中颖很多8位MCU产品支持外部32.768kHz晶振，用作系统低频时钟和RTC时钟。有几个常用的控制寄存和代码选项与32.768kHz晶振电路相关，下文以SH86F7088举例逐一说明。
1、32K_SPDUP
32K_SPDUP是32.768kHz晶振加速模式控制位，位于时钟控制寄存器（CLKCON）的最高位，上电默认是使能状态。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。
此寄存器位在系统发生任何形式的复位，如上电复位、看门狗复位等时，自动由硬件置1（使能），用以加速32.768kHz振荡器起振，缩短起振时间。
如果有需要，本位也可以由软件置1（使能）或者清0（关闭）。比如进入掉电模式前，可以将此位置1，掉电模式唤醒后再由软件清0。
使能此位后，会增加一点系统功耗。在低功耗应用中，可以关闭32.768kHz加速模式（此位清0）以节省系统耗电。
2、OP_32KDRIVE
OP_32KDRIVE是用户代码选项，用于使能晶振电路的强驱模式。在此模式下，晶振电路的抗湿度能力会显著增强，但功耗也会相应增加。此代码选项的初始默认设置是普通模式。
为了方便程序控制强驱模式，IC还设计了一个寄存器控制位（32K_DRIVE），功能同此代码选项相同。
备注：
(1) 使能强驱模式时，晶振匹配电容不能小于15pF；
(2)一旦使能强驱模式，即使没有使用外部32K晶振，增加的功耗也会持续存在。
3、32K_DRIVE
32K_DRIVE是32.768kHz晶振强驱模式的寄存器控制位，位于时钟控制寄存器（CLKCON）的bit 1，复位初始值由代码选项OP_32KDRIVE给出。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。
寄存器控制位32K_DRIVE和代码选项OP_32KDRIVE的功能相同，都是强驱模式控制位，但是它们的有效范围有一些区别：
(1) IC复位后，OP_32KDRIVE有效，强驱模式受代码选项控制，此时32K_DRIVE的初始值同OP_32KDRIVE的值。
(2) 用户用程序修改32K_DRIVE的值后，32K_DRIVE生效，强驱模式受寄存器位控制。此时OP_32KDRIVE无效，直到发生系统复位后才再次生效。
4、OP_32KLCAP
OP_32KLCAP是用户代码选项，用于配置芯片内建的32.768kHz晶振匹配电容，初始默认设置是选择12pF内建电容。
内建匹配电容用于替代片外匹配电容，可以精简BOM。如果要使用片外匹配电容，需要用此代码选项关闭内建匹配电容。内建匹配电容有7档可选，容值范围8~25pF，容值最大偏差±15%。
为了方便程序选择内建电容值，IC还设计了寄存器控制位（LCAP[2:0]），功能同此代码选项相同。
5、 LCAP[2:0]
LCAP[2:0]是寄存器控制位，也是用来配置芯片内建的32.768kHz晶振匹配电容。位于内建电容选择寄存器（OSCLCAPS）的bit[2:0]，复位初始值由代码选项OP_32KLCAP给出。只有代码选项OP_OSC选择了32.768kHz晶体振荡器，此控制位才有效。
寄存器控制位LCAP[2:0]和代码选项OP_32KLCAP的功能相同，都是配置内建匹配电容，但是它们的有效范围有一些区别：
(1) IC复位后，OP_32KLCAP有效，内建匹配电容受代码选项控制，此时LCAP[2:0]的初始值同OP_32KLCAP的值。
(2) 用户用程序修改LCAP[2:0]的值后，LCAP[2:0]生效，内建匹配电容受寄存器位控制。此时OP_32KLCAP无效，直到发生系统复位后才再次生效。
来源：中颖电子
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理（联系邮箱：cathy@eetrend.com）。
