华虹半导体

华虹半导体有限公司(“华虹半导体”)与中微半导体(深圳)股份有限公司(“中微半导”)近日举办产品交付仪式,共同庆祝90纳米eFlash MCU、90纳米BCD电机驱动、55纳米eFlash MCU等产品在华虹七厂12英寸生产线实现规模量产,标志着华虹半导体与中微半导合作进入新阶段。华虹集团党委书记、董事长张素心,华虹集团党委副书记、总裁王靖,华虹半导体总裁兼执行董事唐均君、中微半导总经理周彦等双方高层出席。

“中微半导在华虹宏力三个特色工艺实现量产交付"

张素心董事长在致辞中强调,华虹一直致力于追求让我们的客户和合作伙伴取得成功,这是我们最大的竞争力。华虹在特色工艺上的布局,是在为设计公司服务的同时,依托我们产业链的供应商,形成一个更加广泛的合作体系,未来我们将继续与合作伙伴一起共同求最大公约数,画最大同心圆,实现我们的共同成长,实现我们共同的成功!

“中微半导在华虹宏力三个特色工艺实现量产交付"

华虹半导体成功将三大自主特色工艺平台——嵌入式非易失性存储器(eNVM)、电源管理(PMIC)以及功率器件(Power Discrete)从8英寸拓展到12英寸,众多客户已进入量产阶段。90纳米和55纳米eFlash工艺平台采用自主研发的NORD-Flash技术,具有低功耗、高可靠性、IP面积小等特点,已经获得了国内外众多客户的认同和高度评价。华虹半导体的90纳米BCD工艺拥有更佳的电性参数,并且得益于12英寸制程的稳定性,良率优异,为电机驱动、数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造解决方案。公司的Power Discrete产品在12英寸已通过车规级产品验证,各项电性参数均保持优异水平。

中微半导是华虹半导体MCU、电源管理的长期客户之一,亦是12英寸55纳米eFlash新工艺平台的首发客户。双方有着16年的合作历史,其在华虹半导体的eFlash、BCD工艺各节点上均有量产。

华虹半导体总裁兼执行董事唐均君表示,华虹半导体将充分运用“8 + 12”的产能布局优势,持续优化8英寸产品组合,同时推进12英寸扩产,继续做大业务规模,做强先进“特色IC + Power”工艺平台,进一步放大我们的竞争优势,为广大客户持续提供最佳MCU、电源管理等芯片制造解决方案。

中微半导体(深圳)股份有限公司总经理周彦表示,华虹半导体的特色工艺很有优势,是中微半导的重要战略合作伙伴。中微半导将紧跟华虹的发展步伐,将研发力量向华虹工艺聚焦,在华虹工艺上多做产品、做好产品,为实现“做强中国芯、服务全世界”使命和“成为世界一流芯片设计公司”愿景而努力奋斗!

来源:Cmsemicon 中微半导
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(香港讯,2020年8月27日)全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司今日宣布,最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台,满足大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺平台作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续,以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案,适用于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。

新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm,可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等独特优势。同时逻辑单元库集成度高,达到400K gate/mm2以上,能够帮助客户多方面缩小芯片面积。

该工艺平台的最大优势是集成了公司自有专利的分离栅NORD 嵌入式闪存技术,在90纳米工艺下拥有目前业界最小元胞尺寸和面积最小的嵌入式NOR flash IP,而且具有光罩层数少的优势,帮助客户进一步降低MCU、尤其是大容量MCU产品的制造成本。该平台同时支持射频(RF)、eFlash和EEPROM。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“公司致力于差异化技术的创新和不断优化,为客户提供市场急需的、成本效益高的工艺和技术服务。在精进8英寸平台的同时,加快12英寸产线的产能扩充和技术研发。物联网、汽车电子是MCU应用的增量市场,此次90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的推出,进一步扩大了华虹半导体MCU客户群在超低功耗的市场应用领域的代工选择空间。”

关于华虹半导体

华虹半导体有限公司(“华虹半导体”,股份代号:1347.HK)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,特别专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺平台,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是以集成电路制造为主业,拥有8+12英寸生产线先进工艺技术的企业集团。

本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),月产能约18万片;同时在无锡高新技术产业开发区内建有一座12英寸晶圆厂(华虹七厂),月产能规划为4万片。华虹七厂于2019年正式落成并迈入生产运营期,成为中国大陆领先的12英寸特色工艺生产线,也是大陆第一条12英寸功率器件代工生产线。

如欲取得更多公司相关资料,请浏览:www.huahonggrace.com

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6月13日,全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,基于0.11微米超低漏电嵌入式闪存技术平台(0.11μm Ultra Low Leakage eNVM Platform,以下简称“0.11μm ULL平台”),华虹半导体自主研发了超低功耗模拟IP,包括时钟管理(Clock Management)、电源管理(Energy Management)、模数转换(Analog Digital Converter)等,这些IP通过了硅验证并已经量产,帮助客户设计低功耗、高性价比、高精度等各类MCU,将助力公司拓展MCU市场。

