电流值

二极管的耐压值

以此电路为例，输出电流4A，使用10A的二极管(Schottky)应该可以，但经点温升验证后发现D5温度偏高，所以必须换为15A的二极管，因为10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后符合，因此最后使用15A/40V Schottky。

C10，R17(二次侧snubber) :

D5在截止的瞬间会有spike产生，若spike超过二极管(D5)的耐压值，二极管会有被击穿的危险，调整snubber可适当的减少spike的电压值，除保护二极管外亦可改善EMI，R17一般使用1/2W的电阻，C10一般使用耐压500V的陶质电容，snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热，应避免此种情况发生。

C11，C13(滤波电容):

二次侧第一级滤波电容，应使用内阻较小的电容(LXZ，YXA…)，电容选择是否洽当可依以下三点来判定:

输出Ripple电压是符合规格

电容温度是否超过额定值

电容值两端电压是否超过额定值

R19(假负载):

适当的使用假负载可使线路更稳定，但假负载的阻值不可太小，否则会影响效率，使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。

L3，C12(LC滤波电路):

LC滤波电路为第二级滤波，在不影响线路稳定的情况下，一般会将L3 放大(电感量较大)，如此C12可使用较小的电容值。