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MCU加油站
过压保护电路
过压保护(Over-Voltage Protect,OVP)电路主要用在需要额定电压供电电源的输入端,用于防止输入电压过高而造成电路系统元器件或引起的连带事故! 任何电子元器件都有其可以承受的最大额定工作电压,一旦超出最大耐压范围,则很有可能损坏,这与人承受过大的压力引起的后果是大致相同的。 比如,铝电解电容两端的电压超过额定值将可能有爆炸风险,如下图所示:(来自VISHAY 铝电解电容038...
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2018-11-30 |
保护电路
都是防辐射,EMI、EMS、EMC傻傻分不清?
子产品的电磁辐射问题越来越受到关注,相信大多数都对于EMC(电磁兼容性)这个名词也不陌生,因为要获得我国的3C认证就必须通过专业机构的EMC测试。但是,在各种媒体报道和产品宣传当中,与之类似的EMI、EMS等专业名词也常常出现在大家面前,它们似乎都与防辐射(电磁辐射)有关,让人不明就里。那么,它们究竟有什么异同呢? EMI——攻击力 EMI(Electro Magnetic...
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2018-11-30 |
pcb电路板短路检查方面需要注意的六要点
对于电子工程师来说,电路板的制作是必经的步骤,然而电路板的短路是电路板制作过程中比较容易出现的问题。短路可能会引起元件烧坏,导致系统功亏一篑,所以必须引起我们的重视。 以下总结在pcb电路板短路检查方面需要注意的地方: 1. 对于人工焊接的电路板,要养成好的习惯,首先,焊接前要目视检查一遍PCB板,并用万用表检查关键电路(特别是电源与地)是否短路;其次,...
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2018-11-30 |
【视频】SAM L11安全特性
本视频介绍了SAM L11的安全特性。SAM L11在同等性能等级下提供业界领先的安全性。它是业界首款具有强大的芯片级安全性且采用Arm® TrustZone®技术的Arm Cortex® M23 MCU。
2018-11-30 |
SAM L11
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Microchip
PWM 和PFM
• PWM 和PFM 是两大类DC-DC 转换器架构 • 每种类型的性能特征是不一样的 • 重负载和轻负载时的效率 • 负载调节 • 设计复杂性 • EMI / 噪声考虑 做电源设计的应该都知道PWM 和PFM 这两个概念 开关电源的控制技术主要有三种: (1)脉冲宽度调制(PWM); (2)脉冲频率调制(PFM); (3)脉冲宽度频率调制(PWM...
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2018-11-30 |
PWM
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PFM
单片机的硬件抗干扰技术解析
单片机系统硬件抗干扰常用方法实践影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰,并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这些都构成单片机系统的干扰因素,常会导致单片机系统运行失常,轻则影响产品质量和产量,重则会导致事故,造成重大经济损失。 形成干扰的基本要素有三个: (1)干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号, 用数学语言描述如下:du/dt, di/...
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2018-11-29 |
单片机
,
抗干扰
【下载】如何使用PIC32MX/PIC32MZ/PIC32MM 器件上的DMA CRC生成器
循环冗余校验(Cyclic Redundancy,Check,CRC)是一种稳健的错误校验算法,用于在处理数据之前确保数据的完整性。CRC值(校验和)与报文或特定数据块相关联。无论是用于通信的数据包还是存储器中存储的数据块,都可以在处理之前利用CRC帮助进行验证。 CRC计算是一个迭代过程,在软件中实现时需要占用大量CPU带宽。通过把带有CRC块的特殊功能模块( Special Function...
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2018-11-29 |
PIC32MM
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PIC32MZ
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Microchip
RTC时钟偶发性延时或超时该怎么办?
在非常温的工作环境下,RTC时钟出现偶发性的延时或者超时现象。成熟的RTC电路设计看似简单,但如何保证RTC时钟的精确度?在出现偶发性异常现象时,如何快速定位和解决问题?本文将分享一个案例。 案例情况 工控板使用了NXP的PCF8563 RTC 芯片方案,在研发做环境温度摸底测试的时候, RTC时钟出现偶发性延时或者超前现象,于是研发展开一系列的问题定位。 排查分析 1、...
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2018-11-29 |
RTC
,
时钟
单片机开发中应掌握的基本技巧
在单片机应用开发中,代码的使用效率问题、单片机抗干扰性和可靠性等问题仍困扰着工程师。为帮助工程师解决单片机设计上的难题,现根据论坛中的讨论归纳出单片机开发中应掌握的几个基本技巧。 一、如何提高C语言编程代码的效率 邓宏杰指出,用C语言进行单片机程序设计是单片机开发与应用的必然趋势。“如果使用C编程时,要达到最高的效率,最好熟悉所使用的C编译器。先试验一下每条C语言编译以后对应的汇编语言的语句行数...
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2018-11-29 |
功率MOS管的五种损坏模式详解
第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路: 第二种:器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。...
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2018-11-29 |
MOS管
瑞萨电子推出32位RX66T 系列MCU,优化工业、家电和机器人设备的电机控制
首批采用第三代RXv3 CPU内核的MCU能够显著提升性能,为带有嵌入式AI的电机控制应用带来更强的系统集成和卓越的电机故障预测功能
2018-11-29 |
瑞萨电子
Vishay 推出新款汽车级EMI抑制薄膜电容器
汽车级器件在温度85 °C,相对湿度85 %,额定电压条件下经过500小时耐久性THB测试证明恶劣条件下具有极长使用寿命 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型F339X2 305VAC系列汽车级X2电磁干扰(EMI)抑制薄膜电容器,该器件符合跨接电路应用(50 Hz / 60 Hz)标准,通过AEC-Q200(D版)和IEC...
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2018-11-28 |
Vishay
,
EMI
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电容器
单片机晶振的负载电容常见问题分析
单片机晶振旁边两个对地电容叫晶振的负载电容,分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度,一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。 一般单片机的晶振工作于并联谐振状态,也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的,换句话说,晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的,能最大限度的保证频率值的误差。也能保证温漂等误差。...
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2018-11-28 |
单片机
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晶振
PCB中常见错误大全!
原理图常见错误 1)ERC报告管脚没有接入信号: a. 创建封装时给管脚定义了I/O属性; b. 创建元件或放置元件时修改了不一致的grid属性,管脚与线没有连上; c. 创建元件时pin方向反向,必须非pin name端连线; d. 而最常见的原因,是没有建立工程文件,这是初学者最容易犯的错误。 2)元件跑到图纸界外:没有在元件库图表纸中心创建元件。 3)创建的工程文件网络表只能部分调入pcb...
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2018-11-28 |
HOLTEK新推出BS86DH12C高抗干扰能力的高压A/D Touch MCU
Holtek新推出高压A/D type Flash Touch MCU BS86DH12C,内建9V高压电路整合LDO及HVIO使PCB上零件更精简,具有极佳的性价比。此外还提供12个具高抗干扰能力的触摸键,并加强LED驱动电流及丰富系统资源,可用极少的零件实现带触摸键、温度侦测的产品,例如料理机、豆浆机、电饭煲等,适合各种触摸键带LED显示的产品使用。
2018-11-28 |
HOLTEK
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BS86DH12C
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