在时钟管理IP方面,华虹半导体开发了RCOSC、RTC和PLL三大类IP。高精度OSC内置了补偿电路,-40℃~125℃温度范围内精度达到+/-2%,面积为0.02mm2。低功耗32KHz RCOSC的工作电流低至160nA。低成本16MHz RCOSC面积仅0.004mm2,工作电流仅为16μA。实时时钟RTC中,提供1Hz输出,无需外置电容,有效降低了成本。低抖动的PLL随机噪声抖动小于25ps,输出60M到500MHz等多种频率。

在电源管理IP方面,内置BGR的LDO在等待模式下电流为300nA,从等待模式切换到工作模式仅需2.5μS,大大缩减正常工作模式的准备时间。外部POR释放电压1.0V~1.52V,保障了电路的可靠性及稳定性。此外,VDT/LDT/TDT等各种信号报警模拟IP,为稳定MCU芯片的电压、电流基准、检测电压、温度及芯片安全提供了有效保障。

在信号转换IP方面,华虹半导体提供高精度的10位、12位SAR ADC。最新推出的12-Bit SAR ADC拥有高达2MSPS的采样率,面积仅0.2mm2,支持单端和差分输入模式。在电源电压3.3V、采样率2MSPS的情况下,信号噪声失真比SNDR为70dB,完美结合了多通道、高精度、低功耗、小面积等特性,是高性能MCU的理想选择。

物联网、云计算、智能城市、虚拟现实(VR)等新兴市场,促使各类MCU芯片需求剧增。华虹半导体的多种模拟IP可灵活匹配8位及32位MCU需求,并以其高质量和高可靠性,有效助力客户在物联网(IoT)、信息安全、可穿戴产品以及工业控制和汽车电子市场中提升竞争力。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然表示:“一系列面向MCU的模拟IP向业界展现了华虹半导体的自主创新实力,缩短了客户的芯片开发周期,为我们的MCU客户提供了强有力的支持。”

来源:中国电子报、电子信息产业网

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华虹半导体有限公司 今日宣布,基于其0.11微米超低漏电 (Ultra-Low-Leakage,ULL) 嵌入式闪存 (eFlash) 工艺平台,推出自主设计的超低功耗12位逐次逼近 (SAR)型模数转换器 (ADC) (12-Bit SAR ADC) IP,达到国际一流水平。该款ADC IP目前已通过硅验证,其拥有高达2MSPS的采样率,并完美结合了多通道、高精度、低功耗等优异特性,是高性能微控制器 (MCU) 产品的理想选择,亦可满足包括物联网 (IoT) 在内的各种多元化应用。

12-Bit SAR ADC特性

华虹半导体依托卓越的研发团队和丰富的IP设计经验,瞄准成长中的MCU市场,除了嵌入式存储器IP之外,已先后推出RTC、BGR、LDO、PORI、PORE、RC OSC、LCD驱动、ADC等系列模拟IP。其中,ADC IP是一款12位分辨率的SAR ADC,传输特性单调、无失码;IP面积仅为0.2mm2,降低了芯片成本;可在电源电压1.8V到5.5V、温度-40℃到+125℃的宽广范围内稳定工作。

12-Bit SAR ADC动态性能

12-Bit SAR ADC IP拥有超低功耗:电源电压3.3V、采样率2MSPS时,功耗仅为3.5mW;电源电压2.0V采样率2MSPS时,功耗1.8mW。

12-Bit SAR ADC IP拥有优秀的动态性能,电源电压3.3V采样率2MSPS时,信号噪声失真比SNDR为70dB;电源电压低至1.8V时,采样率仍能高达1.5MSPS,信号噪声失真比SNDR为69dB。

12-Bit SAR ADC IP拥有十个外部输入信号通道(其中八个能够灵活地配置成差分工作模式或单端工作模式,另外两个用于测量外部参考电压)和一个内部输入信号通道(用于测量电源电压);内置数字校准电路,能校正内部比较器的失调和内部数模转换器的线性误差。并且,正负参考电压与采样周期长度皆可选择、配置。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“12-Bit SAR ADC IP的推出体现了公司自主创新的研发能力。作为华虹半导体MCU系列解决方案的重要组成,该ADC IP在0.11微米超低功耗ULL eFlash技术平台流片成功,可以有效帮助客户降低芯片功耗与成本,简化并加快系统设计,为客户在物联网、工业、汽车电子等市场提升竞争力。”

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华虹半导体有限公司与上海晟矽微电子股份有限公司今日联合宣布,基于95纳米单绝缘栅一次性编程MCU(95纳米CE 5V OTP MCU)工艺平台开发的首颗微控制器(Microcontroller Unit, MCU)(产品型号MC30P6230)已成功验证,即将导入量产。

物联网生态多点开花,对低功耗的要求也愈发严苛,华虹半导体顺时而造,推出绿色低功耗95纳米CE 5V OTP MCU工艺平台。该工艺平台是专为物联网MCU应用量身打造的最佳晶圆代工解决方案之一,更是华虹半导体物联网布局中重要的一步棋,扩展了其嵌入式存储器工艺平台组合,为公司在智能家居、物联网等领域的深入发展提供了强有力的支持。

