去耦电容

作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种:

一、应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。

下面分类详述之:

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2、去耦

去耦,又称解耦。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。

旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等;而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF或者更大,依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3、滤波

从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过,电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000μF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。

曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150000μF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式,对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

二、应用于信号电路,主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用:

1、耦合

举个例子来讲,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容。

2、振荡/同步

包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

3、时间常数

这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时,电容(C)上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式描述:

i=(V/R)e-(t/CR)

此外,再附上常用电容的一大误区:

钽电容替代电解电容的误区

通常的看法是钽电容性能比铝电容好,因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽,它的介电能力(通常用ε表示)比铝电容的三氧化二铝介质要高。

因此在同样容量的情况下,钽电容的体积能比铝电容做得更小。(电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积,在容量一定的情况下,介电能力越高,体积就可以做得越小,反之,体积就需要做得越大)再加上钽的性质比较稳定,所以通常认为钽电容性能比铝电容好。

但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了,目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极,而在于电解质,也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容,其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同,性能可以差距很大,总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。

还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好,主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰,那么它的性能其实也能提升不少。

可以肯定,ESR是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是,选择电容,应避免ESR越低越好,品质越高越好等误区。衡量一个产品,一定要全方位、多角度的去考虑,切不可把电容的作用有意无意的夸大。

---以上引用了部分网友的经验总结。

普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质,阳极是钝化铝,阴极是纯铝,所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。

一般来说,钽电解电容的ESR要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多,高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路(比如中心为50Hz的带通滤波器)的话,要注意容量变化后对滤波器性能(通带...)的影响。

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尖峰电流的形成:

数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成:


输出电压如右图(a)所示,理论上电源电流的波形如右图(b),而实际的电源电流保险如右图(c)。由图(c)可以看出在输出由低电平转换到高电平时电源电流有一个短暂而幅度很大的尖峰。尖峰电源电流的波形随所用器件的类型和输出端所接的电容负载而异。

产生尖峰电流的主要原因是:

输出级的T3、T4管短设计内同时导通。在与非门由输出低电平转向高电平的过程中,输入电压的负跳变在T2和T3的基极回路内产生很大的反向驱动电流,由于T3的饱和深度设计得比T2大,反向驱动电流将使T2首先脱离饱和而截止。T2截止后,其集电极电位上升,使T4导通。可是此时T3还未脱离饱和,因此在极短得设计内T3和T4将同时导通,从而产生很大的ic4,使电源电流形成尖峰电流。图中的R4正是为了限制此尖峰电流而设计。

低功耗型TTL门电路中的R4较大,因此其尖峰电流较小。当输入电压由低电平变为高电平时,与非门输出电平由高变低,这时T3、T4也可能同时导通。但当T3开始进入导通时,T4处于放大状态,两管的集-射间电压较大,故所产生的尖峰电流较小,对电源电流产生的影响相对较小。

产生尖峰电流的另一个原因是负载电容的影响。与非门输出端实际上存在负载电容CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由T4对电容CL充电,因此形成尖峰电流。

当与非门的输出由高电平转换到低电平时,电容CL通过T3放电。此时放电电流不通过电源,故CL的放电电流对电源电流无影响。

尖峰电流的抑制方法:

1、在电路板布线上采取措施,使信号线的杂散电容降到最小;

2、 另一种方法是设法降低供电电源的内阻,使尖峰电流不至于引起过大的电源电压波动;

3、 通常的作法是使用去耦电容来滤波,一般是在电路板的电源入口处放一个1uF~10uF的去耦电容,滤除低频噪声;在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF~0.1uF的去耦电容(高频滤波电容),用于滤除高频噪声。滤波的目的是要滤除叠加在电源上的交流干扰,但并不是使用的电容容量越大越好,因为实际的电容并不是理想电容,不具备理想电容的所有特性。

去耦电容的选取可按C=1/F计算,其中F为电路频率,即10MHz取0.1uF,100MHz取0.01uF。一般取0.1~0.01uF均可。

放置在有源器件傍的高频滤波电容的作用有两个,其一是滤除沿电源传导过来的高频干扰,其二是及时补充器件高速工作时所需的尖峰电流。所以电容的放置位置是需要考虑的。

实际的电容由于存在寄生参数,可等效为串联在电容上的电阻和电感,将其称为等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。这样,实际的电容就是一个串联谐振电路,其谐振频率为:


