基础一：
SDRAM (Synchronous Dynamic RandomAccess Memory),同步动态随机存储器。同步是指其时钟频率与CPU的前端总线的系统时间频率相同，并且他的内部命令的发送与数据的传输都是以这个时钟为基准的，动态是指存储阵列需要不断的刷新才能保证数据的不丢失。随机是指数据不是线性存储的，是可以自由指定地址进行数据读写。
位宽：是指内存一次数据传输的数据量就是位宽，以位为单位。
SDRAM的内部结构:
SDRAM相当于一个excel，一个工作溥中有几个工作表，每个工作表里有行列。
SDRAM中的一个bank就相当于excel中的一个工作表, SDRAM中的行(Column)与列(Row)相当于工作于中的行与列，我们对内存的读写就是根据bank号 Column 、Row来准确的找到所需要的单元格(存储阵列)。
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的Bank,而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大大降低了内存的效率，所以把SDRAM内部分割成多个Bank,较早以前是2个，目前市面上大多都是4个Bank的，
SDRAM容量的计算。
SDRAM容量 = 单元格的总数（地址总数） X 位宽
单元格的总数 = Bank数 X Column数 X ROW数
如果要以字节为单位的话，刚需要将SDRAM容量(bit) / 8(bit)
型号为：HY57641620XXX的为64Mbit (8M字节)位宽为16bit的SDRAM，内部结构为4个Bank,Column数为8(CA0-CA7),Row数为12(RA0- RA11),SDRAM的行地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址，再送出列地址。这样，可以大幅度减少地址线的数目。
计算方法为：每个bank的容量为: 2 Row次方 X 2 的Column次方X 16(bit) = 256 X4096 X 16 /1024 = 16384 bit =16 Mbit = 2 M字节，再乘以bank数就是64 Mbit （8M字节了）,更简单的方法是行列加起了相当于20根地址线，所以每个bank能访问的地址空间是 2 的20次方 = 1048576 bit= 1M字节，但由于第次传输的数据位宽是16位，所以每个bank的空量是 16 Mbit ,总共有4个bank，所以就有64Bbit的容量，换成字节单位就是8M字节。
基础二：
1、逻辑Bank与芯片位宽
SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
SDRAM的一个存储单元并不是存储一个bit，一般是8bit的整数倍（8bits,16bits,32bits），这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽。
2、内存芯片的容量
现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：
存储单元数量=2^行数 × 2^列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）× L-Bank的数量 “单位：bits”
在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以采用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。
以MT48LC16M16A2为例，该芯片结构为4 x 16M x 16bits，表示4个bank，4个bank共16M个单元（注意不是每个bank有16M单元），位宽16bits，大小计算
Capacity = 16M * 16bits = 256 Mbits = 32 MBytes
初始化：
上电后，等到VDD和VDDQ稳定后并且CKE设为高电平时。
1.将SDRAM的一些特性写入配置寄存中，如，同步时间，列数，行数，CAS延时等，还有需要将数据线宽度写入模式寄存器，这个数据宽度是要根据实际的硬件接口宽度决定的。
2. 等待一个最少200us 的延时，这个根据不同的SDRAM可能不同
3. 向SDRAM 发一个NOP命令:应用程序需要把模式模式寄存器写为模式1并写一个数到任意地址
4. 设置所有Bank 预冲电(precharge):应用程序需要将模式寄存器设置为模式2并下任意地址写入数据，可能需要延时.
实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-SMP(重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以有助于判断读取数据的逻辑电平，，S-AMP是通过一个参考电压与存储体的电压比较来判断逻辑值的)，以用来准备新的工作。
5. 自动刷新(auto refresh). 提供8个自动刷新时序。将模式寄存器切换到第四种方式，并向任意地址写一个数据，重复8次。
刷新说明，因为SDRAM需要不断的进行刷新，所在称作为动态内存-DRAM，刷新操作有两种，一种是Auto Reresh，简称AR,另一种是Self Refresh ,简称是SR,但不管是哪种刷新方法，都不需要外部提供行地址住处，因为他们都是内部的自动操作。结于AR,SDRAM有一个行地址生成器（也称亻刷新计数器）用来自动依次生成行地址。由于刷新是针对一行中所有存储单无际是行的，所以无需列寻址，或都说CAS在RAS之前，所以AR在有的地方叫作CBR（意思是CAS Before RAS）式刷新。
刷新时间，目前公认的标准是，存储单元中电容的数据有效保存上限是64ms(1000ms =1 s),也就是说每一行新的循环周期是64ms,我们在有的内存上看这样样的参数4096 Refresh Cycles/64ms之类的信息，从中可以看出，这个内存的行是12行，相当于每一行就行地址的扫描时间是64ms / 4096 =15.625us(1000us = 1ms)。
6. 设置CAS延时与突发长度。数据将模式寄存器设置为第三种模式,然后向写入任意数据。
空发时间Burst Length :空发长度是什么呢，如果突发长度(BL)为4，那就是每次传输的的是4 X W(数据宽度)的数据，这样就可能造成第二笔数据是不需要的，这就引入了数据掩码(DQM)技术，通过DQM，，内存可以控制I/O数据取消哪些输出或输入的数据。
7. 设置为正常工作模式，然后向SDRAM写入任意
8. 将刷新率写入SDRAM的刷新计数器中，刷新率=刷新周期之间的延迟。
以上初始化的基于MCU是at91sram7se,SDRAM是HY57V641620XXX
参考来源：
http://blog.csdn.net/xiahouzuoxin/article/details/17174795
http://pctanyicheng.blog.163.com/blog/static/173820242010689367285/
转自： lutherarcher的博客
