新器件进一步提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件，而出现脉冲电流(IDP)时，可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻RDS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。
该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。
为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。
该款新器件的批量生产和出货即日启动。
应用场合
• 数据中心（服务器电源等）
• 光伏发电机功率调节器
• 不间断电源系统
特点
• RDS(ON) × Qgd降低，支持开关电源提高效率
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主要规格 |
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(@Ta=25oC) |
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产品型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值 @VGS=10 V (Ω) |
总栅极电荷 Qg典型值 (nC) |
栅漏电荷 Qgd 典型值 (nC) |
输入电容 Ciss 典型值 (pF) |
上一代系列 (DTMOS IV-H) 产品 型号 |
库存查询与购买 |
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漏源极电压 VDSS(V) |
漏极电流（直流） ID(A) |
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TO-247 |
650 |
57 |
0.040 |
105 |
27 |
6250 |
TK62N60X |
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注：
[1] 截至2018年6月，东芝测量值（2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW）。
有关东芝400-900V MOSFET产品阵容的更多信息，请访问以下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html
请访问以下链接，查看线上分销商处的新产品供应信息：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/buy/stockcheck.TK040N65Z.html
