21. 整流桥堆、二极管或肖特基，晶元大小元件承认书或在BOM表要有描述，如67mil。
理由：管控供应商送货一至性，避免供应商偷工减料，影响产品效率
另人烦脑的就是供应商做手脚，导致一整批试产的产品过不了六级能效，原因就是肖特基内部晶元用小导致。
22. 电路设计，Snubber 电容，因为有异音问题，优先使用Mylar电容 。
处理异音的方法之一
23. 浸漆的TDK RF电感与未浸漆的鼓状差模电感，浸漆磁芯产生的噪音要小12dB
处理异音的方法之二
24. 变压器生产时真空浸漆，可以使其工作在较低的磁通密度，使用环氧树脂黑胶填充三个中柱上的缝隙
处理异音的方法之三
25. 电路设计，启动电阻如果使用在整流前时,要加串一颗几百K的电阻。
理由：电阻短路时,不会造成IC和MOSFET损坏。
26. 电路设计，高压大电容并一颗103P瓷片电容位置。
理由：对幅射30-60MHz都有一定的作用。
空间允许的话PCB Layout留一个位置吧，方便EMI整改
27. 在进行EMS项目测试时，需测试出产品的最大程序，直到产品损坏为止。
例如ESD 雷击等，一定要打到产品损坏为止，并做好相关记录，看产品余量有多少，做到心中有数
28. 电路设计，异常测试时，短路开路某个元件如果还有输出电压则要进行LPS测试，过流点不能超过8A。
超过8A是不能申请LPS的
29. 安规开壳样机，所有可选插件元件要装上供拍照用，L、N线和DC线与PCB要点白胶固定。
这个是经常犯的一个毛病，经常一股劲的把样品送到第三方机构，后面来来回回改来改去的
30. 电路调试，冷机时PSR需1.15倍电流能开机，SSR需1.3倍电流能开机，避免老化后启动不良
PSR现在很多芯片都可以实现“零恢复”OCP电流，比如ME8327N，具有“零恢复”OCP电流功能
31. 电路设计，请注意使用的Y电容总容量,不能超过222P, 因为有漏电流的影响
针对不同安规，漏电流要求也不一样，在设计时需特别留意
32. 反激拓补结构，变压器B值需小于3500高斯，如果变压器饱和一切动作将会失控，如下，上图为正常，下图为饱和。
变压器的磁饱和一定要确认，重重之重，这是首条安全性能保障，包括过流点的磁饱和、开机瞬间的磁饱和、输出短路的磁饱和、高温下的磁饱和、高低压的磁饱和。
33. 结构设计，散热片使用螺丝固定参考以下表格设计，实际应用中应增加0.5-1mm余量，参考如下表格：
BOM表上写的螺丝规格一定要对，不然量产时会让你难受
34. 结构设计，AC PIN焊线材的需使用勾焊，如果不是则要点白胶固定。
理由：安规要求
经常被第三方机构退回样品，整改
35. 传导整改，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用
36. 辐射整改，分段处理经验，如下图，适合一些新手工程师，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，最主要的还是要搞清楚EMI产生的机理。
37. 关于PCB碰到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置？像是有死铜一样
D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔，如图
把它放到顶层丝印后，完美解决。
38. 变压器铜箔屏蔽主要针对传导，线屏蔽主要针对辐射，当传导非常好的时候，有可能你的辐射会差，这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽，尽量压低30M下降的位置，这样整改辐射会快很多。
EMI整改技巧之一
39. 测试辐射的时候，多带点不同品牌的MOS、肖特基。有的时候只差2、3dB的时候换一个不同品牌会有惊喜。
EMI整改技巧之二
40. VCC上的整流二极管，这个对辐射影响也是很大的。
一个惨痛案例，一款过了EMI的产品，余量都有4dB以上，量产很多次了，其中有一次量产抽检EMI发现辐射超1dB左右，不良率有50%，经过层层排查、一个个元件对换。最终发现是VCC上的整流二极管引发的问题，更换之前的管子（留低样品），余量有4dB。对不良管子分析，发现管子内部供应商做了镜像处理。
未完待续......
转自：电源研发精英圈