实际的电容在低于Fr的频率呈现容性,而在高于Fr的频率上则呈现感性,所以电容更象是一个带阻滤波器。

10uF的电解电容由于其ESL较大,Fr小于1MHz,对于50Hz这样的低频噪声有较好的滤波效果,对上百兆的高频开关噪声则没有什么作用。

电容的ESR和ESL是由电容的结构和所用的介质决定的,而不是电容量。通过使用更大容量的电容并不能提高抑制高频干扰的能力,同类型的电容,在低于Fr的频率下,大容量的比小容量的阻抗小,但如果频率高于Fr,ESL决定了两者的阻抗不会有什么区别。

电路板上使用过多的大容量电容对于滤除高频干扰并没有什么帮助,特别是使用高频开关电源供电时。另一个问题是,大容量电容过多,增加了上电及热插拔电路板时对电源的冲击,容易引起如电源电压下跌、电路板接插件打火、电路板内电压上升慢等问题。

PCB布局时去耦电容摆放

对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。

下面的图1就是一个摆放位置的例子。本例中的电容等级大致遵循10倍等级关系。


还有一点要注意,在放置时,最好均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样。通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。因此,电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦。如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。

电容的安装

在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样。这样流经电容的电流回路为:电源平面->过孔->引出线->焊盘->电容->焊盘->引出线->过孔->地平面,图2直观的显示了电流的回流路径。


第一种方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是最糟糕的安装方式。

第二种方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比第一种方法路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受。

第三种在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法。

第四种在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法。最后一种方法在焊盘上直接打孔,寄生电感最小,但是焊接是可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。

需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。最好想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。

由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同。这样即使是0402封装的电容,你也可以使用20mil宽的引出线。引出线和过孔安装如图4所示,注意图中的各种尺寸。


来源:电子发烧友网

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对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。

下面图就是一个摆放位置的例子。本例中的电容等级大致遵循10倍等级关系。

还有一点要注意,在放置时,最好均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样。通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。因此,电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦。如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。

电容的安装

在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样。这样流经电容的电流回路为:电源平面-》过孔-》引出线-》焊盘-》电容-》焊盘-》引出线-》过孔-》地平面,图2直观的显示了电流的回流路径。

第一种方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是最糟糕的安装方式。

第二种方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比第一种方法路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受。

第三种在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法。

第四种在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法。

最后一种方法在焊盘上直接打孔,寄生电感最小,但是焊接是可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。推荐使用第三种和第四种方法。

需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。最好想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。

由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同。这样即使是0402封装的电容,你也可以使用20mil宽的引出线。引出线和过孔安装如上图所示,注意图中的各种尺寸。

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PCB设计过程中工程师几乎必做的事就是给每个电源管脚(Vcc、Vdd等)加上一个0.1uF的陶瓷电容,并在某些地方加上更大容量的极性电容,几乎成了每天吃饭必定要吃碗米一样的事情了,但Why呢?

  •   为什么要加这些电容?
  •   为什么要加0.1uF的?
  •   为什么有时还要加其它值的电容?
  •   在PCB上这些电容放在哪里?

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

这些我们习以为常的事情细究起来困扰着很多硬件工程师,即便做了很多项目的老司机也未必能给你讲清楚这里面的关系,不信你问问你们实验室的大哥?

还有一个让很多人抓狂的问题 - Decoupling Cap(去耦电容)和Bypass Cap(旁路电容)的区别,看到很多文章的作者把这俩概念的区别讲得貌似斩钉截铁,但读下来却发现其实作者也并不真正清楚,当然也不排除我自己的阅读能力出现了问题,不信你从网上搜几篇文章读读,越发的糊涂。

作为一个实用主义者,我从来不在乎概念如何叫,只是从功能上来理解为什么。

很多文章都从晶体管级别深入分析了为什么要加去偶电容,既有图又有公式,貌似揭示了真相,但这些分析看半天你未必看懂,看懂了未必能记住,苏老师今天不讲高深的理论,从宏观上让大家清楚为什么就可以了。

本质上我们设计的所有电路可以像下图一样抽象一下:

  •  板子上有n个不同的负载(比如某个运放电路、MCU的内核、MCU的IO、ADC、时钟),每个负载都需要稳定地供电 - 电压稳定、干净,电流充足,在此图上我只画出2个负载进行举例;
  •  电源产生电路,它为每个负载提供能源