华虹半导体95纳米CE 5V OTP MCU工艺平台器件具有极低的静态功耗Ioff(0.5pA/µm);通过工艺和IP优化,大幅降低了OTP cell和IP面积,相较于0.18微米OTP(One-Time Programming)工艺的IP,95纳米IP的面积可以缩小接近50%。由于该工艺平台具有更高的逻辑门密度(比0.18微米高60%)及更小的SRAM bit cell(比0.18微米小30%),使得整体芯片面积大幅缩小,成本极具竞争优势。

晟矽微电是国内领先的MCU设计公司,在华虹半导体工艺演进升级的同时,积极投入新产品的开发,并在此工艺平台上率先通过新产品验证。

嵌入式OTP存储器是华虹半导体基于力旺电子(eMemory)OTP cell,结合公司自身在嵌入式非易失性存储器工艺平台的优势特色,进行优化设计的IP。新产品是目前市场上面积最小的8位MCU,在与普通逻辑工艺层次数量相同的条件下,此芯片面积是市场上同类产品的2/3;性能也显著提升,具体表现为其OTP烧写不良率和烧写时间大幅缩减。同时,此产品具有高抗干扰性能,可用在家电和工控类应用中,具有极高的性价比。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“很高兴能和晟矽微电联手,推出高性价比的优质MCU产品。基于95纳米CE 5V OTP MCU工艺平台的首颗MCU开发成功,令人倍感振奋,这再次力证了华虹半导体在MCU领域的技术实力。作为卓越的嵌入式存储器代工解决方案提供商,华虹半导体在95纳米技术节点上不断创新,嵌入式电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)工艺平台现已成功量产,而低本高效的MTP(Multiple-Time Programming)工艺平台也正在加紧研发中。华虹半导体将携手客户及合作伙伴,持续提升竞争力,以期更广泛地服务MCU市场。”

晟矽微电技术副总裁包旭鹤先生表示:“晟矽微电作为中国本土的MCU设计公司立足于国内市场并积极融入国内产业链。在深入理解客户需求的同时,利用更符合产品需求的制造工艺迅速推出性价比具备明显优势的MCU产品,有效提升中国MCU的市场占有率。”他还进一步指出,“华虹半导体积极投入适用于MCU全系列产品的工艺平台(包括OTP、MTP、Flash、EEPROM等)研发,制造工艺处于业界领先地位,在成本优化、性能提升、全方位一站式服务方面也极具竞争力。因此,晟矽微电积极投入与华虹半导体在新工艺和新产品方面的战略合作,以持续的开创性地研发投入,保持产品在工艺方面的优势,为客户提供性能稳定、质量可靠、贴合需求、高性价比的MCU产品。”

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200mm纯晶圆代工厂华虹半导体有限公司今天宣布,公司针对8位微控制器(Microcontroller Unit, MCU)市场,最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器(95纳米5V SG eNVM)工艺平台。在保证产品稳定性能的同时,95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本的优势,广受客户青睐。该平台现已成功量产,产品性能优异。

万物互联时代,8位MCU不断推陈出新,出货量也逐步攀升,在工业控制、物联网、汽车电子、消费类电子等诸多领域均有广泛应用。根据市调机构IHS预测,8位MCU市场持续增长,到2020年,全球8位MCU的市场规模将达61亿美元,需求量将达到近170亿颗,市场需求强劲。华虹半导体顺势推出95纳米5V SG eNVM工艺平台,为客户提供高性价比的制造工艺,助力客户在庞大的8位MCU应用市场提高竞争力。

华虹半导体的95纳米5V SG eNVM工艺通过优化单元的结构和IP的设计,令其具有较小的面积和较低的读取功耗(50μA/MHz),器件静态功耗Ioff也只有0.5pA。CPU内核的速度达到50MHz,完全满足了8位MCU产品应用的需求。在设计上,该工艺还支持整合电可擦可编程只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)的单IP设计,把EEPROM的高性能和Flash的面积优势体现在一颗IP上,相比于两个IP的设计,大大节约了面积成本。同时,采用具有竞争力的光罩层数,三层金属最少光罩层数只有19层。此外,在模拟面积比较大的芯片应用领域,华虹半导体的95纳米单5V电压工艺亦具有较大的成本优势。该平台在保持良好性能的同时兼备高可靠性,数据保存时间超过30年,重复擦写次数超过50万次。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体力争保持在eNVM技术领域的全球竞争优势,近年来在智能卡、MCU市场取得很好的业绩。此次推出的95纳米5V SG eNVM技术,安全可靠兼顾成本优势,使其成为制胜8位MCU市场的首选制造工艺。”他进一步指出,“华虹半导体同时拥有多种MCU所需要的细分化eFlash/eEEPROM工艺平台,可将我们领先的嵌入式存储技术与CMOS射频集成及/或高压LDMOS技术结合,大大增加可用MCU解决方案的数量。华虹半导体将顺应市场需求,持续进行技术创新,致力于为客户提供更低功耗、更高性能、更安全可靠的高性价比MCU解决方案。”

来源: 华虹半导体有限公司

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