1、设计要求

要求系统按如下方式进入和退出睡眠模式：

在系统启动2秒后，将RTC在3秒钟之后配置为产生一个报警事件，接着通过WFI指令使系统进入停机模式。如果要唤醒系统到正常模式，可通过按Key按钮;否则，在3秒钟后，会产生RTC报警中断自动将系统唤醒。一旦退出停机模式，系统时钟被配置成先前的状态(在停机模式下，外部高速振荡器HSE和PLL是不可用的)。经过一段延时之后，系统将再次进入停机状态，并可按上述操作无限重复。

2、硬件电路设计

硬件电路采用与7.1小节应用实例一样硬件电路，可见图7-10。其中Key按钮用于通过PB9产生一个外部中断，LED1、LED2、LED3、LED4则用于显示处理器所处的模式和中断触发情况。

3、软件程序设计

根据任务要求，程序内容主要包括：
(1) 配置GPIOB口，配置RTC，配置外部中断;
(2) 配置PB口第9个引脚作为外部中断，下降延触发;配置RTC报警中断，上升沿触发;
(3) 两个中断服务子程序的内容分别是：切换LED2和LED3灯的状态;

前沿尖峰的一些抑制方法

1、选用软恢复特性的肖特基二极管，或采用在整流管前串联电感的方法比较有效，或在开关管整流管的磁珠。磁芯材料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特性的铁氧体材料，等。

2、在二次侧接入RC吸收回路可进一步减小前沿尖峰的幅值，降低二极管恢复过程中的振荡频率。

3、多个整流二极管并联；适当增大整流二极管的电流容量，可相对减小反向恢复时的关断时间，限制反向短路电流的数值，可抑制电流尖峰和降低导通损耗。

4、尽量使元件布局走线合理 ，减小大电流回路的面积，对EMI的抑制也比较有效。

后沿尖峰的抑制方法

5、选用开关速度快的整流二极管

6、选用高导磁率的磁芯，变压器设计时激磁电流尽可能小

7、选用高磁通密度的材料，确保在恶劣环境下变压器不会饱和。可取B值为饱和值的一半或1/3

8、选用闭合磁路的罐形或PQ磁芯减小漏磁。

9、高频变压器绕制尽量减小漏感。采用夹心绕法或三文治绕法。绕线尽量均匀分布在骨架上。选用漆包线时要考虑到趋肤效应。

10、在开关管的D-S之间并联RC吸收回路。

来源：电源研发精英圈

用UC3842做的开关电源的典型电路见图1。过载和短路保护，一般是通过在开关管的源极串一个电阻（R4），把电流信号送到3842的第3脚来实现保护。

当电源过载时，3842保护动作，使占空比减小，输出电压降低，3842的供电电压Vaux也跟着降低，当低到3842不能工作时，整个电路关闭，然后靠R1、R2开始下一次启动过程。这被称为“打嗝”式（hiccup）保护。在这种保护状态下，电源只工作几个开关周期，然后进入很长时间（几百ms到几s）的启动过程，平均功率很低，即使长时间输出短路也不会导致电源的损坏。

由于漏感等原因，有的开关电源在每个开关周期有很大的开关尖峰，即使在占空比很小时，辅助电压Vaux也不能降到足够低，所以一般在辅助电源的整流二极管上串一个电阻（R3），它和C1形成RC滤波，滤掉开通瞬间的尖峰。仔细调整这个电阻的数值，一般都可以达到满意的保护。使用这个电路，必须注意选取比较低的辅助电压Vaux，对3842一般为13～15V，使电路容易保护。

1. 电压应力

在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。

即：V_{DS_peak} ≤ 90% * V_(BR)DSS

注：一般地， V_(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V_(BR)DSS值作为参考。

2. 漏极电流

其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90%

即：
I_{D_max} ≤ 90% * I_D
I_{D_pulse} ≤ 90% * I_DP

什么是MOSFET

MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率MOSFET的结构

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。