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

每个负载要正常工作,前提就是负载上的供电电压要稳,如果是5V,就得是尽可能干净的5V,如下图:

去耦电容(1)- 为什么要去耦?
(手画的,有点不平,意思到了)

但该负载内的器件们工作起来,都要动态地吸收电流,供电电压就变成了下面的鸟样子:

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

也就是在5V的DC上叠加了各种高频率的噪声,这些噪声是由于器件对供电电流的需求导致的电压波动,可以看成是在DC 5V上“耦和”了由于器件工作带来的AC噪声。

这样耦和了AC的DC供电电压不仅会影响本负载区域内的电路的工作,也会影响到其它连接在同一个VCC上的其它负载的工作,有可能导致那些负载的电路工作出现问题。

怎么办呢?当然就是把每个地区的问题控制在该地区范围内喽:

  •  电源供电取决于变换的方式,其供电本身在DC上就有纹波,因此我们需要在电源输出Vout端要有电容C1(我们可以看成是国家粮仓)负责将供电电压上的噪声降到尽可能的低,完全为零是不可能的,因为完美的世界从来都不存在,只要不影响后面负载的正常工作即可。

  •  既然每个负载工作起来会导致其电源出现额外的波动,那就让波动在本地尽可能降低,且不影响到其它负载的工作。降低负载供应波动影响的方式就是加强能即时响应的供给(本地粮库) - 通过备用的供给平滑掉主供给快速反应方面的不足。电容的本性就是储能,用电容来做备用电能提供供给也就能平滑掉负载瞬间的需求带来的波动(不同的电容响应速度也不同,且听下文分解),保证该负载的电压尽可能稳定,也就是将有可能耦和到DC上的AC给去除掉(去耦的含义1),同时由于让本地的DC稳定,降低了对其它负载的波及(去耦的含义2)

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

从电源上看,没有去耦电容的时候如左侧的波形,加上了去耦电容之后变成了右侧的样子,供电电压的波形变得干净了,我们称该电容的作用是去掉了耦和在干净的DC上的噪声,所以该电容被称之为去耦电容,当然也可以被称之为旁路(Bypass)电容,因为该电容将DC上耦和的噪声给旁路到地上去了,只留下干净的DC给后续的电路供电。

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

去耦电容(1)- 为什么要去耦?

举一个栗子:每个负载的工作就像我们平日吃“粮食”,每家的用量是动态的、不确定的,所有家庭用的“粮食”加在一起平均下来就相当于在本地区的供粮量(稳定的),但由于每家每天的粮食消耗量很随机,导致供粮的渠道上会有波动,如果没有本地区的粮库(每家也都有储备粮),每个地区的粮食供应就会出现波动,而且A地区的波动就会影响到B地区,我们当然不希望这种情况发生,所以在每个地区都会有本地粮库储存粮食,这样每个地区内部用粮得到保障,地区和地区之间不会产生干扰。

当然如果给所有地区供粮的上游出现了波动,而这种波动超过了本地粮库的平滑能力,那该地区的家庭用粮自然也会出现问题。

就是如此简单。

本文转自:微信号 - 电路设计技能(cirmall),转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。

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1.滤波电容用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。

2.去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。

3.旁路电容用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。

一、关于去耦电容蓄能作用的理解

(1)去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作用,这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库,我们大楼内的家家户户都需要供水,这时候,水不是直接来自于水库,那样距离太远了,等水过来,我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看,高频器件在工作的时候,其电流是不连续的,而且频率很高,而器件VCC到总电源有一段距离,即便距离不长,在频率很高的情况下,阻抗Z=i*wL+R,线路的电感影响也会非常大,会导致器件在需要电流的时候,不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一 。(在vcc引脚上通常并联一个去藕电容,这样交流分量就从这个电容接地。)

2)有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

二、旁路电容和去耦电容的区别

去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。

旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分,另外还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。

我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling)电容也称退耦电容,是把输出信号的干扰作为滤除对象。

滤波电容、去耦电容、旁路电容作用

补充:电容器选用及使用注意事项:

1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器。

2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格。

3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。

4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境。

高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在 20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取 0.1μF,100MHz取0.01μF。

转自:博客园 _安德鲁

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